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DAN202K
二极管
开关二极管
DAN202K
应用
超高速开关
尺寸
（单位：毫米）
土地面积图
（单位：毫米）
0.8MIN.
2.9±0.2
各リードとも
每根导线具有相同的尺寸
同寸法
0.15
－0.06
(3)
＋0.1
特点
1 ）小型模具类型。 （ SMD3 ）
2）高可靠性
2.8±0.2
1.6
－0.1
＋0.2
0.95
1.9
0½0.1
0.3½0.6
SMD3
(2)
0.95
0.95
1.9±0.2
(1)
0.8±0.1
1.1±0.2
0.01
结构
施工
硅外延平面
ROHM ： SMD3
JEDEC ： S0T -346
JEITA ： SC- 59
星期代码
大坪规格
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
　　　　　 0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
3.2±0.1
3.2±0.1
4.0±0.1
φ1.05MIN
0½0.5
5.5±0.2
3.2±0.1
1.35±0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压（ repatitive峰）
反向电压（DC）的
正向电流（单）
正向电流（双人间）
平均正向电流整流（单人间）
平均正向电流整流（双）
浪涌电流
（t=1us）
（单）
浪涌电流
（T = 1微秒） （双人间）
功耗
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
FM
Io
Io
I
浪涌
I
浪涌
Pd
Tj
TSTG
范围
80
80
300
450
100
150
4
6
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
mW
℃
℃
电气特性
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
反向恢复时间
符号
V
F
I
R
Ct
TRR
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
1.2
0.1
3.5
4
单位
V
A
pF
ns
条件
I
F
=100mA
V
R
=70V
V
R
= 6V ， F = 1MHz的
V
R
= 6V， IF = 5毫安，RL = 50Ω
REV.C
2.4
0.4
＋0.1
　－0.05
1.0MIN.
1/2
DAN202K
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
Ta=150℃
100
正向电流IF （MA ）
Ta=75℃
Ta=125℃
10000
1000
Ta=125℃
10
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
Ta=75℃
100
Ta=25℃
10
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
10
Ta=150℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
80
1
1
0.1
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0.1
0
10
20 30 40 50 60 70
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
950
正向电压VF （MV ）
940
930
920
910
AVE ： 921.7米
900
反向电流： IR （ NA）
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
VF色散图
IR色散图
AVE ： 9.655nA
Ta=25℃
VR=80V
n=30pcs
10
9
之间的电容
端子的CT （PF ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
CT色散图
AVE ： 1.17pF
Ta=25℃
VR=6V
f=1MHz
n=10pcs
20
RESERVE恢复时间： TRR （ NS ）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
15
8.3ms
10
1cyc
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
IFSM色散图
TRR色散图
AVE ： 1.93ns
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
Ta=25℃
VR=6V
IF=5mA
RL=50Ω
n=10pcs
5
4
3
2
1
0
1
10
周期数
IFSM周期特征
100
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
5
AVE ： 3.50A
0
100
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
t
1000
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
10
静电
放电测试ESD （ KV ）
Rth的第（j-一）
100
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
AVE ： 0.97kV
AVE ： 2.54kV
RTH （J -C ）
安装在环氧板
IM=100mA
IF=10A
10
10
1ms
时间
300us
1
0.1
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
1
10
100
1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（毫秒）
RTH- T特性
0.1
1000
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD色散图
REV.C
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请联系您最近的销售办事处。
ROHM
客户支持系统
www.rohm.com
版权所有
2007罗姆股份有限公司。
美洲
/
EUPOPE
/
亚洲
/
日本
联系我们
:
站长@ rohm.co. JP
21 ，西院Mizosaki町，右京区615-8585 ，日本
TEL ： + 81-75-311-2121
传真： + 81-75-315-0172
Appendix1-Rev2.0
二极管
DAN222M/DAN222/DAN202U/DAN202K
DAP222M/DAP222/DAP202U/DAP202K
DA227
开关二极管
DAN222M / DAN222 / DAN202U / DAN202K
DAP222M / DAP222 / DAP202U / DAP202K
DA227
应用
超高速开关
外形尺寸
（单位：毫米）
DAN222M / DAP222M
DAN222 / DAP222
特点
1 ）四种类型的包装是
可用。
2）高的速度。 （T
rr
= 1.5ns典型值）。
3 ）适用于高密度封装
布局。
4）高可靠性。
0.40.4
0.2±0.1
0.8±0.1
0.2±0.1
1.2±0.1
0.8±0.1
0.22±0.05
(2)
(1)
0.5±0.05
00.1
+
0.1
0.2
0.05
1.6
+
0.2
1.0
+
0.1
0.5 0.5
+
0.1
0.2
0.05
0.8
+
0.1
1.6
+
0.2
0.7
+
0.1
0.55
+
0.1
00.1
(3)
0.32±0.05
1.2±0.1
0.13±0.05
+
0.1
0.3
0.05
0.15
+
0.05
（所有引脚都具有相同的尺寸）
ROHM ： VMD3
EIAJ ：
JEDEC ：
ROHM ： EMD3
EIAJ ： SC - 75
JEDEC ： SOT - 416
施工
硅外延平面
DAN202U / DAP202U
DAN202K / DAP202K
+
2.0
0.2
+
1.3
0.1
+
0.9
0.1
2.9
+
0.2
1.9
+
0.2
0.95 0.95
0.6
1.6
+
0.2
0.1
2.8
+
0.2
1.1
+
0.2
0.1
0.8
+
0.1
记号
DAN222M
DAN222
DAN202U
DAN202K
DAP222M
DAP222
DAP202U
DAP202K
(3)
0.65
0.65
0.3
+
1.25
0.1
N
+
2.1
0.1
(1)
(4)
00.1
+
0.3
0.1
0.1Min.
(2)
(3)
+
0.15
0.05
（所有引脚都具有相同的尺寸）
（所有引脚都具有相同的尺寸）
P
(2)
ROHM ： UMD3
EIAJ ： SC - 70
JEDEC ： SOT - 323
DA227
+
1.25
0.1
ROHM ： SMD3
EIAJ ： SC - 59
JEDEC ： SOT - 346
DA227
(4)
N20
(1)
0.6
+
0.3
0.1
0.65
+
0.2
0.1
+
0.9
0.1
0.7
(1)
(4)
+
1.25
0.1
+
2.1
0.1
00.1
(2)
+
0.2
0.1
(3)
+
0.2
0.1
+
0.15
0.05
0.1Min.
0.65 0.65
+
1.3
0.1
+
2.0
0.2
ROHM ： UMD4
EIAJ ： SC - 82
JEDEC ： SOT - 343
0.30.6
+
0.1
0.4
0.05
+
0.1
0.15
0.06
0.1Min.
00.1
1/3
二极管
DAN222M/DAN222/DAN202U/DAN202K
DAP222M/DAP222/DAP202U/DAP202K
DA227
电路
(1)
(4)
(2)
(3)
DAN202K
DAN202U
DAN222
DAN222M
DAP202K
DAP202U
DAP222
DAP222M
DA227
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TYPE
DAN202K
DAP202K
DAN202U
DAP202U
DAN222
DAP222
DAN222M
DAP222M
DA227
连接点
存储
反向峰值直流反向峰值正向平均整流电流浪涌电源
耗散
温度
温度
电压
电压
当前
当前
(1s)
（总）
Tj
(C)
TSTG
(C)
V
RM
(V)
V
R
(V)
I
FM
（MA ）
I
O
（MA ）
I
浪涌
(A)
加入Pd（ mW）的
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
300
300
300
300
300
300
300
300
300
100
100
100
100
100
100
100
100
100
4
4
4
4
4
4
4
4
4
200
200
200
200
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
100
100
150
P / N
TYPE
N
P
N
P
N
P
N
P
N
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
电气特性
(Ta=25°C)
正向电压
TYPE
V
F
(V)
马克斯。
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
电导率。
I
F
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
反向电流
I
R
(A)
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
电导率。
V
R
(V)
70
70
70
70
70
70
70
70
70
终端之间的电容
C
T
（PF ）
马克斯。
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
电导率。
V
R
(V)
6
6
6
6
6
6
6
6
6
F（兆赫）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
反向恢复时间
t
rr
（纳秒）
马克斯。
4
4
4
4
4
4
4
4
4
电导率。
V
R
(V)
6
6
6
6
6
6
6
6
6
I
F
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
DAN202K
DAP202K
DAN202U
DAP202U
DAN222
DAP222
DAN222M
DAP222M
DA227
2/3
二极管
DAN222M/DAN222/DAN202U/DAN202K
DAP222M/DAP222/DAP202U/DAP202K
DA227
电气特性曲线
(Ta=25°C)
功耗： P
d
/ P
d
最大值（％）
125
50
1000
Ta=100C
正向电流：我
F
（MA ）
100
反向电流：我
R
（ nA的）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta=85C
50C
25C
0C
30C
100
75C
75
10
50C
25C
50
1
0C
25C
25
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0
10
20
30
40
50
环境温度： TA（ ℃）
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
图1功率衰减曲线
图2正向特性
（ P型）
图3反向特性
（ P型）
1000
正向电流：我
F
（MA ）
反向电流：我
R
（ nA的）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta=85C
50C
25C
0C
30C
Ta=100°C
75°C
50°C
电容之间端子：C
T
（PF ）
50
f=1MHz
4
100
10
25°C
0°C
25°C
1
2
P型
0.1
n型
0.01
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
反向电压： V
R
(V)
图4正向特性
（ N型）
图5反向特性
（ N型）
0.01F
图6之间的电容
终端特性
10
反向恢复时间：吨
rr (
NS ）
D.U.T.
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
R
=6V
5
脉冲发生器
OUTPUT 50Ω
50
采样
示波器
P TYP
e
输入
n型
8
9
10
100ns
正向电流：我
F
（MA ）
图7的反向恢复时间
产量
t
rr
0
图8反向恢复时间（t
rr
）测量电路
0.1I
R
I
R
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
二极管
DA227/DAN202K/DAN202U/DAN222
DAP202K/DAP202U/DAP222
开关二极管
DA227
DAN202K / DAN202U / DAN222
DAP202K / DAP202U / DAP222
应用
超高速开关
外形尺寸
（单位：毫米）
DAN202K / DAP202K
DAN202U / DAP202U
0.4
0.3±0.1
0.15±0.05
（所有引脚都具有相同的尺寸）
（所有引脚都具有相同的尺寸）
施工
硅外延平面
ROHM ： SMD3
EIAJ ： SC - 59
JEDEC ： SOT - 346
DA227
ROHM ： UMD3
EIAJ ： SC - 70
JEDEC ： SOT - 323
DAN222 / DAP222
记号
DAN222
DAN202U
DAN202K
DAP222
DAP202U
DAP202K
DA227
N
1.25±0.1
0.6
0.3±0.1
0.65
0.2±0.1
0.9±0.1
0.7
1.25±0.1
1.6±0.2
1.0±0.1
+0.1
0.2 -0.05
0~0.1
0.5
0.5
+0.1
0.2 -0.05
0.8
±
0.1
1.6
±
0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
P
0.2±0.1
0.2±0.1
2.1±0.1
0~0.1
0.1Min.
0.65 0.65
1.3±0.1
2.0±0.2
0.15±0.05
0.3 +0.1
-0.05
0.15±0.05
ROHM ： UMD4
EIAJ ： SC - 82
JEDEC ： SOT - 343
ROHM ： EMD3
EIAJ ： SC - 75
JEDEC ： SOT - 416
0.1Min.
N20
0.1Min.
+0.1
-0.05
0.15
0.3~0.6
特点
1 ）四种类型的包装是
可用。
2）高的速度。 （T
rr
= 1.5ns典型值）。
3 ）适用于高密度封装
布局。
4）高可靠性。
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
1.1
+0.2
-0.1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
0.65
0.3
0.9±0.1
0.6
0.8±0.1
2.8±0.2
+0.2
-0.1
1.25±0.1
2.1±0.1
0~0.1
1.6
0~0.1
+0.1
-0.06
二极管
电路
DA227/DAN202K/DAN202U/DAN222
DAP202K/DAP202U/DAP222
DAN202K
DAN202U
DAN222
DAP202K
DAP202U
DAP222
DA227
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TYPE
DAN202K
DAP202K
DAN202U
DAP202U
DAN222
DAP222
DA227
连接点
存储
反向峰值直流反向峰值正向平均整流电流浪涌电源
耗散
温度
温度
电压
电压
当前
当前
(1s)
（总）
Tj
(C)
TSTG
(C)
V
RM
(V)
V
R
(V)
I
FM
（MA ）
I
O
（MA ）
I
浪涌
(A)
加入Pd（ mW）的
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
300
300
300
300
300
300
300
100
100
100
100
100
100
100
4
4
4
4
4
4
4
200
200
200
200
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
P / N
TYPE
N
P
N
P
N
P
N
55~+150
55~+150
55~+150
55~+150
55~+150
55~+150
55~+150
电气特性
(Ta=25°C)
正向电压
TYPE
V
F
(V)
马克斯。
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
电导率。
I
F
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
反向电流
I
R
(A)
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
电导率。
V
R
(V)
70
70
70
70
70
70
70
终端之间的电容
C
T
（PF ）
马克斯。
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
电导率。
V
R
(V)
F（兆赫）
6
6
6
6
6
6
6
1
1
1
1
1
1
1
反向恢复时间
t
rr
（纳秒）
马克斯。
4
4
4
4
4
4
4
电导率。
V
R
(V)
6
6
6
6
6
6
6
I
F
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
DAN202K
DAP202K
DAN202U
DAP202U
DAN222
DAP222
DA227
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
功耗： P
d
/ P
d
最大值（％）
DA227/DAN202K/DAN202U/DAN222
DAP202K/DAP202U/DAP222
50
125
1000
Ta=100C
正向电流：我
F
（MA ）
100
反向电流：我
R
（ nA的）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta=85C
50C
25C
0C
30C
100
75C
75
10
50C
25C
50
1
0C
25C
25
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0
10
20
30
40
50
环境温度： TA（ ℃）
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
图1功率衰减曲线
图2正向特性
（ P型）
图3反向特性
（ P型）
1000
正向电流：我
F
（MA ）
反向电流：我
R
（ nA的）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta=85C
50C
25C
0C
30C
Ta=100°C
75°C
50°C
电容之间端子：C
T
（PF ）
50
f=1MHz
4
100
10
25°C
0°C
25°C
1
2
P型
0.1
n型
0.01
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
反向电压： V
R
(V)
图4正向特性
（ N型）
图5反向特性
（ N型）
图6之间的电容
终端特性
10
反向恢复时间：吨
rr (
NS ）
0.01F
V
R
=6V
D.U.T.
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5
脉冲发生器
OUTPUT 50Ω
50
采样
示波器
P TYP
e
输入
n型
8
9
10
100ns
正向电流：我
F
（MA ）
图7的反向恢复时间
产量
t
rr
0
图8反向恢复时间（t
rr
）测量电路
0.1I
R
I
R
该数据表已经从下载：
www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
二极管
DA227/DAN202K/DAN202U/DAN222
DAP202K/DAP202U/DAP222
开关二极管
DA227
DAN202K / DAN202U / DAN222
DAP202K / DAP202U / DAP222
应用
超高速开关
外形尺寸
（单位：毫米）
DAN202K / DAP202K
DAN202U / DAP202U
0.4
0.3±0.1
0.15±0.05
（所有引脚都具有相同的尺寸）
（所有引脚都具有相同的尺寸）
施工
硅外延平面
ROHM ： SMD3
EIAJ ： SC - 59
JEDEC ： SOT - 346
DA227
ROHM ： UMD3
EIAJ ： SC - 70
JEDEC ： SOT - 323
DAN222 / DAP222
记号
DAN222
DAN202U
DAN202K
DAP222
DAP202U
DAP202K
DA227
N
1.25±0.1
0.6
0.3±0.1
0.65
0.2±0.1
0.9±0.1
0.7
1.25±0.1
1.6±0.2
1.0±0.1
+0.1
0.2 -0.05
0~0.1
0.5
0.5
+0.1
0.2 -0.05
0.8
±
0.1
1.6
±
0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
P
0.2±0.1
0.2±0.1
2.1±0.1
0~0.1
0.1Min.
0.65 0.65
1.3±0.1
2.0±0.2
0.15±0.05
0.3 +0.1
-0.05
0.15±0.05
ROHM ： UMD4
EIAJ ： SC - 82
JEDEC ： SOT - 343
ROHM ： EMD3
EIAJ ： SC - 75
JEDEC ： SOT - 416
0.1Min.
N20
0.1Min.
+0.1
-0.05
0.15
0.3~0.6
特点
1 ）四种类型的包装是
可用。
2）高的速度。 （T
rr
= 1.5ns典型值）。
3 ）适用于高密度封装
布局。
4）高可靠性。
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
1.1
+0.2
-0.1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
0.65
0.3
0.9±0.1
0.6
0.8±0.1
2.8±0.2
+0.2
-0.1
1.25±0.1
2.1±0.1
0~0.1
1.6
0~0.1
+0.1
-0.06
二极管
电路
DA227/DAN202K/DAN202U/DAN222
DAP202K/DAP202U/DAP222
DAN202K
DAN202U
DAN222
DAP202K
DAP202U
DAP222
DA227
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TYPE
DAN202K
DAP202K
DAN202U
DAP202U
DAN222
DAP222
DA227
连接点
存储
反向峰值直流反向峰值正向平均整流电流浪涌电源
耗散
温度
温度
电压
电压
当前
当前
(1s)
（总）
Tj
(C)
TSTG
(C)
V
RM
(V)
V
R
(V)
I
FM
（MA ）
I
O
（MA ）
I
浪涌
(A)
加入Pd（ mW）的
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
300
300
300
300
300
300
300
100
100
100
100
100
100
100
4
4
4
4
4
4
4
200
200
200
200
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
P / N
TYPE
N
P
N
P
N
P
N
55~+150
55~+150
55~+150
55~+150
55~+150
55~+150
55~+150
电气特性
(Ta=25°C)
正向电压
TYPE
V
F
(V)
马克斯。
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
电导率。
I
F
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
反向电流
I
R
(A)
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
电导率。
V
R
(V)
70
70
70
70
70
70
70
终端之间的电容
C
T
（PF ）
马克斯。
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
电导率。
V
R
(V)
F（兆赫）
6
6
6
6
6
6
6
1
1
1
1
1
1
1
反向恢复时间
t
rr
（纳秒）
马克斯。
4
4
4
4
4
4
4
电导率。
V
R
(V)
6
6
6
6
6
6
6
I
F
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
DAN202K
DAP202K
DAN202U
DAP202U
DAN222
DAP222
DA227
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
功耗： P
d
/ P
d
最大值（％）
DA227/DAN202K/DAN202U/DAN222
DAP202K/DAP202U/DAP222
50
125
1000
Ta=100C
正向电流：我
F
（MA ）
100
反向电流：我
R
（ nA的）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta=85C
50C
25C
0C
30C
100
75C
75
10
50C
25C
50
1
0C
25C
25
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0
10
20
30
40
50
环境温度： TA（ ℃）
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
图1功率衰减曲线
图2正向特性
（ P型）
图3反向特性
（ P型）
1000
正向电流：我
F
（MA ）
反向电流：我
R
（ nA的）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta=85C
50C
25C
0C
30C
Ta=100°C
75°C
50°C
电容之间端子：C
T
（PF ）
50
f=1MHz
4
100
10
25°C
0°C
25°C
1
2
P型
0.1
n型
0.01
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
反向电压： V
R
(V)
图4正向特性
（ N型）
图5反向特性
（ N型）
图6之间的电容
终端特性
10
反向恢复时间：吨
rr (
NS ）
0.01F
V
R
=6V
D.U.T.
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5
脉冲发生器
OUTPUT 50Ω
50
采样
示波器
P TYP
e
输入
n型
8
9
10
100ns
正向电流：我
F
（MA ）
图7的反向恢复时间
产量
t
rr
0
图8反向恢复时间（t
rr
）测量电路
0.1I
R
I
R
该数据表已经从下载：
www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
二极管
DAN222M/DAN222/DAN202U/DAN202K
DAP222M/DAP222/DAP202U/DAP202K
DA227
开关二极管
DAN222M / DAN222 / DAN202U / DAN202K
DAP222M / DAP222 / DAP202U / DAP202K
DA227
应用
超高速开关
外形尺寸
（单位：毫米）
DAN222M / DAP222M
DAN222 / DAP222
特点
1 ）四种类型的包装是
可用。
2）高的速度。 （T
rr
= 1.5ns典型值）。
3 ）适用于高密度封装
布局。
4）高可靠性。
0.40.4
0.2±0.1
0.8±0.1
0.2±0.1
1.2±0.1
0.8±0.1
0.22±0.05
(2)
(1)
0.5±0.05
00.1
+
0.1
0.2
0.05
1.6
+
0.2
1.0
+
0.1
0.5 0.5
+
0.1
0.2
0.05
0.8
+
0.1
1.6
+
0.2
0.7
+
0.1
0.55
+
0.1
00.1
(3)
0.32±0.05
1.2±0.1
0.13±0.05
+
0.1
0.3
0.05
0.15
+
0.05
（所有引脚都具有相同的尺寸）
ROHM ： VMD3
EIAJ ：
JEDEC ：
ROHM ： EMD3
EIAJ ： SC - 75
JEDEC ： SOT - 416
施工
硅外延平面
DAN202U / DAP202U
DAN202K / DAP202K
+
2.0
0.2
+
1.3
0.1
+
0.9
0.1
2.9
+
0.2
1.9
+
0.2
0.95 0.95
0.6
1.6
+
0.2
0.1
2.8
+
0.2
1.1
+
0.2
0.1
0.8
+
0.1
记号
DAN222M
DAN222
DAN202U
DAN202K
DAP222M
DAP222
DAP202U
DAP202K
(3)
0.65
0.65
0.3
+
1.25
0.1
N
+
2.1
0.1
(1)
(4)
00.1
+
0.3
0.1
0.1Min.
(2)
(3)
+
0.15
0.05
（所有引脚都具有相同的尺寸）
（所有引脚都具有相同的尺寸）
P
(2)
ROHM ： UMD3
EIAJ ： SC - 70
JEDEC ： SOT - 323
DA227
+
1.25
0.1
ROHM ： SMD3
EIAJ ： SC - 59
JEDEC ： SOT - 346
DA227
(4)
N20
(1)
0.6
+
0.3
0.1
0.65
+
0.2
0.1
+
0.9
0.1
0.7
(1)
(4)
+
1.25
0.1
+
2.1
0.1
00.1
(2)
+
0.2
0.1
(3)
+
0.2
0.1
+
0.15
0.05
0.1Min.
0.65 0.65
+
1.3
0.1
+
2.0
0.2
ROHM ： UMD4
EIAJ ： SC - 82
JEDEC ： SOT - 343
0.30.6
+
0.1
0.4
0.05
+
0.1
0.15
0.06
0.1Min.
00.1
1/3
二极管
DAN222M/DAN222/DAN202U/DAN202K
DAP222M/DAP222/DAP202U/DAP202K
DA227
电路
(1)
(4)
(2)
(3)
DAN202K
DAN202U
DAN222
DAN222M
DAP202K
DAP202U
DAP222
DAP222M
DA227
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TYPE
DAN202K
DAP202K
DAN202U
DAP202U
DAN222
DAP222
DAN222M
DAP222M
DA227
连接点
存储
反向峰值直流反向峰值正向平均整流电流浪涌电源
耗散
温度
温度
电压
电压
当前
当前
(1s)
（总）
Tj
(C)
TSTG
(C)
V
RM
(V)
V
R
(V)
I
FM
（MA ）
I
O
（MA ）
I
浪涌
(A)
加入Pd（ mW）的
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
80
300
300
300
300
300
300
300
300
300
100
100
100
100
100
100
100
100
100
4
4
4
4
4
4
4
4
4
200
200
200
200
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
100
100
150
P / N
TYPE
N
P
N
P
N
P
N
P
N
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
55
to
+150
电气特性
(Ta=25°C)
正向电压
TYPE
V
F
(V)
马克斯。
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
电导率。
I
F
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
反向电流
I
R
(A)
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
电导率。
V
R
(V)
70
70
70
70
70
70
70
70
70
终端之间的电容
C
T
（PF ）
马克斯。
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
电导率。
V
R
(V)
6
6
6
6
6
6
6
6
6
F（兆赫）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
反向恢复时间
t
rr
（纳秒）
马克斯。
4
4
4
4
4
4
4
4
4
电导率。
V
R
(V)
6
6
6
6
6
6
6
6
6
I
F
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
DAN202K
DAP202K
DAN202U
DAP202U
DAN222
DAP222
DAN222M
DAP222M
DA227
2/3
二极管
DAN222M/DAN222/DAN202U/DAN202K
DAP222M/DAP222/DAP202U/DAP202K
DA227
电气特性曲线
(Ta=25°C)
功耗： P
d
/ P
d
最大值（％）
125
50
1000
Ta=100C
正向电流：我
F
（MA ）
100
反向电流：我
R
（ nA的）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta=85C
50C
25C
0C
30C
100
75C
75
10
50C
25C
50
1
0C
25C
25
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0
10
20
30
40
50
环境温度： TA（ ℃）
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
图1功率衰减曲线
图2正向特性
（ P型）
图3反向特性
（ P型）
1000
正向电流：我
F
（MA ）
反向电流：我
R
（ nA的）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Ta=85C
50C
25C
0C
30C
Ta=100°C
75°C
50°C
电容之间端子：C
T
（PF ）
50
f=1MHz
4
100
10
25°C
0°C
25°C
1
2
P型
0.1
n型
0.01
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
正向电压： V
F
(V)
反向电压： V
R
(V)
反向电压： V
R
(V)
图4正向特性
（ N型）
图5反向特性
（ N型）
0.01F
图6之间的电容
终端特性
10
反向恢复时间：吨
rr (
NS ）
D.U.T.
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
R
=6V
5
脉冲发生器
OUTPUT 50Ω
50
采样
示波器
P TYP
e
输入
n型
8
9
10
100ns
正向电流：我
F
（MA ）
图7的反向恢复时间
产量
t
rr
0
图8反向恢复时间（t
rr
）测量电路
0.1I
R
I
R
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
DAN202K
二极管
开关二极管
DAN202K
应用
超高速开关
外形尺寸
（单位：毫米）
土地面积图
（单位：毫米）
0.8MIN.
2.9±0.2
各リードとも
每根导线具有相同的尺寸
同寸法
0.15
－0.06
(3)
＋0.1
特点
1 ）小型模具类型。 （ SMD3 ）
2）高可靠性
2.8±0.2
1.6
－0.1
＋0.2
0.95
1.9
0½0.1
0.3½0.6
SMD3
(2)
0.95
0.95
1.9±0.2
(1)
0.8±0.1
1.1±0.2
0.01
结构
施工
硅外延平面
ROHM ： SMD3
JEDEC ： S0T -346
JEITA ： SC- 59
星期代码
大坪规格
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
　　　　　 0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
3.2±0.1
3.2±0.1
4.0±0.1
φ1.05MIN
0½0.5
5.5±0.2
3.2±0.1
1.35±0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
反向电压（ repatitive峰）
反向电压（DC）的
正向电流（单）
正向电流（双人间）
平均正向电流整流（单人间）
平均正向电流整流（双）
浪涌电流
（t=1us）
（单）
浪涌电流
（T = 1微秒） （双人间）
功耗
结温
储存温度
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
FM
Io
Io
I
浪涌
I
浪涌
Pd
Tj
TSTG
范围
80
80
300
450
100
150
4
6
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
mW
℃
℃
电气特性
(Ta=25°C)
参数
正向电压
反向电流
终端之间的电容
反向恢复时间
符号
V
F
I
R
Ct
TRR
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
1.2
0.2
3.5
4
单位
V
A
pF
ns
条件
I
F
=100mA
V
R
=70V
V
R
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
R
= 6V， IF = 5毫安，RL = 50Ω
Rev.A的
2.4
0.4
＋0.1
　－0.05
1.0MIN.
1/2
DAN202K
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
Ta=150℃
100
Ta=75℃
Ta=125℃
10000
1000
Ta=125℃
10
f=1MHz
正向电流IF （MA ）
反向电流： IR （ NA）
Ta=75℃
100
Ta=25℃
10
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
10
Ta=150℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
80
1
1
0.1
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0.1
0
10
20 30 40 50 60 70
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
950
100
10
Ta=25℃
VR=80V
n=10pcs
9
Ta=25℃
VR=6V
f=1MHz
n=10pcs
正向电压VF （MV ）
之间的电容
端子的CT （PF ）
940
930
920
910
AVE ： 921.7米
900
VF色散图
反向电流： IR （ NA）
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
IR色散图
AVE ： 9.655nA
8
7
6
5
4
3
2
1
0
CT色散图
AVE ： 1.17pF
20
10
8
7
6
5
4
3
2
1
0
IFSM DISRESION地图
TRR色散图
AVE ： 1.93ns
5
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
15
1cyc
8.3ms
RESERVE恢复时间： TRR （ NS ）
9
Ta=25℃
VR=6V
IF=5mA
RL=50Ω
n=10pcs
4
3
2
1
0
1
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
5
AVE ： 3.50A
0
10
周期数
IFSM周期特征
100
100
1000
10
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
静电
放电测试ESD （ KV ）
IFSM
Rth的第（j-一）
100
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE ： 0.97kV
AVE ： 2.54kV
t
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
10
IM=100mA
IF=10A
时间
300us
1
0.1
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
1
10
100
1
0.001
0.01
时间： T（毫秒）
RTH- T特性
0.1
1
1ms
10
100
1000
ESD色散图
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
数据表
开关二极管
DAN202K
■应用
超高速开关
尺寸
（单位：毫米）
Land
尺寸图
（单位：毫米）
0.8MIN.
2.9±0.2
各リードとも
每根导线具有相同的尺寸
同寸法
0.15
－0.06
(3)
＋0.1
2.8±0.2
■特点
1 ）小型模具类型。 （ SMD3 ）
2）高可靠性
＋0.1
0.4
　－0.05
1.0MIN.
0.95
1.6
－0.1
＋0.2
0½0.1
0.3½0.6
SMD3
1.9
(2)
(1)
0.95
1.9±0.2
0.8±0.1
1.1±0.2
0.01
建筑
硅外延平面
0.95
Structure
ROHM ： SMD3
JEDEC ： S0T -346
JEITA ： SC- 59
星期代码
盘带
特定网络阳离子
（单位：毫米）
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
　　　　　 0
0.3±0.1
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
3.2±0.1
3.2±0.1
4.0±0.1
φ1.05MIN
0½0.5
5.5±0.2
3.2±0.1
1.35±0.1
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
反向电压（ repatitive峰）
V
RM
V
R
反向电压（DC）的
I
FM
正向电流（单）
I
FM
正向电流（双人间）
平均正向电流整流（单人间）
Io
平均正向电流整流（双）
Io
I
浪涌
浪涌电流（T = 1微秒） （单人间）
I
浪涌
浪涌电流（T = 1微秒） （双人间）
功耗
Pd
结温
Tj
储存温度
TSTG
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
符号
V
F
正向电压
反向电流
终端之间的电容
反向恢复时间
I
R
Ct
TRR
范围
80
80
300
450
100
150
4
6
200
150
55
to
150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
°C
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
1.2
0.1
3.5
4
单位
V
μA
pF
ns
I
F
=100mA
V
R
=70V
条件
V
R
= 6V ， F = 1MHz的
V
R
= 6V ，我
F
= 5毫安，RL = 50Ω
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2011.06 - Rev.C
2.4
DAN202K
　
数据表
Ta=150℃
100
Ta=75℃
Ta=125℃
10000
1000
Ta=125℃
10
f=1MHz
正向电流IF （MA ）
反向电流： IR （ NA）
Ta=75℃
100
Ta=25℃
10
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
10
Ta=150℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
80
1
1
0.1
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0.1
0
10
20 30 40 50 60 70
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
950
100
10
Ta=25℃
VR=80V
n=30pcs
9
Ta=25℃
VR=6V
f=1MHz
n=10pcs
正向电压VF （MV ）
反向电流： IR （ NA）
之间的电容
端子的CT （PF ）
940
930
920
910
AVE ： 921.7米
900
VF色散图
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
IR色散图
AVE ： 9.655nA
8
7
6
5
4
3
2
1
0
CT色散图
AVE ： 1.17pF
20
10
5
反向恢复时间： TRR （ NS ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
AVE ： 1.93ns
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
IFSM
15
1cyc
8.3ms
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
Ta=25℃
VR=6V
IF=5mA
RL=50Ω
n=10pcs
4
3
2
1
0
1
IFSM
8.3ms的8.3ms的
1cyc
10
5
AVE ： 3.50A
0
IFSM色散图
TRR色散图
10
周期数
IFSM周期特征
100
100
1000
10
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
峰值浪涌
正向电流IFSM （ A）
静电
放电测试ESD （ KV ）
IFSM
Rth的第（j-一）
100
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
AVE ： 0.97kV
AVE ： 2.54kV
t
RTH （J -C ）
安装在环氧板
10
10
IM=100mA
IF=10A
1ms
时间
300us
1
0.1
10
时间： T（毫秒）
IFSM -T特性
1
100
1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（毫秒）
RTH- T特性
0.1
1000
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
ESD色散图
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