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对产品线
Diodes公司
ZXTP717MA
12V PNP低饱和开关晶体管
特点和优点
BV
首席执行官
> -12V
I
C
= -4A连续集电极电流
低饱和电压( -140mV最大@ -1A )
R
SAT
= 60毫欧的低等效导通电阻
h
FE
指定最多-10A的高电流增益保持
低调0.6毫米高的封装薄应用
R
θ
JA
效率,比SOT23低60%
2
4毫米足迹,比SOT23小50 %
无铅,符合RoHS (注1 )
卤素和无锑。 "Green"设备(注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: DFN2020B - 3
表壳材质:模压塑料。 “绿色”模塑料。
终端:预镀镍钯金引线框架。
标称封装高度: 0.6毫米
防火等级94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
重量: 0.01克(近似值)
应用
MOSFET栅极驱动
DC- DC转换器
充电电路
电源开关
电机控制
DFN2020B-3
C
B
E
顶视图
底部视图
设备符号
底部视图
引脚输出
订购信息
(注3)
产品
ZXTP717MATA
注意事项:
记号
S1
卷尺寸(英寸)
7
胶带宽度(mm)
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.对于包装的详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
S1
S1 =产品型号标识代码
顶视图
ZXTP717MA
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1 7
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2011年1月
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对产品线
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ZXTP717MA
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
(注4 )
(注5 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
价值
-20
-12
-7
-12
-4
-4.5
-1
单位
V
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
线性降额因子
热阻,结到环境
热阻,结领导
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
(注4 )
P
D
(注5 )
(注4 )
(注5 )
(注6 )
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J,
T
英镑
价值
1.5
12
2.45
19.6
83
51
16.8
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
4,对于设备的表面安装在31毫米X 31毫米(10厘米
2
) FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。整个暴露收集垫被连接到散热器上。
5.同注(4 ),除了该装置测量在t
5秒。
6.对于单个设备,热电阻结点到焊接点(在漏极引线的端部) 。
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2 7
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ZXTP717MA
热特性
2.0
有限
最大功耗( W)
I
C
集电极电流( A)
10
V
CE ( SAT )
1.5
1
DC
1s
100ms
10 sqcm
单身
1盎司铜
T
AMB
=25°C
1.0
0.1
10ms
1ms
100us
单脉冲,T
AMB
=25°C
0.5
0.01
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
150
1
10
V
CE
集电极 - 发射极电压( V)
温度(℃)
安全工作区
225
80
60
D=0.5
10 sqcm
单身
1盎司铜
降额曲线
热阻( ° C / W)
热阻( ° C / W)
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
1
2盎司覆铜
1盎司镀铜
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
10
100
脉冲宽度(S )
董事会铜区( sqcm )
瞬态热阻抗
3.5
T
AMB
=25°C
T
j max的情况
=150°C
连续
热电阻V电路板面积
P
D
耗散(W)的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
2盎司覆铜
1盎司镀铜
1
10
100
董事会铜区( sqcm )
功耗V电路板面积
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ZXTP717MA
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注7 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极Cuto FF电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
-20
-12
-7
-
-
-
300
300
180
60
45
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
-
典型值
-35
-25
-8.5
-
-
-
475
450
275
100
70
-10
-100
-100
-195
-240
-0.87
-0.97
21
110
70
130
最大
-
-
-
-100
-100
-100
-
-
-
-
-
-17
-140
-150
-300
-310
-0.96
-1.07
30
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= -100 A
I
C
= -10毫安
I
E
= -100 A
V
CB
= -16V
V
EB
= -6V
V
CES
= -10V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -100mA ,V
CE
= -2V
I
C
= -2.5A ,V
CE
= -2V
I
C
= -8A ,V
CE
= -2V
I
C
= -10A ,V
CE
= -2V
I
C
= - 0.1A ,我
B
= -10mA
I
C
= -1A ,我
B
= -10mA
I
C
= -1.5A ,我
B
= -50mA
I
C
= -3A ,我
B
= -50mA
I
C
= -4A ,我
B
= -150mA
I
C
= -4A ,V
CE
= -2V
I
C
= -4A ,我
B
= -150mA
V
CB
= -10V 。 F = 1MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -50mA ,
F = 100MHz的
V
CC
= -6V ,我
C
= -2A
I
B1
= I
B2
= -50mA
静态正向电流传输比(注7 )
h
FE
-
集电极 - 发射极饱和电压(注7 )
V
CE ( SAT )
mV
基射极导通电压(注7 )
基射极饱和电压(注7 )
输出电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
注意事项:
V
BE(上)
V
BE ( SAT )
C
敖包
f
T
t
on
t
关闭
V
V
pF
兆赫
ns
ns
脉冲条件下7.测定。脉冲宽度
300微秒。占空比
2%.
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典型电气特性
0.25
Tamb=25°C
I
C
/I
B
=50
100m
0.20
V
CE ( SAT )
(V)
V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=100
0.15
0.10
0.05
0.00
1m
100°C
25°C
-55°C
10m
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=10
1m
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流( A)
I
C
集电极电流( A)
V
CE ( SAT )
V I
C
1.4
1.2
100°C
V
CE
=2V
V
CE ( SAT )
V I
C
630
1.0
I
C
/I
B
=50
V
BE ( SAT )
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1m
10m
100m
1
10
-55°C
25°C
450
360
270
180
90
0
典型增益(H
FE
)
540
归一化增益
0.8
-55°C
0.6
25°C
100°C
0.4
1m
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流( A)
I
C
集电极电流( A)
h
FE
V I
C
V
BE ( SAT )
V I
C
1.0
0.8
V
CE
=2V
V
BE(上)
(V)
-55°C
0.6
25°C
0.4
0.2
1m
100°C
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流( A)
V
BE(上)
V I
C
ZXTP717MA
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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