LTC3789
应用信息
威世SiR422DP具有典型
DS （ ON）
0.010Ω在
T
J
= 125°C和V
GS
= 4.5V.
在QB的最大功耗发生在最大输入
电压时的电路工作在降压区域。
消散是：
V
V
OUT
P
B， BUCK
=
IN
I
输出（ MAX） 2
ρ
t
R
DS （ ON）
V
IN
R
DS （ ON）
(125°C)
＆ LT ;
1.3W
18V到
12V
18V
(5A)
2
在开关QD的功耗为：
V
P
D， BOOST
=
OUT
I
输出（最大）
V
OUT
V
IN
ρ
t
R
DS （ ON）
V
IN
2
日前，Vishay SiR484OY是QC和QD一个可能的选择。该
在5V输入电压计算功率损耗是1.3W ，然后对
QC和0.84W的QD 。
C
IN
被选择来筛选方当前在降压区域。
在这种模式下，最大输入电流的峰值是：
29%
I
IN， PEAK （ MAX ， BUCK ）
=
5A
1+
=
5.7A
2
低ESR （为10mΩ ）电容选择。输入电压
纹波为57mV （假设ESR占主导地位的波动） 。
C
OUT
选择过滤平方电流在升压
区。在这种模式下，最大输出电流的峰值是：
I
OUT ， PEAK （ MAX ， BOOST ）
=
11%
12
5
1+
=
10.6A
5
2
=
0.156
这似乎表明，一个相当小的MOSFET可以是
用QB如果我们只看功率损耗。然而，随着
图5A的电流穿过0.156Ω的电压降是0.78V ，其
装置MOSFET的体二极管导通。为了避免身体
二极管电流的流动，我们应该保持的最大电压
下降远低于0.5V ，使用，例如，威世Si4840BDY
在SO- 8封装（R
DSON （最大）
= 0.012Ω).
选择QC和QD 。
用12V的输出电压，我们需要
与MOSFET的20V或更高的评级。
最高功耗发生在最小输入电压
当电感电流是最高的。对于开关的质量控制
功耗为：
P
C， BOOST
=
(V
OUT
V
IN
)V
OUT
V
IN
2
低ESR （ 5mΩ的）电容建议。该电容
将限制输出电压纹波为53mV （假设ESR
占主导地位的波动） 。
PC板布局清单
基本的PC板布局需要一个专用的接地
面层。此外，对于高电流，多层电路板
为功率元件散热。
在接地层应该不会有任何痕迹和
应尽可能靠近，以与功率的层
的MOSFET。
将
IN
，交换机A ，交换机B和D1在一个的COM
协议的区域。地方
OUT
，开关C，开关D和D2
一个紧凑的面积。一种布局的例子示于
图12 。
使用即时通孔连接组件（包含在
cluding的LTC3789的SGND和PGND引脚）到
接地平面。用几个大孔每个电源
组件。
I
输出（ MAX） 2
ρ
t
R
DS （ ON）
+
K = V
OUT 3
I
输出（最大）
V
IN
C
RSS
f
其中C
RSS
通常是特定网络编的MOSFET manufactur-
ERS 。常数k ，其占所造成的损失
反向恢复电流，反比于该
栅极驱动电流，并且具有1.7的经验值。
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