LTM4612
应用信息
输入电容
LTM4612的设计，实现了低输入EMI辐射
由于噪声的导通和关断的快速切换。
在LTM4612 ，高频电感器集成
成噪声衰减输入线。 V
D
和V
IN
引脚
可用于外部输入电容以形成一个高
频率π滤波器。如图18所示，陶瓷
在V电容器C1
D
销是用来处理大部分的
目前进入转换器的RMS ，所以特别注意
需要对电容器C1的选择。
对于降压转换器，开关的占空比可
估计为：
V
D
=
OUT
V
IN
不考虑电感电流纹波，有效值
电流的输入电容器的可估计为：
I
输出（最大）
I
CIN （ RMS ）
=
D
(
1– D
)
h
在这个等式中，
h
是的，估计EF网络效率
电源模块。注意电容的纹波电流额定值
通常基于温度和寿命小时。这
使得它建议适当减免输入电容，
或选择额定温度高于电容器
所需。始终联系电容制造商
降额要求。
在一个典型的5A输出的应用，是一个非常低的ESR ， X5R
或X7R ， 10μF的陶瓷电容，建议C1 。
这种去耦电容应放在直接相邻
上升到模块V
D
在PCB布局引脚，以尽量减少
引线电感和高频率的交流噪声。每
10μF的陶瓷一般为2A至RMS纹波3A好
电流。请参阅您的陶瓷电容器产品目录中
RMS电流额定值。
平dBμV /平方米
衰减高频噪声，额外的输入电容
应连接至V
IN
垫和放置前
高频电感器，以形成π滤波器。其中的一个
低ESR陶瓷输入电容建议是
靠近连接到系统板。大
大容量100μF电容只需要在输入源
阻抗由长导线电感或受损
痕迹。图4示出了辐射的电磁干扰测试结果，以
符合EN55022 B类限制。对于不同的应用
系统蒸发散，输入电容可以变化，以满足不同
辐射EMI的限制。
70
60
50
40
30
20
10
0
–10
30
226.2 422.4 618.6 814.8
1010
128.1 324.3 520.5 716.7 912.9
频率（MHz）
4612 F04
EN55022 B类限制
图4.辐射发射扫描与24V
IN
to
5V
OUT
在5A （ 2
×
在V 10μF陶瓷电容器
IN
垫1
×
在V 10μF陶瓷电容器
D
垫）
4612fb
13
