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ZXTP25012EFH
12V , SOT23 , PNP中等功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -12V
h
FE
& GT ; 500
I
C( CONT )
= -4A
R
CE ( SAT )
= 40m
V
CE ( SAT )
< -65mV @ 1A
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTN25012EFH
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
峰值电流
非常高的增益,最低500
低饱和电压
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
直流 - 直流转换器
电机驱动
高端驱动器
线路断路开关
订购信息
设备
ZXTP25012EFHTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1E8
第1期 - 2007年1月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP25012EFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(b)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-12
-12
-7
-4
-1
-10
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(四)上述(c)在t<5secs测
第1期 - 2007年1月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTP25012EFH
特征
第1期 - 2007年1月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTP25012EFH
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
符号
BV
CBO
分钟。
-12
-12
-7
典型值。
-35
-25
-8.5
<-1
-50
-20
I
EBO
V
CE ( SAT )
<-1
-50
-150
-175
-160
基射极饱和
电压
V
BE ( SAT )
-970
-825
500
300
50
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
800
450
100
310
16.9
41
62
179
65
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
-50
-65
-260
-350
-210
-1050
-950
1500
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
V
CB
= -9.6V
V
CB
= -9.6V ,T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -2A ,我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -4A ,我
B
= -400mA
(*)
I
C
= -4A ,我
B
= -400mA
(*)
I
C
= -4A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -50mA ,V
CE
= -10V
F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -10V
I
C
= -1A,
I
B1
= I
B2
= -10mA
集电极 - 发射极击穿BV
首席执行官
电压(基本开)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
BV
EBO
I
CBO
基极 - 发射极导通电压V
BE(上)
静态正向电流
传输比
h
FE
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第1期 - 2007年1月
捷特科PLC 2007
4
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ZXTP25012EFH
典型特征
第1期 - 2007年1月
捷特科PLC 2007
5
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    ZXTP25012EFH
    -
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    -
    -
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZXTP25012EFH
DIODES/美台
22+
32570
SOT23
全新原装正品/质量有保证
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ZXTP25012EFH
DIODES/美台
22+
32570
SOT23
全新原装正品/质量有保证
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