LTC2145-12/
LTC2144-12/LTC2143-12
应用信息
LTC2145-12
1.25V
V
REF
2.2μF
0.625V
范围
检测
和
控制
SENSE
卜FF器
内部ADC
高参考
C2
0.1μF
5Ω
1.25V带隙
参考
在某些厂商的电容器。在图8d中的REFH和
REFL引脚短跳线在内部连接
层。为了尽量减少这些跳线的电感他们
可以放置在一个小的孔在接地平面上的
二板层。
绑到V
DD
FOR 2V范围;
TIE至GND， 1V范围内;
SENSE
为
0.625V < V
SENSE
< 1.300V
–
+
C1
+
–
+
–
REFH
REFL
0.8x
差动放大器
图8c 。推荐布局的REFH / REFL
旁通回路在图8a中
–
C3
0.1μF
REFH
REFL
+
内部ADC
低参考
C1 ： 2.2μF低电感
叉指式电容
TDK CLLE1AX7S0G225M
村田LLA219C70G225M
AVX W2L14Z225M
或同等学历
21454312 F08a
图8d 。推荐布局的REFH / REFL
旁通回路在图8b中
图8a 。参考电路
可选地，C 1可以由一个标准的2.2μF取代
REFH和REFL之间的电容器（参见图8b） 。该
电容应尽量靠近引脚越好（不
在电路板的背面） 。
图8c和图8d显示了推荐线路
电路板布局的REFH / REFL旁路电容。记
在图8c中，叉指式电容器的每一个销
（ C1 ）连接，因为该引脚没有内部连接
REFH
REFL
C1
2.2μF
C2
0.1μF
LTC2145-12
V
REF
2.2μF
LTC2145-12
1.25V
外
参考
SENSE
1μF
21454312 F09
图9.使用外部1.25V参考
编码输入
的编码的输入信号的质量强烈影响
A / D转换噪声性能。编码输入应
被当作模拟信号 - 下一步不将它们路由
数字轨迹在电路板上。有两种模式
操作用于编码输入的：在差分编码
模式（图10） ，并且所述单端的编码模式
（图11） 。
差分编码模式建议用于Si-所示
nusoidal ， PECL ， LVDS或编码输入（图12和
图13）。编码输入在内部偏置到1.2V
21454312p
C3
0.1μF
REFH
REFL
21454312 F08b
电容器是0402封装尺寸
图8b 。另类REFH / REFL旁路电路
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