LTC3613
应用信息
高端MOSFET驱动器电源（C
B
, D
B
)
外部自举电容，C
B
时，连接到升压
销提供栅极驱动电压为顶侧的MOSFET 。
该电容通过二极管D充电
B
从INTV
CC
当交换结点是低的。当顶部MOSFET关
上，所述开关的节点上升到V
IN
和BOOST引脚上升到
大约PV
IN
+ INTV
CC
。升压电容器需要
存储大约100倍所需要的栅极电荷
高端MOSFET 。在大多数应用中一个0.1μF至0.47μF X5R
,
或X7R电介质电容就足够了。建议
该升压电容器是不大于10％的大
INTV
CC
电容C
VCC
，为了确保C
VCC
可以提供
在上MOSFET栅极电荷和升压电容
所有工作条件。针对变频
加载步骤提供出色的瞬态性能，但
要求较高的瞬时栅极驱动。栅极电荷
需求是最大的高频低占空比
在高di / dt的载荷步和在启动应用程序。
为了尽量减少SW节点振铃和EMI ，连接
5Ω至10Ω串联升压引脚电阻。使
C
B
和D
B
在电阻器的另一侧连接。这
串联电阻有助于减缓SW节点的上升时间，
限制了高的dI / dt电流通过高端MOSFET那
导致SW节点振铃。
INTV
CC
稳压器和EXTV
CC
动力
该LTC3613拥有一个PMOS低压差线性稳压器
（ LDO）提供功率INTV
CC
从SV
IN
供应量。
INTV
CC
权力太大了LTC3613的内部电路。
该LDO调节的INTV电压
CC
脚到5.3V 。
该LDO可以提供为50mA ，最大电流
RMS
和
必须被旁路到地以最小的4.7μF的
陶瓷电容器。良好的旁路是必要的供给
由功率MOSFET所需的高瞬态电流
栅极驱动器。
当电压施加到EXTV
CC
脚高于4.6V ，
该INTV
CC
LDO可关闭并且EXTV
CC
连接
到INTV
CC
有内部开关。此开关保持在
只要施加到EXTV电压
CC
仍以上
4.4V 。使用EXTV
CC
使得MOSFET驱动器和
控制功率必须从LTC3613的开关衍生
在正常操作期间，并从调节器的输出
当LDO的输出超出规定的（如启动，
短路）。如果超过50毫安
RMS
当前需要
通过EXTV
CC
，则一个外部肖特基二极管可以是
在EXTV之间增加
CC
和INTV
CC
销。不适用
超过6V到EXTV
CC
针并确保这
外部电压源是小于SV
IN
.
显着的EF网络效率和热增益可实现
由供电INTV
CC
从开关稳压器的输出，
由于V
IN
电流产生的从驱动器和控制
电流将通过（占空比）的因子/ （切换器进行缩放
效率） 。
下面的列表总结了四种可能的连接
系统蒸发散的EXTV
CC
:
1. EXTV
CC
开路（或接地） 。这将导致INTV
CC
可以从内部5.3V的LDO所得供电
中的高达10％ ，在高的输入的效率损失
电压。
2. EXTV
CC
直接连接到开关调节器的输出
V
OUT
> 4.6V 。这提供最高的效率。
3. EXTV
CC
连接到外部电源。如果一个4.6V或
更大的外部电源可用时，它可以用于
电源EXTV
CC
提供的外部电源就满足
够的够MOSFET栅极驱动要求。
4. EXTV
CC
连接到输出衍生升压网络。
对于3.3V等低电压转换器，效率
收益仍然可以通过连接EXTV实现
CC
为AN
输出电压而得已提升到更高
超过4.6V 。
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