LTC5592
应用信息
L1A和L2A值列于图1为VARI-
OU中的IF频率。测得的IF输出回波损耗
为带通IF匹配绘制在图9 。
表3. IF输出阻抗与频率
频率（MHz）
90
140
190
240
300
380
450
0
回波损耗（分贝）
V
CCIFA
3.1 5.3V
C6
L1A
R2A
C9A
T1A
4:1
C5A
L2A
IFA
50Ω
迪FF erential输出
阻抗（R
IF
|| X
IF
(C
IF
))
403 || - j610 （ 2.9pF ）
384 || - j474 （ 2.4pF ）
379 || - j381 （ 2.2pF ）
380 || - j316 （ 2.1pF ）
377 || - j253 （ 2.1pF ）
376 || - J210 （ 2.0pF ）
360 || - j177 （ 2.0pF ）
–5
22
IFA
+
21
LTC5592
IFA
–
5592 F10
图10.中频输出与低通匹配
0
180nH
–10
68nH
–5
回波损耗（分贝）
–10
270nH
–15
150nH
100nH
–20
56nH
33nH
–25
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
频率（MHz）
5592 F09
–15
82nH + 1K
–20
100nH
–25
0
50
100
150
频率（MHz）
200
250
5592 F11
22nH
图11.如果有匹配的低通输出回波损耗
图9.如果与带通匹配输出回波损耗
板（见图2 ）被布置以容纳
这种匹配拓扑结构只有轻微的修改。
中频放大器偏置
IF放大器提供了出色的性能与V
CCIF
= 3.3V ，它允许一个单一的电源要用于V
CC
和
V
CCIF
。在V
CCIF
= 3.3V时，混频器的RF输入端的P1dB是
受限的输出电压摆动。对于更高的P1dB ，在
这种情况下，电阻R2A （图7）可以被用来减少
的输出阻抗，因此，电压摆幅，这样就
完善的P1dB 。权衡改进的P1dB会
低转换增益。
随着V
CCIF
增加了3分贝至5V的P1dB的增加，
在更高的功率消耗为代价的。混频器的P1dB
表现在1950MHz和2350MHz被列在表
4 V
CCIF
3.3V和5V的值。最高转换
增益，高Q绕线型片式电感器推荐
为L1A和L2A 。低成本的多层片式电感器可
被取代的，具有轻微减少的转换增益。
5592f
低通IF匹配
对于如果低于90MHz的频率下，电感值
成为不合理的高和低通拓扑
图10所示是优选的。这种拓扑结构也可以
提供更好的RF至IF和LO至IF隔离。 V
CCIFA
1变压器：通过4的中心抽头供给。
低通阻抗变换是通过并联实现
元素R2A和C9A （与内部的RIF平行
和CIF ） ，以及串联电感L1A和L2A 。电阻器
R2A是用来减少更大的IF输出电阻
带宽，或者可以为最高转换省略
锡永的增益。最后的阻抗变换为50Ω的
通过变压器T1A实现。测得的回波损耗
示于图11为电感的不同值
（ C9A =打开）。有82nH的电感器和一个1K的情况下
负载电阻器（ R2A ）还示出。该LTC5592演示
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