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对产品线
Diodes公司
ZXTP718MA
20V PNP低饱和开关晶体管
特点和优点
BV
首席执行官
> -20V
I
C
= -3.5A连续集电极电流
低饱和电压( -220mV最大@ -1A )
R
SAT
= 64毫欧的低等效导通电阻
h
FE
指定多达-6A高电流增益保持
低调0.6毫米高的封装薄应用
R
θ
JA
效率,比SOT23低60%
2
4毫米足迹,比SOT23小50 %
无铅,符合RoHS (注1 )
卤素和无锑。 "Green"设备(注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: DFN2020B - 3
表壳材质:模压塑料。 “绿色”模塑料。
终端:预镀镍钯金引线框架。
标称封装高度: 0.6毫米
防火等级94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
重量: 0.01克(近似值)
应用
MOSFET栅极驱动
DC- DC转换器
充电电路
电源开关
电机控制
DFN2020B-3
C
B
E
顶视图
底部视图
设备符号
底部视图
引脚输出
订购信息
产品
ZXTP718MATA
ZXTP718MATC
注意事项:
记号
S2
S2
卷尺寸(英寸)
7
13
胶带宽度(mm)
8
8
QUANTITY每卷
3000
10000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
标识信息
S2
S2 =产品型号标识代码
顶视图
ZXTP718MA
文件编号DS31939版本4 - 2
1 7
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2010年12月
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对产品线
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ZXTP718MA
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
(注3)
(注4 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
价值
-25
-20
-7
-6
-3.5
-4.0
-1
单位
V
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
线性降额因子
热阻,结到环境
热阻,结领导
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
(注3)
P
D
(注4 )
(注3)
(注4 )
(注5 )
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J,
T
英镑
价值
1.5
12
2.45
19.6
83
51
16.8
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
3.对于设备的表面安装在31毫米X 31毫米(10厘米
2
) FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。整个暴露收集垫被连接到散热器上。
4.同注(3 ),除了该装置测量在t
5秒。
5.对于单个设备,热电阻结点到焊接点(在漏极引线的端部) 。
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热特性
2.0
最大功耗( W)
I
C
集电极电流( A)
10
V
CE ( SAT )
有限
1.5
1
10 sqcm
单身
1盎司铜
T
AMB
=25°C
DC
1s
100ms
1.0
0.1
10ms
1ms
100us
单脉冲,T
AMB
=25°C
0.5
0.01
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
150
1
10
V
CE
集电极 - 发射极电压( V)
温度(℃)
安全工作区
225
80
60
D=0.5
10 sqcm
单身
1盎司铜
降额曲线
热阻( ° C / W)
热阻( ° C / W)
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
1
2盎司覆铜
1盎司镀铜
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
10
100
脉冲宽度(S )
董事会铜区( sqcm )
瞬态热阻抗
3.5
T
AMB
=25°C
T
j max的情况
=150°C
连续
热电阻V电路板面积
P
D
耗散(W)的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
2盎司覆铜
1盎司镀铜
1
10
100
董事会铜区( sqcm )
功耗V电路板面积
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注6 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极Cuto FF电流
静态正向电流传输比
(注6 )
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE
-25
-20
-7
-
-
-
300
300
150
15
-
-
-
-
-
-
-
-
150
-
-
典型值
-35
-25
-8.5
-
-
-
475
450
230
30
-19
-170
-190
-240
-225
-0.87
-1.01
21
180
40
670
最大
-
-
-
-100
-100
-100
-
-
-
-
-30
-220
-250
-350
-300
-0.95
-1.120
30
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
nA
-
测试条件
I
C
= -100 A
I
C
= -10毫安
I
E
= -100 A
V
CB
= -20V
V
EB
= -6V
V
CES
= -16V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -100mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -2A ,V
CE
= -2V
I
C
= -6A ,V
CE
= -2V
I
C
= - 0.1A ,我
B
= -10mA
I
C
= -1A ,我
B
= -20mA
I
C
= -1.5A ,我
B
= -50mA
I
C
= -2.5A ,我
B
= -150mA
I
C
= -3.5A ,我
B
= -350mA
I
C
= -3.5A ,V
CE
= -2V
I
C
= -3.5A ,我
B
= -350mA
V
CB
= -10V 。 F = 1MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -50mA ,
F = 100MHz的
V
CC
= -10V ,我
C
= -1A
I
B1
= I
B2
= -10mA
集电极 - 发射极饱和电压
(注6 )
基射极导通电压(注6 )
基射极饱和电压(注6 )
输出电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
注意事项:
V
CE ( SAT )
mV
V
BE(上)
V
BE ( SAT )
C
敖包
f
T
t
on
t
关闭
V
V
pF
兆赫
ns
ns
脉冲条件下测得6 。脉冲宽度
300微秒。占空比
2%.
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典型电气特性
1
Tamb=25°C
0.25
I
C
/I
B
=50
0.20
V
CE ( SAT )
(V)
100m
I
C
/I
B
=100
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=10
V
CE ( SAT )
(V)
100°C
0.15
0.10
0.05
0.00
1m
25°C
-55°C
10m
1m
I
C
集电极电流( A)
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流( A)
10m
100m
1
10
V
CE ( SAT )
V I
C
1.4
1.2
100°C
V
CE
=2V
V
CE ( SAT )
V I
C
630
1.0
I
C
/I
B
=50
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1m
25°C
360
270
V
BE ( SAT )
(V)
1.0
450
典型增益(H
FE
)
540
归一化增益
0.8
-55°C
0.6
25°C
100°C
-55°C
180
90
0.4
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
0
10
I
C
集电极电流( A)
I
C
集电极电流( A)
h
FE
V I
C
1.0
0.8
V
CE
=2V
V
BE ( SAT )
V I
C
V
BE(上)
(V)
-55°C
0.6
25°C
0.4
0.2
1m
100°C
I
C
集电极电流( A)
10m
100m
1
10
V
BE(上)
V I
C
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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