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BUZ 3 S
SPP31N05
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
d
v
/d
t
评级
175 ° C工作温度
还可以SMD
销1
销2
3脚
G
D
S
TYPE
V
DS
55 V
I
D
31 A
R
DS （上
)
0.04
包
订购代码
BUZ 3 S
的TO-220 AB
Q67040-S4009-A2
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
A
31
22
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
I
Dpuls
124
E
AS
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 31 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 291 H,
T
j
= 25 °C
mJ
140
I
AR
E
AR
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管D
v
/d
t
I
S
= 31 A,
V
DS
= 40 V ，D
i
F
/d
t
= 200 A / μs的
T
JMAX
= 175 °C
31
7.5
A
mJ
KV / μs的
d
v
/d
t
6
V
GS
P
合计
门源电压
功耗
T
C
= 25 °C
±
20
75
V
W
半导体集团
1
30/Jan/1998
BUZ 3 S
SPP31N05
最大额定值
参数
符号
值
单位
工作温度
储存温度
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 175
-55 ... + 175
°C
≤
2
≤
62
55 / 175 / 56
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
V
（ BR ） DSS
V
55
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 50 A
V
GS （ TH）
2.1
I
DSS
3
4
A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= -40 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
-
-
-
I
GSS
-
0.1
-
0.1
1
100
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 22 A
-
0.03
0.04
半导体集团
2
30/Jan/1998
BUZ 3 S
SPP31N05
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
跨
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 22 A
g
fs
S
10
-
-
pF
-
720
900
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
国际空间站
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
OSS
-
C
RSS
230
300
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
-
t
D（上）
125
160
ns
导通延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 31 A
R
G
= 13
-
t
r
10
15
上升时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 31 A
R
G
= 13
-
t
D（关闭）
25
40
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 31 A
R
G
= 13
-
t
f
25
40
下降时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 31 A
R
G
= 13
-
Q
G（ TH ）
20
30
nC
栅极电荷的门槛
V
DD
= 40 V,
I
D
= 0.1 A,
V
GS
= 0到1伏
-
Q
g(7)
0.7
1
栅极电荷为7.0 V
V
DD
= 40 V,
I
D
= 31 A,
V
GS
= 0到7V的
-
Q
克（总量）
20
30
栅极电荷总量
V
DD
= 40 V,
I
D
= 31 A,
V
GS
= 0到10伏
-
V
（高原）
25
40
V
栅极电压平台
V
DD
= 40 V,
I
D
= 31 A
半导体集团
-
3
5.9
-
30/Jan/1998
BUZ 3 S
SPP31N05
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管连续正向电流
T
C
= 25 °C
I
S
A
-
-
31
逆二极管直流，脉冲
T
C
= 25 °C
I
SM
-
V
SD
-
124
V
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 62 A
-
t
rr
1.2
1.8
ns
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的
-
Q
rr
55
85
C
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的
-
0.1
0.15
半导体集团
4
30/Jan/1998
BUZ 3 S
SPP31N05
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
32
80
W
P
合计
I
D
A
60
24
50
20
40
16
30
12
20
8
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
4
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
I
D
t
= 13.0s
p
Z
thJC
10
2
=
V
/
I
D
10
0
DS
10
-1
R
DS
(o
n)
100 s
D = 0.50
10
-2
0.20
0.10
0.05
10
1
1毫秒
10
-3
10毫秒
0.02
单脉冲
0.01
10
0
0
10
DC
10
1
V 10
2
10
-4
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
30/Jan/1998
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B43504A2128M007
BYV97G
BZD27C24P-GS18
B66361G0000X127
BYQ30EB-150
BC848WT/R
BR-HE133-05V
B1201UA4
B41851F9687M000
BZX2C56V
BUS-61560-XXXX
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