M35080
8千位串行SPI总线EEPROM
随着增量寄存器
初步数据
s
兼容SPI总线串行接口
（正时钟SPI模式）
单电源电压： 4.5 V至5.5 V
5 MHz的时钟速率（最大）
16个16位寄存器增量
字节和页写（最多32个字节）
（除了增量寄存器）
自定时编程周期
的状态寄存器硬件保护
调整大小只读EEPROM区
增强的ESD保护
100万擦除/写周期（最小）
40年的数据保存（最低）
s
s
s
s
8
1
PSDIP8 （ BN ）
0.25毫米框架
s
s
s
s
s
s
8
1
SO8 （ MN ）
150密耳宽
描述
在35080装置由低1024x8位
动力
EEPROM ，
装配式
同
意法半导体专有的高耐用性
双多晶硅CMOS技术。
该装置由一个简单的SPI - compati-访问
均衡器的串行接口。总线信号包括一
串行时钟输入端（ C）中，串行数据输入端（D）和一
串行数据输出（Q） ，如表1所示。
该器件被选中当片选输入
（S ）为低。在低数据移入
时钟的高电平的跳变， C.数据逐个从
在高的时钟的低转换。
图1.逻辑图
VCC
表1.信号名称
C
D
Q
S
W
V
CC
V
SS
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
芯片选择
写保护
电源电压
地
D
C
M35080
S
W
Q
VSS
AI02143
1999年6月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M35080
图2. DIP和SO连接
信号说明
串行输出（ Q）
输出引脚用于传输数据串行地出
的存储器中。数据移出在下降
串行时钟的边缘。
串行输入（ D）
输入引脚，用于传输数据连续到
该设备。指令，地址和数据
要写入的，每个都接收这种方式。输入
锁定在串行时钟的上升沿。
串行时钟（ C）
串行时钟提供定时的串行
接口（如在图3中示出）。说明， AD-
衣服，或数据被锁存，从输入引脚上
在时钟输入的上升沿。该输出数据
在Q的下降沿之后脚状态改变
时钟输入。
芯片选择（ S）
当S为高电平时，存储装置的选择取消，
和Q输出引脚处于高阻抗保持
状态。除非内部写操作被理解
方式中，存储装置被放置在它的待机
功率模式。
上电后，在S高到低转换为重
任何操作开始之前quired 。
写保护（ W）
存储装置的保护功能是
总结于表3中。
硬件写保护，通过在W控制
脚，限制了写访问状态寄存器
M35080
VSS
S
W
Q
1
2
3
4
8
7
6
5
AI02144B
VCC
D
C
NC
注：1， NC =不连接。
该内存被组织在32个字节的页面。
然而，在第一页中不相同的处理
方式与他人。相反，它被认为是CON组
SIST 16个16位增量寄存器。每
寄存器可以使用常规的修改
写指令，但新的价值只会
如果它是大于当前值被接受。
因此，每个寄存器被限制在被修改
单调向上。
这是在应用中，有必要有用
实现了从保护计数器
欺诈性篡改（如在汽车的里程表，
一个电表，或者理货剩余学分） 。
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
T
领导
V
O
V
I
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
焊接温度焊接过程中
输出电压范围
输入电压范围
电源电压范围
静电放电电压（人体模型）
2
静电放电电压（机器型号）
3
PSDIP8 ： 10秒
SO8 ： 40秒
价值
-40至125
-65到150
260
215
-0.3到V
CC
+0.6
-0.3 6.5
-0.3 6.5
4000
400
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和
其他相关的质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100pF的， 1500W ） 。
3. EIAJ IC- 121 （条件C ） （ 200pF的， 0W ） 。
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表3.写保护控制
W
0或1
1
0
SRWD
位
0
1
1
数据字节
模式
软件
保护
（ SPM）的
五金
保护
（ HPM ）
状态寄存器
保护区
可写（如果WREN
指令集
WEL位）
硬件写保护
软件写保护
由BP0和BP1位
状态寄存器
硬件写保护
由BP0和BP1位
状态寄存器
未受保护区
可写（如果WREN
指令集
WEL位）
可写（如果WREN
指令集
WEL位）
（虽然还没到WIP和WEL位，这是
设置或通过该器件的内部逻辑复位） 。
第7位的状态寄存器（如表4所示）的是
状态寄存器写禁止位（ SRWD ） 。
当它被设置为0 （其初始出厂状态）是
可以写入到状态寄存器，如果WEL
位（写使能锁存器）已设置了
WREN指令（不论级别为中
施加到W输入）。
当状态寄存器的第7位（ SRWD ）被设置为
1 ，写入到状态寄存器中的能力，取决于
对逻辑电平被提出引脚W：
- 如果W引脚为高电平时，也可以写入到台站
土族注册，使用在已经设置WEL位
WREN指令（写使能锁存器） 。
- 如果W引脚为低电平时，任何试图修改状态
寄存器是由设备，忽略即使
WEL位被置位。其结果是，所有的
在EEPROM中的区域中的数据字节数，由保护
地位的BP1和BP0位的寄存器，是
同样的硬件保护，防止数据损坏
化，并显示为只读EEPROM区
微控制器。这种模式被称为
硬件保护模式（ HPM ） 。
有可能进入受保护的硬件
模式（HPM ）或者通过设置SRWD位后
拉低了W引脚，或通过拉低了W引脚
设置SRWD位之后。
中止保护硬件的唯一途径
模式，一旦进入，就是拉大的W引脚。
如果W引脚被永久地连接到高电平时，该
硬件保护模式是从来没有激活，
存储装置只允许用户保护
所述存储器的一部分，使用BP1和BP0位的
状态寄存器，在软件保护
模式（SPM） 。
重要提示：
如果W引脚悬空，而不是由驱动
该应用程序中，W是读为一个逻辑“0”。
表4.状态寄存器的格式
b7
SRWD
UV
X
INC。
BP1
BP0
WEL
b0
WIP
注： 1， BP0 ， BP1 ：读写位
2.紫外线， INC。 ， WEL ， WIP ：只读位。
3. SRWD ：读取和写入位。
图3.数据和时钟时序
CPOL
CPHA
0
0
C
1
1
C
D或Q
最高位
最低位
AI01438
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M35080
图4. EEPROM和SPI总线
SPI接口与
（ CPOL ， CPHA ） =
（'0' ， '0'）或（' 1'，' 1'）
D
Q
C
主
（ ST6 ， ST7 ， ST9 ，
ST10 ，其他）
Q D
M35xxx
Q D
M35xxx
S
Q D
M35xxx
S
CS3
CS2
CS1
S
AI02148C
操作
所有指令，地址和数据被移位SE-
rially和缩小芯片（沿总线，如
在图4中示出）。最显著位是预
sented首先，与数据输入端（ D）的上采样的
第一个上升时钟（ C）的边缘芯片SE-后
择（S）变为低电平（见图5，图9 ，
和图12）。
每条指令，如概括在表5中，开始
以单字节代码。如果无效的指令是
发送（一个不包含在表5中） ，该芯片自动
matically取消选择本身。
该指令代码通过数据输入输入
（D）中，并锁在时钟的上升沿IN-
把（ C） 。输入的指令代码，该设备
必须事先选择（S保持低电平） 。
保护的前32个字节的
第一个32字节的页被组织成16个字
（ 2每字节）。每个字的初始含量
此页面上为0000h 。当写入字节对，
逻辑比较器验证该新的2字节
值比当前存储的值大。如果
新的值是比当前更小，没有
进行操作。这是不可能写
值比前一个低，不论
W引脚和状态寄存器的状态，如图所示
在表6中。
写使能（ WREN）和写禁止（ WRDI ）
写使能锁存器，存储装置内，
必须先设置为每次写入和WRSR能操作
通报BULLETIN 。 WREN指令（写使能）套
此锁存器和WRDI指令（写入禁止）
复位。
表5.指令集
指令
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
写
Wrinc
描述
设置写使能锁存
复位写使能锁存
读状态寄存器
写状态寄存器
从存储阵列中读取数据
将数据写入存储器阵列
将数据写入到阵列的安全
指令格式
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 0010
0000 0111
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M35080
图5.读EEPROM阵列的操作顺序
S
0
C
指令
16位地址
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
D
高阻抗
Q
15 14 13
3
2
1
0
数据输出
7
最高位
AI01793
6
5
4
3
2
1
0
注意事项： 1。最显著的地址位， A15 - A10 ，被视为不在乎。
锁存器变得由以下任一复位
事件：
开机
- WRDI指令完成
- WRSR指令完成
- 写指令完成。
一旦WREN或WRDI指令重
可察觉，存储装置首先执行在 -
梁支，然后进入等待模式，直到设备
被取消。
读状态寄存器（ RDSR ）
RDSR指令允许状态寄存器
是读取，并且可以在任何时间进行发送，即使在
写操作。事实上，当一个写在
进展，所以建议的值
写在制品（ WIP ）位进行检查。值
在WIP位（其位置在状态寄存器
示于表4）可以连续地轮询
之前发送一个新的写指令。这可以
以两种方式之一进行：
s
重复RDSR指令（每一个
自由S被拉低，C作为其时钟
8倍的指令和8倍的
读操作和S正在采取高）
s
一个单一的，长期RDSR指令
（自由S被拉低，C是
主频8倍的指令，并保持
运行重复读操作），如
在图6中示出。
写在制品（ WIP ）位是只读的，而
表示内存是否忙于写
操作。 '1'表示一个写操作正在进行，
和“0”没有写入时这一点。
写使能锁存器（ WEL ）位表明
写状态使能锁存器。它也为只读。
其值可以仅由其中一个事件来改变
上市较早，或作为执行WREN或结果
WRDI指令。它不能被利用变
WRSR指令。 '1'表示该锁存器
设置（即将写入指令将exe-
cuted ） ，和一个“0” ，它被复位（和任何forthcom-
荷兰国际集团写指令将被忽略） 。
块保护（ BP0和BP1 ）位指示
记忆中这是量被写保护─
ED 。这两个位是非易失性的。它们设置
使用WRSR指令。
在写操作（无论是对
存储器区域或状态寄存器）的所有位
状态寄存器保持有效，并且可以读
使用RDSR指令。然而，在一
写操作时，非挥发性的比特的值
表6.内存映射
地址
000h-01Fh
020h-3FFh
保护
增量区域：一个字（2字节）仅可写入，如果新的值写较大
比已经存储的值
除了一个如表7中没有具体的保护
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