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ZXTS1000E6
12V PNP硅低饱和开关晶体管
和肖特基二极管
摘要
晶体管： V
首席执行官
= -12V ，我
C
= -1.25A
肖特基二极管： V
R
= 40V ;我
C
= 0.5A
描述
PNP晶体管，并包含在一个单一的6含铅肖特基势垒二极管
SOT23封装。
SOT23-6
特点
低饱和晶体管
高增益 - 最低300
低V
F
，快速开关肖特基
移动telecomms ， PCMCIA & SCSI
DC- DC转换器
应用
订购信息
设备
ZXTS1000E6TA
ZXTS1000E6TC
器件标识
1000
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
顶视图
第1期 - 2000年11月
1
ZXTS1000E6
绝对最大额定值。
参数
晶体管
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
肖特基二极管
连续反向电压
正向电流
不重复正向电流t≤100μs
T≤ 10毫秒
包
在T功耗
AMB
=25°C
“上”单管芯
这两个死“的”
存储温度范围
结温
P
D
T
英镑
T
j
0.725
0.885
-55到+150
125
W
W
°C
°C
V
R
I
F
I
FSM
40
0.5
6.75
3
V
A
A
A
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
-12
-12
-5
-1.25
V
V
V
A
符号
价值
单位
热阻
参数
结到环境（一）
“上”单管芯
这两个死“的”
符号
R
θJA
R
θJA
价值
138
113
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
第1期 - 2000年11月
2
ZXTS1000E6
晶体管典型特征
0.4
+25°C
0.4
IC/IB=50
V
CE （ SAT ）
- (V)
IC/IB=10
IC/IB=50
IC/IB=100
V
CE （ SAT ）
- (V)
0.3
0.3
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
0.2
0.2
0.1
0.1
0
1m
10m
100m
1
10
0
1m
10m
100m
1
10
I
C
- 集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
I
C
- 集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
800
VCE=2V
1.0
0.8
IC/IB=50
h
FE
- 典型增益
V
BE （ SAT ）
- (V)
600
+100°C
0.6
0.4
0.2
0
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
400
+25°C
200
-55°C
0
1m
10m
100m
1
I
C
- 集电极电流（ A）
10
1m
10m
100m
1
10
h
FE
V I
C
I
C
- 集电极电流（ A）
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.0
0.8
10
I
C
- 集电极电流（ A）
V
BE（上）
- (V)
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100s
0.6
0.4
0.2
0
-55°C
+25°C
+100°C
+150°C
100m
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
100
I
C
- 集电极电流（ A）
V
BE（上）
V I
C
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
安全工作区
第1期 - 2000年11月
3
ZXTS1000E6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位
条件。
晶体管电气特性
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-25
-55
-110
-160
-185
-990
-850
300
300
200
125
75
30
490
450
340
250
140
80
220
15
50
135
兆赫
pF
ns
ns
-12
-12
-5
-10
-10
-10
-40
-100
-175
-215
-240
-1100
-1000
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100A
I
C
= -10mA *
I
E
= -100A
V
CB
=-10V
V
EB
=-4V
V
CES = -10V
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-0.1A ，我
B
= -10mA *
-0.25A ，我
B
= -10毫安*
-0.5A ，我
B
= -10毫安*
-1A ，我
B
= -50mA *
-1.25A ，我
B
= -100mA *
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
I
C
= -1.25A ，我
B
= -100mA *
I
C
= -1.25A ，V
CE
= 2V*
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-10mA ，V
CE
=-2V*
-0.1A ，V
CE
= -2V*
-0.5A ，V
CE
= -2V*
-1.25A ，V
CE
=-2V*
-2A ，V
CE
= -2V*
-3A ，V
CE
= -2V*
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10 V
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -10V ，我
C
=-1A
I
B1
=I
B2
=-100mA
肖特基二极管电气特性
反向击穿电压
正向电压
V
（ BR ）R
V
F
40
60
270
300
370
425
550
640
810
15
20
10
300
350
460
550
670
780
1050
40
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
I
R
=200A
I
F
=50mA*
I
F
=100mA*
I
F
=250mA*
I
F
=500mA*
I
F
=750mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=30V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
I
R
C
D
t
rr
*脉冲条件下进行测定。
第1期 - 2000年11月
4
ZXTS1000E6
二极管典型特征
第1期 - 2000年11月
5
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ZAMP002
Z0803606LEJ
ZPSD402A2-C-70U
Z2W601-RB-10
ZXBM2002X10TC
Z85C30-16DCB
Z2SMB18
Z89393
ZHTM50/30
供货商
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数量
封装
单价/备注
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    ZXTS1000E6TA
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