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ZXTP25020CFF
20V ， SOT23F ， PNP中功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -7V
I
C（ CONT ）
= -4.5A
R
CE （ SAT ）
= 41m
V
CE （ SAT ）
< -65mV @ 1A
P
D
= 1.5W
描述
先进过程能力和包装最大化功率
处理这种小外形晶体管的性能。相反
阻塞晶体管的能力，通常会导致在消除
一个串联的肖特基二极管通常需要用双极性
晶体管或在电池充电应用中使用时的MOSFET。
C
B
特点
20V PNP
极低的饱和电压
7V反向阻断能力的
高脉冲电流
低调SOT23F包
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
手机充电电路
在便携式产品中断开开关
高侧驱动
电机控制
DC- DC转换器
MOSFET和IGBT栅极驱动
订购信息
设备
ZXTP25020CFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1F4
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP25020CFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-25
-20
-7
-7
-4.5
-10
-1
0.79
6.3
1.13
9
1.50
12.0
1.96
15.7
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
158.7
110.4
83.3
63.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTP25020CFF
特征
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
3
www.zetex.com
ZXTP25020CFF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-25
-20
-7
-7
-7
典型值。
-50
-35
-8.2
-8.0
-8.8
<-1
-50
-20
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
<-1
-50
-80
-135
-210
基射极饱和电压V
BE （ SAT ）
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE（上）
h
FE
200
150
85
-50
-65
-110
-185
-260
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
I
E
= -100 A
(*)
R
BC
＆ LT ; 10K
或-0.25 < V
BC
<0.25V
I
E
= -100uA
(*)
V
CB
= -20V
V
CB
= -20V ，T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -4.5A ，我
B
= -225mA
(*)
I
C
= -4.5A ，我
B
= -225mA
(*)
I
C
= -4.5A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 100MHz的
40
pF
ns
ns
ns
ns
2%.
-950 -1050
-840
350
250
140
40
-950
500
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
285
32.4
38.4
49.2
168
55
300秒;占空比
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -15V.
I
C
= -750mA ，
I
B1
= I
B2
= -15mA 。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
4
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ZXTP25020CFF
典型特征
第1期 - 2007年2月
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5
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ZXTP25020CFF
20V ， SOT23F ， PNP中功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -7V
I
C（ CONT ）
= -4.5A
R
CE （ SAT ）
= 41m
V
CE （ SAT ）
< -65mV @ 1A
P
D
= 1.5W
描述
先进过程能力和包装最大化功率
处理这种小外形晶体管的性能。相反
阻塞晶体管的能力，通常会导致在消除
一个串联的肖特基二极管通常需要用双极性
晶体管或在电池充电应用中使用时的MOSFET。
C
B
特点
20V PNP
极低的饱和电压
7V反向阻断能力的
高脉冲电流
低调SOT23F包
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
手机充电电路
在便携式产品中断开开关
高侧驱动
电机控制
DC- DC转换器
MOSFET和IGBT栅极驱动
订购信息
设备
ZXTP25020CFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1F4
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
1
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ZXTP25020CFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-25
-20
-7
-7
-4.5
-10
-1
0.79
6.3
1.13
9
1.50
12.0
1.96
15.7
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
158.7
110.4
83.3
63.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2007年2月
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ZXTP25020CFF
特征
第1期 - 2007年2月
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ZXTP25020CFF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-25
-20
-7
-7
-7
典型值。
-50
-35
-8.2
-8.0
-8.8
<-1
-50
-20
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
<-1
-50
-80
-135
-210
基射极饱和电压V
BE （ SAT ）
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE（上）
h
FE
200
150
85
-50
-65
-110
-185
-260
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
I
E
= -100 A
(*)
R
BC
＆ LT ; 10K
或-0.25 < V
BC
<0.25V
I
E
= -100uA
(*)
V
CB
= -20V
V
CB
= -20V ，T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -4.5A ，我
B
= -225mA
(*)
I
C
= -4.5A ，我
B
= -225mA
(*)
I
C
= -4.5A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 100MHz的
40
pF
ns
ns
ns
ns
2%.
-950 -1050
-840
350
250
140
40
-950
500
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
285
32.4
38.4
49.2
168
55
300秒;占空比
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -15V.
I
C
= -750mA ，
I
B1
= I
B2
= -15mA 。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年2月
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典型特征
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ZULU-T868
ZLF645E0P2864G
ZT483ECP
ZXMN2A01
ZPSD412A2V-C-20UI
ZTX500
Z15L431
ZV700
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXTP25020CFF
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    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZXTP25020CFF
DIODES/美台
21+
17600
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
深圳市春东电子有限公司
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电话：0755-82563615/82563213
联系人：朱先生/王小姐
地址：深圳华强北上步204栋520室
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DIODES
2425+
11280
SOT-23
进口原装!优势现货!
北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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DIODES/美台
18+
3000
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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