MC74LVX04
六反相器
与5 V容限输入
该MC74LVX04是一种先进的高速CMOS六反相器。
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
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高速：吨
PD
= 4.1纳秒（典型值），在V
CC
= 3.3 V
低功耗：我
CC
= 2
mA
（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
低噪音： V
OLP
= 0.5 V （最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能：
人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
这些器件是无铅和符合RoHS标准
LVX
低电压CMOS
记号
图表
14
14
1
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
14
1
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ14
M后缀
CASE 965
1
LVX08 =具体设备守则
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
Y
=年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
LVX08
ALYWG
LVX
08
ALYWG
G
LVX08G
AWLYWW
14
1
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年5月
启示录6
1
出版订单号：
MC74LVX04/D
MC74LVX04
V
CC
14
A5
13
O5
12
A4
11
O4
10
A3
9
O3
8
引脚名称
引脚
An
On
1
A0
2
O0
3
A1
4
O1
5
A2
6
O2
7
GND
功能
数据输入
输出
图1. 14引脚引脚
（ TOP VIEW ）
A0
A1
A2
A3
A4
A5
1
3
5
9
11
13
2
4
6
8
10
12
O0
O1
O2
O3
O4
O5
功能表
An
L
H
On
H
L
图2.逻辑图
订购信息
设备
MC74LVX04DR2G
MC74LVX04DTR2G
MC74LVX04MG
MC74LVX04MELG
包
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
SOEIAJ14
（无铅）
SOEIAJ14
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
最大额定值
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
功耗
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
DT / DV
V
OH
V
CC
V
OL
V
OUT
V
IH
I
CC
V
IL
V
in
T
A
I
in
低电平输出电压
(V
in
= V
IH
或V
IL
)
静态电源电流
输入漏电流
高电平输出电压
(V
in
= V
IH
或V
IL
)
低电平输入电压
高电平输入电压
输入上升和下降时间
工作温度，所有封装类型
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
I
OH
=
50
mA
I
OH
=
50
mA
I
OH
=
4
mA
I
OL
= 50
mA
I
OL
= 50
mA
I
OL
= 4毫安
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5 V或GND
测试条件
参数
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MC74LVX04
3
V
CC
(V)
3.6
3.6
2.0
3.0
3.0
2.0
3.0
3.0
2.0
3.0
3.6
2.0
3.0
3.6
1.9
2.9
2.58
民
1.5
2.0
2.4
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
2.0
3.0
0.1
0.1
0.36
±0.1
0.5
0.8
0.8
最大
2.0
-0.5到V
CC
+0.5
民
40
2.0
T
A
=
40
至85℃
0
0
0
-65到+150
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
1.9
2.9
2.48
民
1.5
2.0
2.4
价值
$50
$25
$20
180
20
最大
V
CC
+85
100
5.5
3.6
0.1
0.1
0.44
20.0
±1.0
0.5
0.8
0.8
最大
NS / V
单位
单位
单位
mW
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MC74LVX04
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
T
A
= 25°C
典型值
5.4
7.9
4.1
6.6
T
A
=
40
至85℃
民
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
12.5
16.0
7.5
11.0
1.5
1.5
测试条件
民
最大
单位
ns
传播延迟，输入到
产量
V
CC
= 2.7 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
10.1
13.6
6.2
9.7
1.5
1.5
V
CC
= 3.3
$0.3
v C案例
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
t
OSHL
t
OSLH
输出至输出扭曲
（注1 ）
V
CC
= 2.7V
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3
$0.3
v C案例
L
= 50 pF的
ns
1.斜度被定义为实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。
本说明书适用于任何输出以相同的方向切换，无论是高到低（叔
OSHL
）或低到高（T
OSLH
） ;参数
通过设计保证。
T
A
= 25°C
典型值
4
T
A
=
40
至85℃
民
最大
10
符号
参数
民
最大
10
单位
pF
pF
CIN
输入电容
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
18
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 6 （每个缓冲区） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
电容特性
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒，C
L
= 50 pF的，V
CC
= 3.3 V ，测量SOIC封装）
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
特征
典型值
0.3
0.3
最大
0.5
0.5
2.0
0.8
单位
V
V
V
V
测试点
A
V
CC
50%
t
PLH
O
50% V
CC
包括所有探测和夹具电容
t
PHL
GND
设备
下
TEST
产量
C
L
*
图3.开关波形
图4.测试电路
http://onsemi.com
4
MC74LVX04
包装尺寸
SOIC14
CASE 751A -03
ISSUE
A
14
8
B
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
1
7
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出BE 0.127
（ 0.005 ）总计超过的D
DIMENSION最大材料
条件。
G
C
T
座位
飞机
R
X 45
_
F
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
K
T B
S
M
A
S
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0
_
7
_
0.228 0.244
0.010 0.019
焊接足迹
7X
7.04
1
0.58
14X
14X
1.52
1.27
沥青
外形尺寸：毫米
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
