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HI5760
数据表
2005年3月30日
FN4320.8
10位, 125 / 60MSPS ,高速D / A
变流器
该HI5760是一个10位, 125MSPS ,高速,低功耗,
D /这是一种先进的CMOS工艺实现A转换器
流程。从单一的+ 3V工作到+ 5V供电,
转换器提供满量程输出电流20mA和
包括边沿触发CMOS输入数据锁存器。低干扰
能源和出色的频域表现
实现了利用分段电流源架构。
对于同等性能的双通道版本,请参阅HI5728 。
此设备补充HI5X60家族高速的
由Intersil ,其中包括8个,10个, 12所提供的转换器,并
14位器件。
特点
吞吐率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125MSPS
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165mW在5V , 27MW在3V
掉电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23MW在5V , 10毫瓦,在3V
积分线性误差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1 LSB
可调节的满量程输出电流。 。 。 。 。 2毫安至20mA
SFDR到奈奎斯特频率在5MHz输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68dBc
内部1.2V温度补偿的带隙
参考电压
单电源供电, + 5V至+ 3V
CMOS兼容输入
订购信息
部分
HI5760BIB
HI5760BIBZ
(见注)
HI5760IA
HI5760IAZ
(见注)
HI5760/6IB
HI5760/6IBZ
(见注)
HI5760EVAL1
温度。
RANGE (
o
C)
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
25
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
(无铅)
PKG 。
M28.3
M28.3
时钟
速度
125MHz
125MHz
卓越的无杂散动态范围
无铅可(符合RoHS )
应用
电缆调制解调器
机顶盒
无线通信
直接数字频率合成
信号重构
测试仪表
高分辨率成像系统
任意波形发生器
28 Ld的TSSOP M28.173 125MHz的
28 Ld的TSSOP M28.173 125MHz的
(无铅)
28 Ld的SOIC
28 Ld的SOIC
(无铅)
M28.3
M28.3
60MHz
60MHz
125MHz
评估平台
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
引脚
HI5760 ( SOIC , TSSOP )
顶视图
D9 (MSB) 1
D8 2
D7 3
D6 4
D5 5
D4 6
D3 7
D2 8
D1 9
D0 ( LSB ) 10
NC 11
NC 12
NC 13
NC 14
28 CLK
27 DV
DD
26 DCOM
25 NC
24 AV
DD
23 NC
22 IOUTA
21 IOUTB
20 ACOM
19 COMP1
18 FSADJ
17 REFIO
16 REFLO
15 SLEEP
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HI5760
典型应用电路
HI5760
NC
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
(11-14, 25)
D9 (MSB) (1)
D8 (2)
D7 (3)
D6 (4)
D5 (5)
D4 (6)
D3 (7)
D2 (8)
D1 (9)
D0 (LSB )(10)
CLK (28)
50
DCOM ( 26 )
铁素体
珠子
+
10F
10H
DV
DD
(27)
0.1F
50
(21) IOUTB
(23)的NC
(19) COMP1
( 20 ) ACOM
( 24 ) AV
DD
0.1F
铁素体
珠子
10H
0.1F
+
+ 5V或+ 3V (V
DD
)
10F
D / A输出
( 22 ) IOUTA
50
(18) FSADJ
R
SET
D / A输出
2k
(17) REFIO
0.1F
ACOM
( 15 )睡眠
( 16 ) REFLO
DCOM
功能框图
IOUTA
IOUTB
( LSB ) D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
(MSB) D9
5-BIT
解码器
31
LATCH
LATCH
36
开关
矩阵
36
5个LSB
+
31 MSB
共源共栅
当前
来源
CLK
INT / EXT
电压
参考
BIAS
GENERATION
COMP1
INT / EXT
参考
SELECT
AV
DD
ACOM
DV
DD
DCOM
REFLO
REFIO
FSADJ SLEEP
2
HI5760
绝对最大额定值
数字电源电压DV
DD
到DCOM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
模拟电源电压AV
DD
到ACOM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
理由, ACOM TO DCOM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到+ 0.3V
数字输入电压( D9 - D0 , CLK , SLEEP ) 。 。 。 。 。 。 DV
DD
+ 0.3V
内部基准电压输出电流
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±50A
参考输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AV
DD
+ 0.3V
模拟输出电流(I
OUT
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
135
最高结温
HI5760 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
HI5760
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
系统性能
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
失调误差,我
OS
偏移漂移COEF网络cient
满量程增益误差, FSE
测试条件
典型值
最大
单位
10
“最适合的”直线(注7 )
(注7 )
(注7 )
(注7 )
与外部参考(注2,7)
具有内部参考(注2,7)
-1
-0.5
-0.025
-
-10
-10
-
-
2
(注3)
-0.3
-
±0.5
±0.25
-
+1
+0.5
+0.025
最低位
最低位
% FSR
PPM
FSR /
o
C
% FSR
% FSR
PPM
FSR /
o
C
PPM
FSR /
o
C
mA
V
0.1
±2
±1
±50
±100
-
-
-
+10
+10
-
-
20
1.25
满量程增益漂移
与外部参考(注7 )
具有内部参考(注7 )
满量程输出电流,I
FS
输出电压范围符合
动态特性
最大时钟速率,女
CLK
输出稳定时间, (T
SETT
)
(注3)
0.2 %(± 1 LSB的顺序,相当于9个位) (注7)
0.1 %(± 1/2 LSB ,相当于10位) (注7)
单毛刺面积(峰毛刺)
输出上升时间
输出下降时间
输出电容
输出噪声
IOUTFS = 20mA下
IOUTFS = 2毫安
R
L
= 25Ω (注7 )
满量程步骤
满量程步骤
125
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
35
5
1.0
1.5
10
50
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
的pV -S
ns
ns
pF
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
3
HI5760
电气规格
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
HI5760
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
交流特性 - HI5760BIB , HI5760IA - 125MHz的
无杂散动态范围,
SFDR在一个窗口
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 32.9MHz , 10MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 5.04MHz , 4MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 10MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
总谐波失真(THD ),以
奈奎斯特
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 2.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz (注4,7)
无杂散动态范围,
SFDR到奈奎斯特
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 32.9MHz ,跨度的62.5MHz (注4,7)
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz ,跨度的62.5MHz (注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 40.4MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 5.04MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 2.51MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 30MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.51MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
交流特性 - HI5760 / 6IB , HI5760 / 6IA - 60MHz的
无杂散动态范围,
SFDR在一个窗口
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 10MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
总谐波失真(THD ),以
奈奎斯特
无杂散动态范围,
SFDR到奈奎斯特
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 30MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 30MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.51MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 25MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
参考电压
内部基准电压,V
FSADJ
内部参考电压漂移
内部基准电压输出电流
汇/源能力
参考输入阻抗
参考输入乘法带宽(注7 )
18引脚的电压与内部参考
1.04
-
-
-
-
1.16
±60
0.1
1
1.4
1.28
-
-
-
-
V
PPM
/
o
C
测试条件
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
76
75
76
78
71
71
76
54
64
52
60
68
74
63
55
68
73
73
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
76
78
71
76
56
63
55
68
73
73
71
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
A
M
兆赫
4
HI5760
电气规格
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
HI5760
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
数字输入
D9 - D0 , CLK
(注3)
(注3)
(注3)
(注3)
3.5
2.1
-
-
-10
-10
-
5
3
0
0
-
-
5
-
-
1.3
0.9
+10
+10
-
V
V
V
V
A
A
pF
测试条件
典型值
最大
单位
输入逻辑高电压与
5V电源,V
IH
输入逻辑高电压与
3V电源,V
IH
输入逻辑低电压带
5V电源,V
IL
输入逻辑低电压带
3V电源,V
IL
输入逻辑电流,I
IH
输入逻辑电流,I
IL
数字输入电容,C
IN
时序特性
数据建立时间,t
SU
数据保持时间,t
HLD
传播延迟时间t
PD
CLK脉冲宽度,T
PW1
, t
PW2
参见图41 (注3 )
参见图41 (注3 )
见图41
参见图41 (注3 )
3
3
-
4
-
-
1
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
电源特性
AV
DD
电源
DV
DD
电源
模拟电源电流(I
AVDD
)
(注8)
(注8)
( 5V或3V , IOUTFS = 20mA下)
( 5V或3V , IOUTFS = 2毫安)
数字电源电流(I
DVDD
)
( 5V , IOUTFS =不关心) (注5 )
( 3V , IOUTFS =不关心) (注5 )
电源电流(I
AVDD
)睡眠模式
功耗
( 5V或3V , IOUTFS =不关心)
( 5V , IOUTFS = 20mA)的(注6 )
( 5V , IOUTFS = 2毫安) (注6 )
( 5V , IOUTFS = 20mA)的(注9 )
( 3.3V , IOUTFS = 20mA)的(注9 )
( 3V , IOUTFS = 20mA)的(注6 )
( 3V , IOUTFS = 20mA)的(注9 )
( 3V , IOUTFS = 2毫安) (注6 )
电源抑制
注意事项:
在满刻度输出电流与电流至R之间的比率作为误差2.增益误差
SET
(通常625μA ) 。理想情况下,
比应为31.969 。
3.参数设计或特性,而不是生产测试保证。
4.用做差光谱测量耦合变压器。
5.测得在50MSPS的时钟和输出频率在1MHz 。
6.测量与在100MSPS时钟与输出频率为40MHz 。
7.请参阅“规格的定义” 。
8.建议输出电流降低到12毫安或更少,以保持最佳性能为3V以下的操作。 DV
DD
和AV
DD
不必相等。
9.测量与在60MSPS的时钟和输出频率在10MHz 。
单电源(注7 )
2.7
2.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.2
5.0
5.0
23
4
3
1.5
1.6
165
70
150
75
85
67
27
-
5.5
5.5
30
-
5
-
3
-
-
-
-
-
-
-
+0.2
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
% FSR / V
5
HI5760
数据表
1999年11月
网络文件编号
4320.5
10位, 125 / 60MSPS ,高速D / A
变流器
该HI5760是一个10位, 125MSPS ,高速,低功耗,
D /这是一种先进的CMOS工艺实现A转换器
流程。从单一的+ 3V工作到+ 5V供电,
转换器提供满量程输出电流20mA和
包括边沿触发CMOS输入数据锁存器。低干扰
能源和出色的频域表现
实现了利用分段电流源架构。为
同等性能的双通道版本,请参阅HI5728 。
该设备补充了CommLink HI5X60系列
由Intersil ,其中包括8所提供的高速转换器,
10 ,12和14位的设备。
特点
吞吐率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .125MSPS
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165mW在5V , 27MW在3V
掉电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23MW在5V , 10毫瓦,在3V
积分线性误差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1 LSB
可调节的满量程输出电流。 。 。 。 。 2毫安至20mA
SFDR到奈奎斯特频率在5MHz输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .68dBc
内部1.2V温度补偿的带隙
参考电压
单电源供电, + 5V至+ 3V
CMOS兼容输入
订购信息
部分
HI5760BIB
HI5760IA
HI5760/6IB
HI5760/6IA
HI5760EVAL1
温度。
RANGE (
o
C)
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
25
28 Ld的SOIC
PKG 。
M28.3
时钟
速度
125MHz
卓越的无杂散动态范围
应用
电缆调制解调器
机顶盒
无线通信
直接数字频率合成
信号重构
测试仪表
高分辨率成像系统
28 Ld的TSSOP M28.173 125MHz的
28 Ld的SOIC
M28.3
60MHz
28 Ld的TSSOP M28.173 60MHz的
评估平台
125MHz
联系厂方。
引脚
HI5760 ( SOIC , TSSOP )
顶视图
任意波形发生器
D9 (MSB) 1
D8 2
D7 3
D6 4
D5 5
D4 6
D3 7
D2 8
D1 9
D0 ( LSB ) 10
NC 11
NC 12
NC 13
NC 14
28 CLK
27 DV
DD
26 DCOM
25 NC
24 AV
DD
23 NC
22 IOUTA
21 IOUTB
20 ACOM
19 COMP1
18 FSADJ
17 REFIO
16 REFLO
15 SLEEP
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
CommLink 是Intersil公司的商标。
HI5760
典型应用电路
HI5760
NC
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
(11-14, 25)
D9 (MSB) (1)
D8 (2)
D7 (3)
D6 (4)
D5 (5)
D4 (6)
D3 (7)
D2 (8)
D1 (9)
D0 (LSB )(10)
CLK (28)
50
DCOM ( 26 )
铁素体
珠子
+
10F
10H
DV
DD
(27)
0.1F
50
(21) IOUTB
(23)的NC
(19) COMP1
( 20 ) ACOM
( 24 ) AV
DD
0.1F
铁素体
珠子
10H
0.1F
+
+ 5V或+ 3V (V
DD
)
10F
D / A输出
( 22 ) IOUTA
50
(18) FSADJ
R
SET
D / A输出
2k
(17) REFIO
0.1F
ACOM
( 15 )睡眠
( 16 ) REFLO
DCOM
功能框图
IOUTA
IOUTB
( LSB ) D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
(MSB) D9
5-BIT
解码器
31
LATCH
LATCH
36
开关
矩阵
36
5个LSB
+
31 MSB
共源共栅
当前
来源
CLK
INT / EXT
电压
参考
BIAS
GENERATION
COMP1
INT / EXT
参考
SELECT
AV
DD
ACOM
DV
DD
DCOM
REFLO
REFIO
FSADJ SLEEP
2
HI5760
绝对最大额定值
数字电源电压DV
DD
到DCOM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
模拟电源电压AV
DD
到ACOM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
理由, ACOM TO DCOM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到+ 0.3V
数字输入电压( D9 - D0 , CLK , SLEEP ) 。 。 。 。 。 。 DV
DD
+ 0.3V
内部基准电压输出电流
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±50A
参考输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AV
DD
+ 0.3V
模拟输出电流(I
OUT
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
117
最高结温
HI5760 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
HI5760
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
系统性能
决议
积分线性误差, INL
微分线性误差, DNL
失调误差,我
OS
偏移漂移COEF网络cient
满量程增益误差, FSE
“最适合的”直线(注7 )
(注7 )
(注7 )
(注7 )
与外部参考(注2,7)
具有内部参考(注2,7)
满量程增益漂移
与外部参考(注7 )
具有内部参考(注7 )
满量程输出电流,I
FS
输出电压范围符合
动态特性
最大时钟速率,女
CLK
输出稳定时间, (T
SETT
)
(注3)
0.2 %(± 1 LSB的顺序,相当于9个位) (注7)
0.1 %(± 1/2 LSB ,相当于10位) (注7)
单毛刺面积(峰毛刺)
输出上升时间
输出下降时间
输出电容
输出噪声
IOUTFS = 20mA下
IOUTFS = 2毫安
R
L
= 25Ω (注7 )
满量程步骤
满量程步骤
125
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
35
5
1.0
1.5
10
50
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
的pV -S
ns
ns
pF
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
(注3)
10
-1
-0.5
-0.025
-
-10
-10
-
-
2
-0.3
0.1
±2
±1
±50
±100
-
-
-
±0.5
±0.25
-
+1
+0.5
+0.025
-
+10
+10
-
-
20
1.25
最低位
最低位
% FSR
PPM
FSR /
o
C
% FSR
% FSR
PPM
FSR /
o
C
PPM
FSR /
o
C
mA
V
测试条件
典型值
最大
单位
3
HI5760
电气连接特定的阳离子
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
HI5760
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
交流特性 - HI5760BIB , HI5760IA - 125MHz的
无杂散动态范围,
SFDR在一个窗口
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 32.9MHz , 10MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 5.04MHz , 4MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 10MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
总谐波失真(THD ),以
奈奎斯特
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 2.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz (注4,7)
无杂散动态范围,
SFDR到奈奎斯特
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 32.9MHz ,跨度的62.5MHz (注4,7)
f
CLK
= 125MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz ,跨度的62.5MHz (注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 40.4MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 5.04MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 100MSPS ,女
OUT
= 2.51MHz , 50MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 30MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.51MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
交流特性 - HI5760 / 6IB , HI5760 / 6IA - 60MHz的
无杂散动态范围,
SFDR在一个窗口
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 10MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 2MHz的跨度(注4,7)
总谐波失真(THD ),以
奈奎斯特
无杂散动态范围,
SFDR到奈奎斯特
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz (注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 30MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 60MSPS ,女
OUT
= 10.1MHz , 30MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 20.2MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 2.51MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 50MSPS ,女
OUT
= 1.00MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
f
CLK
= 25MSPS ,女
OUT
= 5.02MHz , 25MHz的跨度(注4,7)
参考电压
内部基准电压,V
FSADJ
内部参考电压漂移
内部基准电压输出电流
汇/源能力
参考输入阻抗
参考输入乘法带宽(注7 )
18引脚的电压与内部参考
1.04
-
-
-
-
1.16
±60
0.1
1
1.4
1.28
-
-
-
-
V
PPM
/
o
C
测试条件
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
76
75
76
78
71
71
76
54
64
52
60
68
74
63
55
68
73
73
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
75
76
78
71
76
56
63
55
68
73
73
71
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
A
M
兆赫
4
HI5760
电气连接特定的阳离子
AV
DD
DV
DD
= +5V, V
REF
=内部1.2V , IOUTFS = 20mA下,T
A
= 25
o
下所有典型值
(续)
HI5760
T
A
= -40
o
C至85
o
C
参数
数字输入
D9 - D0 , CLK
输入逻辑高电压与
5V电源,V
IH
输入逻辑高电压与
3V电源,V
IH
输入逻辑低电压带
5V电源,V
IL
输入逻辑低电压带
3V电源,V
IL
输入逻辑电流,I
IH
输入逻辑电流,I
IL
数字输入电容,C
IN
时序特性
数据建立时间,t
SU
数据保持时间,t
HLD
传播延迟时间t
PD
CLK脉冲宽度,T
PW1
, t
PW2
参见图41 (注3 )
参见图41 (注3 )
见图41
参见图41 (注3 )
3
3
-
4
-
-
1
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
(注3)
(注3)
(注3)
(注3)
3.5
2.1
-
-
-10
-10
-
5
3
0
0
-
-
5
-
-
1.3
0.9
+10
+10
-
V
V
V
V
A
A
pF
测试条件
典型值
最大
单位
电源特性
AV
DD
电源
DV
DD
电源
模拟电源电流(I
AVDD
)
(注8)
(注8)
( 5V或3V , IOUTFS = 20mA下)
( 5V或3V , IOUTFS = 2毫安)
数字电源电流(I
DVDD
)
( 5V , IOUTFS =不关心) (注5 )
( 3V , IOUTFS =不关心) (注5 )
电源电流(I
AVDD
)睡眠模式
功耗
( 5V或3V , IOUTFS =不关心)
( 5V , IOUTFS = 20mA)的(注6 )
( 5V , IOUTFS = 2毫安) (注6 )
( 5V , IOUTFS = 20mA)的(注9 )
( 3.3V , IOUTFS = 20mA)的(注9 )
( 3V , IOUTFS = 20mA)的(注6 )
( 3V , IOUTFS = 20mA)的(注9 )
( 3V , IOUTFS = 2毫安) (注6 )
电源抑制
注意事项:
在满刻度输出电流与电流至R之间的比率作为误差2.增益误差
SET
(通常625μA ) 。理想情况下,
比应为31.969 。
3.参数设计或特性,而不是生产测试保证。
4.用做差光谱测量耦合变压器。
5.测得在50MSPS的时钟和输出频率在1MHz 。
6.测量与在100MSPS时钟与输出频率为40MHz 。
7.请参阅“规格的定义” 。
8.建议输出电流降低到12毫安或更少,以保持最佳性能为3V以下的操作。 DV
DD
AV
DD
不必相等。
9.测量与在60MSPS的时钟和输出频率在10MHz 。
单电源(注7 )
2.7
2.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.2
5.0
5.0
23
4
3
1.5
1.6
165
70
150
75
85
67
27
-
5.5
5.5
30
-
5
-
3
-
-
-
-
-
-
-
+0.2
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
% FSR / V
5
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