LTC3780
应用信息
功率MOSFET选择和
英法fi效率的思考
该LTC3780需要四个外部N沟道功率
的MOSFET ，两个用于顶交换机（Switch A和D ，如图
在图1）和两个用于底部开关（开关B和C的
在图1中示出）。为电源的重要参数
MOSFET是击穿电压V
BR ， DSS
，门槛
电压V
GS ， TH
上，电阻R
DS （ ON）
，反向传输
电容C
RSS
和最大电流I
DS （ MAX）
.
的驱动电压由6V INTV设置
CC
供应量。 CON-
sequently ，逻辑电平阈值的MOSFET ，必须使用
在LTC3780的应用程序。如果输入电压预期
下降到低于5V，那么子逻辑阈值的MOSFET
应予以考虑。
为了选择功率MOSFET ，功率显示
由设备sipated必须是已知的。对于交换机A的
最大功率耗散发生在升压模式中，当
它仍保持在所有的时间。其最大功率耗散
在最大输出电流由下式给出：
V
P
A， BOOST
=
OUT
I
输出（最大）
V
IN
2
交换机B在降压模式工作的同步
整流器器。其功率在最大输出电流耗散
由下式给出：
P
B， BUCK
=
V
IN
– V
OUT
I
OUT(MAX)2
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
交换机C的工作在升压模式控制开关。其
在最大电流耗散功率由下式给出：
P
C， BOOST
=
(
V
OUT
– V
IN
)
V
OUT
V
IN2
+
K·V
OUT3
I
OUT(MAX)2
ρ
T
R
DS （ ON）
I
输出（最大）
C
RSS
f
V
IN
其中C
RSS
通常是特定网络编的MOSFET manufactur-
ERS 。常数k ，其占所造成的损失
由反向恢复电流，反比于
栅极驱动电流，并且具有1.7的经验值。
对于开关D ，最大功耗发生在
升压模式中，当它的占空比高于50％ 。其
在最大输出电流最大功率耗散
由下式给出：
V
V
P
D， BOOST
=
IN
OUT
I
输出（ MAX）的
V
OUT
V
IN
2
ρ
T
R
DS （ ON）
哪里
ρ
T
是归一化因子（统一在25℃下） AC-
在导通电阻与计数的显着变化
温度，通常为约0.4 ％/℃ ，如图9 。
为125 ℃的最高结温，用
价值
ρ
T
= 1.5是合理的。
2.0
T
归一化的导通电阻（ Ω ）
ρ
T
R
DS （ ON）
对于相同的输出电压和电流，开关A的
最高功率耗散和交换机B具有最低
功耗除非发生短路时的输出。
从已知的功率消耗在功率MOSFET ，其
可以使用下面得到的结温
公式：
T
J
= T
A
+ P R
日（ JA ）
第r
日（ JA ）
公式中使用的通常包括
第r
TH （JC）
该设备加上从热阻
的情况下对环境温度（注册商标
TH （JC）
） 。此值
的t
J
然后，可以比较原始，假定值
在迭代计算过程中使用。
1.5
1.0
0.5
0
–50
50
100
0
结温（ ° C）
150
3780 F09
图9.归
DS （ ON）
与温度
3780fe
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