K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
文档标题
128K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
最初的草案
敲定
- 增加了我
SB
, I
DR
商业部分= 10μA
工业部分= 20μ
A
修改
- 更改速度斌
KM68V1000C系列： 70 / 85ns
→
70/100ns
KM68U1000C系列： 70 / 100纳秒
→
85/100ns
- 改进工作电流： 40毫安
→
35mA
- 改进了功耗
P
D
: 0.7W
→
1.0W
- 改进的待机电流
扩展/工业： 20
→
10
A
- VIL ： 0.4V
→
0.6V
数据稿
1996年7月3日
1996年12月16日
备注
初步
最终科幻
2.0
1997年11月25日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
2.0版
1997年11月
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
128K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
工艺技术： 0.4μm的CMOS
组织： 128K X8
电源电压：
K6T1008V2C系列： 3.0 3.6V
K6T1008U2C系列： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - SOP- 525 ， 32 TSOP1-0820F / R ，
32-TSOP1-0813.4F/R
CMOS SRAM
概述
该K6T1008V2C和K6T1008U2C家庭被制作
三星先进的CMOS工艺技术。该fami-
在于支持各种操作的温度范围和有
系统设计的灵活性，用户的各种封装类型。该
家人也支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6T1008V2C-B
K6T1008U2C-B
K6T1008V2C-D
K6T1008U2C-D
K6T1008V2C-F
K6T1008U2C-F
Industrial(-40~85°C)
Extended(-25~85°C)
工作温度
VCC范围
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
速度
70/100ns
85/100ns
70/100ns
85/100ns
70/100ns
85/100ns
10A
35mA
32-SOP
32-TSOP1-F/R
32-sTSOP1-F/R
待机
(I
SB1
，最大值）
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
Commercial(0~70°C)
引脚说明
A11
A9
A8
A13
WE
VCC CS2
A15
A15 VCC
CS2 NC
A16
WE A14
A12
A13 A7
A6
A8
A5
A9
A4
A11
OE
A4
A10 A5
A6
CS1 A7
I / O8 A12
A14
I / O7 A16
NC
I/O6
VCC
I / O5 A15
CS2
I / O4我们
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS1
A10
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
N.C
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
A4
A5
A6
A7
A8
A12
A13
A14
A15
A16
32-TSOP
32-
S
TSOP
Type1-Forward
V
CC
V
SS
存储阵列
1024行
128 × 8列
ROW
SELECT
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
I / O
1
I / O
8
32-TSOP
32-
S
TSOP
Type1-Reverse
数据
CONT
I / O电路
列选择
A10 A0
A1
A2 A3 A9
A11
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
A
0
~A
16
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
N.C
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS1
CS2
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2.0版
1997年11月
2
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
产品列表
商业温度产品
(0~70°C)
部件名称
K6T1008V2C-GB70
K6T1008V2C-GB10
K6T1008V2C-TB70
K6T1008V2C-TB10
K6T1008V2C-RB70
K6T1008V2C-RB10
K6T1008U2C-GB85
K6T1008U2C-GB10
K6T1008U2C-TB85
K6T1008U2C-TB10
K6T1008U2C-RB85
K6T1008U2C-RB10
K6T1008V2C-YB70
K6T1008V2C-YB10
K6T1008V2C-NB70
K6T1008V2C-NB10
K6T1008U2C-YB85
K6T1008U2C-YB10
K6T1008U2C-NB85
K6T1008U2C-NB10
CMOS SRAM
工业温度产品
(-40~85°C)
部件名称
K6T1008V2C-GF70
K6T1008V2C-GF10
K6T1008V2C-TF70
K6T1008V2C-TF10
K6T1008V2C-RF70
K6T1008V2C-RF10
K6T1008U2C-GF85
K6T1008U2C-GF10
K6T1008U2C-TF85
K6T1008U2C-TF10
K6T1008U2C-RF85
K6T1008U2C-RF10
K6T1008V2C-YF70
K6T1008V2C-YF10
K6T1008V2C-NF70
K6T1008V2C-NF10
K6T1008U2C-YF85
K6T1008U2C-YF10
K6T1008U2C-NF85
K6T1008U2C-NF10
扩展温度产品
(-25~85°C)
部件名称
K6T1008V2C-GD70
K6T1008V2C-GD10
K6T1008V2C-TD70
K6T1008V2C-TD10
K6T1008V2C-RD70
K6T1008V2C-RD10
K6T1008U2C-GD85
K6T1008U2C-GD10
K6T1008U2C-TD85
K6T1008U2C-TD10
K6T1008U2C-RD85
K6T1008U2C-RD10
K6T1008V2C-YD70
K6T1008V2C-YD10
K6T1008V2C-ND70
K6T1008V2C-ND10
K6T1008U2C-YD85
K6T1008U2C-YD10
K6T1008U2C-ND85
K6T1008U2C-ND10
功能
32 - SOP ，为70ns ， 3.3V
32 - SOP ，为100ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
32 - SOP ， 85ns ， 3.0V
32 - SOP ，为100ns ， 3.0V
32 - TSOP楼85ns ， 3.0V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
32 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为70ns ， 3.3V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为70ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.3V
32 sTSOP楼85ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.0V
32 sTSOP R， 85ns ， 3.0V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.0V
功能
32 - SOP ，为70ns ， 3.3V
32 - SOP ，为100ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
32 - SOP ， 85ns ， 3.0V
32 - SOP ，为100ns ， 3.0V
32 - TSOP楼85ns ， 3.0V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
32 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为70ns ， 3.3V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为70ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.3V
32 sTSOP楼85ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.0V
32 sTSOP R， 85ns ， 3.0V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.0V
功能
32 - SOP ，为70ns ， 3.3V
32 - SOP ，为100ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
32 - SOP ， 85ns ， 3.0V
32 - SOP ，为100ns ， 3.0V
32 - TSOP楼85ns ， 3.0V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
32 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为70ns ， 3.3V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为70ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.3V
32 sTSOP楼85ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.0V
32 sTSOP R， 85ns ， 3.0V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.0V
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是高或低的状态。 ）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
供应相对于VCC电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC
+0.5
-0.3 4.6
1.0
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
T
SOLDER
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
K6T1008V2C-B/K6T1008U2C-B
K6T1008V2C-D/K6T1008U2C-D
K6T1008V2C-F/K6T1008U2C-F
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
2.0版
1997年11月
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
K6T1008V2C家庭
K6T1008U2C家庭
所有的家庭
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
民
3.0
2.7
0
2.2
-0.3
3)
CMOS SRAM
典型值
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
2)
0.6
单位
V
V
V
V
1.商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，除非另有说明
扩展产品：T已
A
= -25至85℃ ，除非另有说明
工业产品：T已
A
= -40至85℃ ，除非另有说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns
3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns
4.过冲和下冲采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1
。电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
白细胞介素，
V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IL
或V
IH
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥V
CC
-0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
读
写
-
-
2.2
-
-
测试条件
民
-1
-1
-
-
典型值
-
-
2
1.5
10
25
-
-
-
0.3
最大
1
1
5
5
15
35
0.4
-
0.3
10
mA
V
V
mA
A
单位
A
A
mA
mA
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH ，
CS
2
=V
IL
,
其他输入= V
IL
或V
IH
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
4
2.0版
1997年11月
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，扩展产品：T已
A
= -25 85°C ，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃下
K6T1008V2C家庭： VCC = 3.0 3.6V ， K6T1008U2C家庭： VCC = 2.7 3.3V ）
速箱
参数表
符号
70ns
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO1
, t
CO2
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
85
-
-
-
10
5
0
0
15
85
70
0
70
60
0
0
35
0
5
85ns
最大
-
85
85
40
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
100ns
民
100
-
-
-
10
5
0
0
15
100
80
0
80
70
0
0
40
0
5
最大
-
100
100
50
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
CS
1
1)
≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
,
CS
2
≥V
CC
-0.2V ，或CS
2
≤0.2V
看到数据保存波形
测试条件
1)
民
2.0
-
0
5
典型值
-
0.3
-
-
最大
3.6
5
-
-
单位
V
A
ms
1. CS
1
≥Vcc-0.2V
,
CS
2
≥V
CC
-0.2V ，或CS
2
≤0.2V
5
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K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
文档标题
128K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
最初的草案
敲定
- 增加了我
SB
, I
DR
商业部分= 10μA
工业部分= 20μ
A
修改
- 更改速度斌
KM68V1000C系列： 70 / 85ns
→
70/100ns
KM68U1000C系列： 70 / 100纳秒
→
85/100ns
- 改进工作电流： 40毫安
→
35mA
- 改进了功耗
P
D
: 0.7W
→
1.0W
- 改进的待机电流
扩展/工业： 20
→
10
A
- VIL ： 0.4V
→
0.6V
数据稿
1996年7月3日
1996年12月16日
备注
初步
最终科幻
2.0
1997年11月25日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
2.0版
1997年11月
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
128K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
工艺技术： 0.4μm的CMOS
组织： 128K X8
电源电压：
K6T1008V2C系列： 3.0 3.6V
K6T1008U2C系列： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - SOP- 525 ， 32 TSOP1-0820F / R ，
32-TSOP1-0813.4F/R
CMOS SRAM
概述
该K6T1008V2C和K6T1008U2C家庭被制作
三星先进的CMOS工艺技术。该fami-
在于支持各种操作的温度范围和有
系统设计的灵活性，用户的各种封装类型。该
家人也支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6T1008V2C-B
K6T1008U2C-B
K6T1008V2C-D
K6T1008U2C-D
K6T1008V2C-F
K6T1008U2C-F
Industrial(-40~85°C)
Extended(-25~85°C)
工作温度
VCC范围
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
速度
70/100ns
85/100ns
70/100ns
85/100ns
70/100ns
85/100ns
10A
35mA
32-SOP
32-TSOP1-F/R
32-sTSOP1-F/R
待机
(I
SB1
，最大值）
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
Commercial(0~70°C)
引脚说明
A11
A9
A8
A13
WE
VCC CS2
A15
A15 VCC
CS2 NC
A16
WE A14
A12
A13 A7
A6
A8
A5
A9
A4
A11
OE
A4
A10 A5
A6
CS1 A7
I / O8 A12
A14
I / O7 A16
NC
I/O6
VCC
I / O5 A15
CS2
I / O4我们
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS1
A10
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
N.C
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
A4
A5
A6
A7
A8
A12
A13
A14
A15
A16
32-TSOP
32-
S
TSOP
Type1-Forward
V
CC
V
SS
存储阵列
1024行
128 × 8列
ROW
SELECT
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
I / O
1
I / O
8
32-TSOP
32-
S
TSOP
Type1-Reverse
数据
CONT
I / O电路
列选择
A10 A0
A1
A2 A3 A9
A11
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
A
0
~A
16
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
N.C
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS1
CS2
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2.0版
1997年11月
2
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
产品列表
商业温度产品
(0~70°C)
部件名称
K6T1008V2C-GB70
K6T1008V2C-GB10
K6T1008V2C-TB70
K6T1008V2C-TB10
K6T1008V2C-RB70
K6T1008V2C-RB10
K6T1008U2C-GB85
K6T1008U2C-GB10
K6T1008U2C-TB85
K6T1008U2C-TB10
K6T1008U2C-RB85
K6T1008U2C-RB10
K6T1008V2C-YB70
K6T1008V2C-YB10
K6T1008V2C-NB70
K6T1008V2C-NB10
K6T1008U2C-YB85
K6T1008U2C-YB10
K6T1008U2C-NB85
K6T1008U2C-NB10
CMOS SRAM
工业温度产品
(-40~85°C)
部件名称
K6T1008V2C-GF70
K6T1008V2C-GF10
K6T1008V2C-TF70
K6T1008V2C-TF10
K6T1008V2C-RF70
K6T1008V2C-RF10
K6T1008U2C-GF85
K6T1008U2C-GF10
K6T1008U2C-TF85
K6T1008U2C-TF10
K6T1008U2C-RF85
K6T1008U2C-RF10
K6T1008V2C-YF70
K6T1008V2C-YF10
K6T1008V2C-NF70
K6T1008V2C-NF10
K6T1008U2C-YF85
K6T1008U2C-YF10
K6T1008U2C-NF85
K6T1008U2C-NF10
扩展温度产品
(-25~85°C)
部件名称
K6T1008V2C-GD70
K6T1008V2C-GD10
K6T1008V2C-TD70
K6T1008V2C-TD10
K6T1008V2C-RD70
K6T1008V2C-RD10
K6T1008U2C-GD85
K6T1008U2C-GD10
K6T1008U2C-TD85
K6T1008U2C-TD10
K6T1008U2C-RD85
K6T1008U2C-RD10
K6T1008V2C-YD70
K6T1008V2C-YD10
K6T1008V2C-ND70
K6T1008V2C-ND10
K6T1008U2C-YD85
K6T1008U2C-YD10
K6T1008U2C-ND85
K6T1008U2C-ND10
功能
32 - SOP ，为70ns ， 3.3V
32 - SOP ，为100ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
32 - SOP ， 85ns ， 3.0V
32 - SOP ，为100ns ， 3.0V
32 - TSOP楼85ns ， 3.0V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
32 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为70ns ， 3.3V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为70ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.3V
32 sTSOP楼85ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.0V
32 sTSOP R， 85ns ， 3.0V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.0V
功能
32 - SOP ，为70ns ， 3.3V
32 - SOP ，为100ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
32 - SOP ， 85ns ， 3.0V
32 - SOP ，为100ns ， 3.0V
32 - TSOP楼85ns ， 3.0V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
32 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为70ns ， 3.3V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为70ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.3V
32 sTSOP楼85ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.0V
32 sTSOP R， 85ns ， 3.0V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.0V
功能
32 - SOP ，为70ns ， 3.3V
32 - SOP ，为100ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
32 - SOP ， 85ns ， 3.0V
32 - SOP ，为100ns ， 3.0V
32 - TSOP楼85ns ， 3.0V
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
32 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为70ns ， 3.3V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为70ns ， 3.3V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.3V
32 sTSOP楼85ns ， 3.0V
32 sTSOP楼为100ns ， 3.0V
32 sTSOP R， 85ns ， 3.0V
32 sTSOP R，为100ns ， 3.0V
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是高或低的状态。 ）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
供应相对于VCC电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC
+0.5
-0.3 4.6
1.0
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
T
SOLDER
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
K6T1008V2C-B/K6T1008U2C-B
K6T1008V2C-D/K6T1008U2C-D
K6T1008V2C-F/K6T1008U2C-F
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
2.0版
1997年11月
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
K6T1008V2C家庭
K6T1008U2C家庭
所有的家庭
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
民
3.0
2.7
0
2.2
-0.3
3)
CMOS SRAM
典型值
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
2)
0.6
单位
V
V
V
V
1.商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，除非另有说明
扩展产品：T已
A
= -25至85℃ ，除非另有说明
工业产品：T已
A
= -40至85℃ ，除非另有说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns
3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns
4.过冲和下冲采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1
。电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
白细胞介素，
V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IL
或V
IH
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥V
CC
-0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
读
写
-
-
2.2
-
-
测试条件
民
-1
-1
-
-
典型值
-
-
2
1.5
10
25
-
-
-
0.3
最大
1
1
5
5
15
35
0.4
-
0.3
10
mA
V
V
mA
A
单位
A
A
mA
mA
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH ，
CS
2
=V
IL
,
其他输入= V
IL
或V
IH
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
4
2.0版
1997年11月
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，扩展产品：T已
A
= -25 85°C ，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃下
K6T1008V2C家庭： VCC = 3.0 3.6V ， K6T1008U2C家庭： VCC = 2.7 3.3V ）
速箱
参数表
符号
70ns
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO1
, t
CO2
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
85
-
-
-
10
5
0
0
15
85
70
0
70
60
0
0
35
0
5
85ns
最大
-
85
85
40
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
100ns
民
100
-
-
-
10
5
0
0
15
100
80
0
80
70
0
0
40
0
5
最大
-
100
100
50
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
CS
1
1)
≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
,
CS
2
≥V
CC
-0.2V ，或CS
2
≤0.2V
看到数据保存波形
测试条件
1)
民
2.0
-
0
5
典型值
-
0.3
-
-
最大
3.6
5
-
-
单位
V
A
ms
1. CS
1
≥Vcc-0.2V
,
CS
2
≥V
CC
-0.2V ，或CS
2
≤0.2V
5
2.0版
1997年11月
QQ：2880707522 复制
