LTC2159
引脚功能
（引脚是相同的所有数字输出模式）
V
CM
（引脚1 ） ：
共模偏置输出。名义上
等于V
DD
/2. V
CM
应该用于偏压的共同
的模拟输入模式。旁路至地用一个0.1μF
陶瓷电容器。
A
IN +
（引脚2 ） ：
正差分模拟输入。
A
IN-
（引脚3 ） ：
负差分模拟输入。
GND （引脚4 ， 10 ， 11 ， 14 ， 20 ， 43 ，裸露焊盘引脚49 ） ：
ADC电源地。裸露焊盘必须焊接
到印刷电路板接地。
REFH （引脚5,7） ：
ADC参考。请参阅应用
对于推荐的旁路系统蒸发散信息部分
电路的REFH和REFL 。
REFL （引脚6,8） ：
ADC参考低。请参阅应用
推荐旁路电路部分信息
对于REFH和REFL 。
PAR / SER （ 9针） ：
编程模式选择引脚。 CON-
NECT到地能串行编程模式。
CS ，
SCK ， SDI ， SDO成为控制串行接口
在A / D工作模式。连接到V
DD
使
并行编程模式，
CS ，
SCK ， SDI ， SDO
成为平行的逻辑输入，用于控制一组减少
在A / D工作模式。 PAR / SER应该连接
直接接地或V
DD
并且不能由一个逻辑信号驱动。
V
DD
（引脚12 ， 13 ， 47 ， 48 ） ：
模拟电源， 1.7V
到1.9V 。旁路至地0.1μF的陶瓷电容。
相邻引脚可以共享一个旁路电容。
ENC
+
（引脚15 ） ：
编码输入。转换开始于
上升沿。
ENC
–
（引脚16 ） ：
补编码输入。转变
开始下降沿。领带GND为单端
编码模式。
CS
（引脚17 ） ：
串行接口芯片选择输入。在串行
编程模式（ PAR / SER = 0V ） ，
CS
是串行接
terface片选输入。当
CS
低， SCK被启用
关于SDI转换数据到模式控制寄存器。
在并行编程模式（ PAR / SER = V
DD
),
CS
控制时钟占空比稳定器（见表2） 。
CS
可驱动1.8V至3.3V逻辑。
SCK （引脚18 ） ：
串行接口的时钟输入。在串行
编程模式， （ PAR / SER = 0V ） ， SCK是串行
接口时钟输入。在并行编程模式
（ PAR / SER = V
DD
） ，SCK控制数字输出模式
（见表2）。 SCK可驱动1.8V至3.3V逻辑。
SDI （引脚19 ） ：
串行接口数据输入。在串行编程
鸣模式， （PAR / SER = 0V ） ， SDI是串行接口
数据输入。在SDI数据锁存到模式控制
登记在SCK的上升沿。在并行编程
明模式（ PAR / SER = V
DD
），SDI可以一起使用
与SDO断电的部分（表2） 。 SDI可
驱动1.8V至3.3V逻辑。
OGND （引脚31 ） ：
输出驱动器接地。必须短
由一个非常低的电感路径接地平面。利用
多个过孔靠近引脚。
OV
DD
（引脚32 ） ：
输出驱动器电源。旁路到地
用一个0.1μF的陶瓷电容。
SDO （引脚44 ） ：
串行接口数据输出。在串行亲
编程模式， （ PAR / SER = 0V ） ， SDO是可选的
串行接口的数据输出。在SDO数据从读回
模式控制寄存器，并且可以在下降沿继续被锁定
荷兰国际集团SCK的边缘。 SDO是一个漏极开路NMOS输出
需要一个外部2K上拉电阻为1.8V - 3.3V 。如果
从模式控制寄存器并不需要读回，
的上拉电阻是没有必要和SDO可以留
悬空。在并行编程模式（ PAR / SER
= V
DD
） ， SDO可一起使用的SDI断电
的部分（表2） 。当作为输入使用时，SDO可以
通过1K串联电阻驱动1.8V至3.3V逻辑。
V
REF
（引脚45 ） ：
参考电压输出。绕道
接地通过一个2.2μF陶瓷电容器。输出电压
名义上是1.25V 。
SENSE （引脚46 ） ：
参考编程引脚。连
SENSE到V
DD
选择内部基准和一个± 1V输入
范围内。连接SENSE地选择内部
基准和一个± 0.5V的输入范围。外部参考
0.625V和1.3V之间施加SENSE选择一个
为± 0.8 V输入范围
SENSE
.
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