LTC5590
应用信息
用V表4.性能比较
CCIF
= 3.3V和5V
（ RF = 900MHz的高边LO ， IF = 190MHz ）
V
CCIF
(V)
3.3
5
R2A
(Ω)
开放
1k
开放
I
CCIF
（MA ）
191
191
200
G
C
（ dB）的
8.7
7.5
8.7
P1dB
（ dBm的）
10.7
11.4
14.1
IIP3
（ dBm的）
26.0
26.0
25.5
NF
（ dB）的
9.7
9.75
9.8
当我
SEL
被设置为低（ <0.3V ） ，两个通道的工作
标称直流电流。当我
SEL
被设置为高（ >2.5V ），直流
电流在两个通道中被减少，从而减少了功率
消费。在低功耗模式下的性能，
通常功率模式进行比较，在表6中。
V
CCA
19
LTC5590
该IFBA引脚（引脚20 ）可用于降低DC
中频放大器器的电流消耗为代价
IIP3 。在20引脚的额定直流电压为2.1V ，而该引脚
应留给开路，以获得最佳的性能。
内部偏置电路产生用于在4mA参考
IF放大器，这将导致放大器绘制近似
三方共同100mA电流。如果电阻R1A连接到引脚20为
在图7中示出，该参考电流的一部分可以
被分流到地，从而降低了IF放大器
电流。例如， R1A = 1K会分流走1.5毫安
从引脚20和IF放大器的电流将减小
由38 ％至约62毫安。表5总结了射频
性能与IF放大器的电流。
与降低中频放大器电流表5.搅拌机性能
RF = 900MHz的高边LO ， IF = 190MHz ，V
CC
= V
CCIF
= 3.3V
R1
开放
4.7kΩ
2.2kΩ
1kΩ
I
CCIF
（MA ）
95.5
86.5
78.3
68.6
G
C
（ dB）的
8.7
8.7
8.6
8.5
IIP3
（ dBm的）
26.0
25.6
25.0
24.1
P1dB
（ dB）的
10.7
10.6
10.6
10.5
NF
（ dB）的
9.7
9.7
9.6
9.6
I
SEL
18
500
偏见
V
建行
BIAS B
5590 F13
图12.我
SEL
接口示意图
表6.性能不同的功耗模式之间的比较
RF = 900MHz的高边LO ， IF = 190MHz ，V
CC
= V
CCIF
= 3.3V
I
SEL
低
高
I
CCIF
（MA ）
376
239
G
C
（ dB）的
8.7
7.7
IIP3
（ dBm的）
26.0
21.5
P1dB
（ dBm的）
10.7
10.4
NF
（ dB）的
9.7
9.9
启用接口
图13示出了ENA引脚的简化示意图
接口（ ENB是相同的） 。为使通道A中， ENA
电压必须大于2.5V 。如果使能功能
不是必需的，使能引脚可以直接连接
到V
CC
。在使能引脚上的电压不能超过
电源电压（V
CC
）超过0.3V。如果这
V
CCA
19
ESD
钳
500
LTC5590
RF = 1400MHz的，低端LO ， IF = 190MHz ，V
CC
= V
CCIF
= 3.3V
R1
开放
4.7kΩ
2.2kΩ
1kΩ
I
CCIF
（MA ）
95.5
86.4
78.2
68.5
G
C
（ dB）的
8.4
8.5
8.5
8.4
IIP3
（ dBm的）
27.3
26.8
26.2
25.1
P1dB
（ dBm的）
11
10.9
10.9
10.8
NF
（ dB）的
9.7
9.6
9.6
9.6
ENA
17
低电流模式
两个混频器信道可以被设置到低电流模式US-
荷兰国际集团的我
SEL
引脚。这允许灵活地选择降低
动作的电流模式时低的RF性能是
可接受的，功耗降低36％。身材
图12示出在I的简化示意图
SEL
针接口。
5590 F13
图13.我
SEL
接口示意图
5590p
17
