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M29F032D
巴士业务
有迹象表明，控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读，写总线，输出
把禁用，待机和自动待机。看
表2 ，公交车运营，对于一个总结。 Typical-
小于5ns的片上LY毛刺启用或写
启用的内存被忽略，不自动对焦
FECT总线操作。
总线读。
总线读操作的读
存储器单元，或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入，应用低信号，V
IL
，到芯片使能
和输出使能，并保持写使能
高，V
IH
。数据输入/输出将输出
值，见图9 ，阅读模式AC波形，
表10 ，阅读交流特性，了解详细信息
的时，输出变为有效。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能，最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能，以先到为准。输出恩
能必须维持在高位，V
IH
，整辆巴士中
写操作。请参阅图10和11 ，写交流
波形，以及表11和表12中，收件交流
特点，关于定时的细节要求一
求。
输出禁用。
数据输入/输出的
当输出使能高阻抗状态
高，V
IH
.
待机。
当芯片使能为高，V
IH
中，
内存进入待机模式，数据在 -
看跌期权/输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。为了减少电源电流的
待机电源电流，我
CC2
，芯片使能应
表2.公交车运营
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
阅读制造商
CODE
阅读设备代码
注：X = V
IL
或V
IH
.
在V举行
CC
± 0.2V 。对于待机电流
水平见表9 ，直流特性。
在编程或擦除操作内存
将继续使用编程/擦除供应
目前，我
CC3
，对于编程或擦除操作非
直到操作完成。
自动待机。
如果CMOS电平（V
CC
± 0.2V)
被用来驱动总线和总线处于非活动状态
为300ns或更多的存储器进入自动
待机状态，内部电源电流为重
缩小以待机电源电流，I
CC2
。该
数据输入/输出仍然会输出数据，如果公交车
读操作正在进行中。
特别巴士运营
附加的总线操作可以被执行以
阅读电子签名，也适用
和删除块保护。这些总线操作
系统蒸发散是专供编程使用的分析装备
精神疾病，而且通常不会在应用程序中使用。
他们需要V
ID
要应用到一些引脚。
电子签名。
该存储器具有两个
码，制造商代码和装置
码，可以读取，以确定存储器中。
这些代码可以通过施加的信号被读
在表2中列出，公交车运营。
块保护和块unprotection的。
块可以在4个基团加以保护，防止AC-
cidental编程或擦除。见附录A ，表
16 ，块地址，对于该块的细节
必须一起保护作为一个组。保护
块可被无保护的，以允许数据
改变了。
有两种方法可用于保护
并取消保护块，一个是亲上使用
编程设备和其它用于在系统
使用。块保护和芯片撤消操作
在附录C中描述
E
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IH
地址输入
A0-A21
小区地址
命令地址
X
X
A0 = V
IL
， A1 = V
IL
， A9 = V
ID
，其他
V
IL
或V
IH
A0 = V
IH
， A1 = V
IL
,
A9 = V
ID
，其他人诉
IL
或V
IH
数据输入/输出
DQ7-DQ0
数据输出
数据输入
高阻
高阻
20h
ACH
9/35
