数据表
10V驱动N沟道MOSFET
RCX330N25
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TO-220FM
10.0
φ
3.2
4.5
2.8
■特点
1）低导通电阻。
2 ）开关速度快。
3 ）栅源电压
V
GSS
保证下为± 30V 。
4 ）高功率封装。
15.0
12.0
8.0
14.0
2.5
1.3
1.2
0.8
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
●应用
开关
内部电路
1
Packaging
特定网络阳离子
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RCX330N25
体积
-
500
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
1
体二极管
“绝对
最大额定值
（大
½
25°C)
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
总胆固醇
TSTG
*3
*1
*3
*1
*2
*2
范围
250
30
33
132
33
132
16.5
74.8
40
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
雪崩电流
雪崩能量
功率耗散（ TC = 25°C ）
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2升≒ 500H ，V
DD
= 50V ， RG = 25 ，开始总胆固醇= 25°C
* 3仅受最高温度允许的。
热阻
参数
渠道情况
符号
RTH （ CH-C ）
范围
3.13
单位
C
/ W
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