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HCF4086B
扩展的4宽2 -INPUT AND- OR非门
s
s
s
s
s
s
s
s
中速运转
t
PHL
=为90ns ,T
PLH
= 140ns (典型值) ,在10V
有效抑制和使能输入
静态电流最多指定
20V
界面标准对称输出
特征
5V , 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA (最大值)在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "STANDARD规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
DIP
SOP
HCF4086BEY
HCF4086BM1
T&R
HCF4086M013TR
描述
HCF4086B是一个单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
HCF4086B包含一个4级2输入与或
反转栅极与INHIBIT记录输入端和一个
ENABLE / EXP输入。 INHIBIT / EXP被连接到V
SS
以及启用/ EXP到V
DD
。对于4宽A-0 -I
功能。
引脚连接
2002年9月
1/8
HCF4086B
输入等效电路
引脚说明
针无
符号
名称和功能
数据输入
产量
禁止输入
使能输入
没有连接
负电源电压
正电源电压
1, 2, 12, 13,
A至H
5, 6, 8, 9
3
J
10
INHIBIT / EXP
启用/
10
EXP
NC
4
7
14
V
SS
V
DD
工作原理图
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
2/8
HCF4086B
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/5
0/10
0/15
0/20
0/5
0/10
0/15
5/0
10/0
15/0
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
V
O
(V)
|I
O
| V
DD
( μA ) (V )
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.02
0.02
0.02
0.04
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.36
-0.44
-1.1
-3.0
0.44
1.1
3.0
-3.2
-1
-2.6
-6.8
1
2.6
6.8
±10
-5
5
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.1
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
马克斯。
1
2
4
20
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
30
60
120
600
单位
I
L
静态电流
A
V
OH
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输出驱动器
当前
V
OL
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
V
mA
mA
I
I
任何输入
任何输入
±0.1
7.5
±1
±1
A
pF
C
I
噪声余量为"1"和"0"级别: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
=15V
3/8
HCF4086B
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200KΩ ,T
r
= t
f
= 20纳秒)
测试条件
符号
t
PHL
参数
传播延迟时间
( DATA)的
传播延迟时间
( DATA)的
传播延迟时间
(禁止)
传播延迟时间
(禁止)
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
分钟。
值(*)
典型值。
225
90
60
310
125
90
150
60
40
250
100
70
100
50
40
马克斯。
450
180
120
620
250
180
300
120
80
500
200
140
200
100
80
ns
单位
t
PLH
ns
t
PHL
ns
t
PLH
ns
t
TLH
t
THL
转换时间
ns
( * )的典型温度系数为所有V
DD
值是0.3 %/ ℃。
典型应用:
两个HCF4086B连接成8宽2输入门AOI
4/8
HCF4086B
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历(包括夹具和探头电容)
R
L
= 200K
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
波形:传播延迟时间
中(f = 1MHz的50 %占空比)
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    -
    -
    -
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