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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第89页 > ZXTP23015CFH
ZXTP23015CFH
15V , SOT23 , PNP中等功率晶体管
摘要
V
( BR ) CES
> -15V ,V
( BR ) CEO
> -15V
V
( BR ) ECO
> -6V
I
C( CONT )
= -6A
R
CE ( SAT )
= 20m
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTN23015CFH
典型
V
CE ( SAT )
< -36mV @ -1A
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特征
更高的功耗SOT23封装
峰值电流
低饱和电压
15V正向阻断电压
6V反向阻断电压
E
应用
高压侧隔离开关
直流 - 直流转换器
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
继电器,指示灯,以及螺线管驱动
E
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP23015CFHTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
8mm
QUANTITY每卷
3000
器件标识
317
第2期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP23015CFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(c)
连续集电极电流
(d)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
(a)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(b)
线性降额因子
(b)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(c)
线性降额因子
(c)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(d)
线性降额因子
(d)
工作和存储温度
T
j
:T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
( BR ) CES
V
首席执行官
V
EBO
V
ECO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
极限
-15
-15
-15
-7.0
-6.0
-10
-5
-6
-1.2
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55
+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
171
119
100
69
单位
o
o
o
o
C / W
C / W
C / W
C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第2期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTP23015CFH
特征
第2期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTP23015CFH
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
分钟。
-15
-15
-15
-7.0
-6.0
典型值。
-40
-40
-25
-8.2
-8.5
-20
-20
-10
200
200
140
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE ( SAT )
380
350
220
-6
-27
-90
-140
基射极饱和电压
V
BE ( SAT )
-10
-36
-120
-190
mV
mV
mV
mV
V
V
V
560
MAX 。单位条件
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
I
C
=-100 A
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA
(*)
I
E
=-100 A
I
E
=-100 A
V
CE
=-12V
V
CB
=-12V
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ,V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V
IC = -6A ,V
CE
=-2V
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
(*)
I
C
= -3A ,我
B
=-60mA
(*)
I
C
= -6A ,我
B
=-240mA
(*)
I
C
= -3A ,我
B
=-60mA
(*)
I
C
= -6A ,我
B
=-240mA
(*)
I
C
= -6A ,V
CE
=-2V
(*)
集电极 - 基极击穿电压V
( BR ) CBO
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
V
( BR ) CES
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) ECO
I
CES
I
CBO
I
EBO
H
FE
-0.83 -0.93
-0.93 -1.03
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
BE(上)
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
( STG )
t
(f)
-0.83 -0.93
270
78.4
16
13
123
9
兆赫IC = -500mA ,V
CE
=-2V,
f=50MHz
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
V
CC
= -5V ,我
C
=-3A,
I
B1
=I
B2
=-150mA
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300 S.占空比
2%.
第2期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
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典型特征
第2期 - 2007年5月
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15V , SOT23 , PNP中等功率晶体管
摘要
V
( BR ) CES
> -15V ,V
( BR ) CEO
> -15V
V
( BR ) ECO
> -6V
I
C( CONT )
= -6A
R
CE ( SAT )
= 20m
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTN23015CFH
典型
V
CE ( SAT )
< -36mV @ -1A
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
特征
更高的功耗SOT23封装
峰值电流
低饱和电压
15V正向阻断电压
6V反向阻断电压
应用
高压侧隔离开关
直流 - 直流转换器
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
继电器,指示灯,以及螺线管驱动
E
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP23015CFHTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
8mm
QUANTITY每卷
3000
器件标识
317
第1期 - 2006年2月
捷特科PLC 2006
1
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ZXTP23015CFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(c)
连续集电极电流
(d)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
(a)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(b)
线性降额因子
(b)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(c)
线性降额因子
(c)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(d)
线性降额因子
(d)
工作和存储温度
T
j
:T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
( BR ) CES
V
首席执行官
V
EBO
V
ECO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
极限
-15
-15
-15
-7.0
-6.0
-10
-5
-6
-1.2
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55
+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
171
119
100
69
单位
o
o
o
o
C / W
C / W
C / W
C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年2月
捷特科PLC 2006
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特征
第1期 - 2006年2月
捷特科PLC 2006
3
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ZXTP23015CFH
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
分钟。
-15
-15
-15
-7.0
-6.0
典型值。
-40
-40
-25
-8.2
-8.5
-20
-20
-10
200
200
140
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE ( SAT )
380
350
220
-6
-27
-90
-140
基射极饱和电压
V
BE ( SAT )
-10
-36
-120
-190
mV
mV
mV
mV
V
V
V
560
MAX 。单位条件
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
I
C
=-100 A
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA
(*)
I
E
=-100 A
I
E
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CE
=-12V
V
CB
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EB
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I
C
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CE
=-2V
(*)
I
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IC = -6A ,V
CE
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B
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(*)
I
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B
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(*)
I
C
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B
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I
C
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B
=-240mA
(*)
I
C
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B
=-60mA
(*)
I
C
= -6A ,我
B
=-240mA
(*)
I
C
= -6A ,V
CE
=-2V
(*)
集电极 - 基极击穿电压V
( BR ) CBO
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
V
( BR ) CES
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) ECO
I
CES
I
CBO
I
EBO
H
FE
-0.83 -0.93
-0.93 -1.03
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
BE(上)
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
( STG )
t
(f)
-0.83 -0.93
270
78.4
14
35
138
17.4
兆赫IC = -500mA ,V
CE
=-2V,
f=50MHz
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
V
CC
= -5V ,我
C
=-3A,
I
B1
=I
B2
=-150mA
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300 S.占空比
2%.
第1期 - 2006年2月
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典型特征
第1期 - 2006年2月
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15V , SOT23 , PNP中等功率晶体管
摘要
V
( BR ) CES
> -15V ,V
( BR ) CEO
> -15V
V
( BR ) ECO
> -6V
I
C( CONT )
= -6A
R
CE ( SAT )
= 20m
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTN23015CFH
典型
V
CE ( SAT )
< -36mV @ -1A
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
特征
更高的功耗SOT23封装
峰值电流
低饱和电压
15V正向阻断电压
6V反向阻断电压
应用
高压侧隔离开关
直流 - 直流转换器
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
继电器,指示灯,以及螺线管驱动
E
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP23015CFHTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
8mm
QUANTITY每卷
3000
器件标识
317
第1期 - 2006年2月
捷特科PLC 2006
1
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ZXTP23015CFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(c)
连续集电极电流
(d)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
(a)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
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线性降额因子
(b)
功率耗散@ T
A
=25
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C
(c)
线性降额因子
(c)
功率耗散@ T
A
=25
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C
(d)
线性降额因子
(d)
工作和存储温度
T
j
:T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
( BR ) CES
V
首席执行官
V
EBO
V
ECO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
极限
-15
-15
-15
-7.0
-6.0
-10
-5
-6
-1.2
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55
+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
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W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
171
119
100
69
单位
o
o
o
o
C / W
C / W
C / W
C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
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特征
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电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
分钟。
-15
-15
-15
-7.0
-6.0
典型值。
-40
-40
-25
-8.2
-8.5
-20
-20
-10
200
200
140
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE ( SAT )
380
350
220
-6
-27
-90
-140
基射极饱和电压
V
BE ( SAT )
-10
-36
-120
-190
mV
mV
mV
mV
V
V
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560
MAX 。单位条件
V
V
V
V
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nA
nA
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I
C
=-100 A
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C
=-100 A
I
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=-10mA
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I
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=-100 A
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E
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CE
=-12V
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EB
=-6V
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CE
=-2V
(*)
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V
IC = -6A ,V
CE
=-2V
I
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I
C
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=-240mA
(*)
I
C
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CE
=-2V
(*)
集电极 - 基极击穿电压V
( BR ) CBO
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
V
( BR ) CES
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) ECO
I
CES
I
CBO
I
EBO
H
FE
-0.83 -0.93
-0.93 -1.03
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
BE(上)
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
( STG )
t
(f)
-0.83 -0.93
270
78.4
14
35
138
17.4
兆赫IC = -500mA ,V
CE
=-2V,
f=50MHz
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
V
CC
= -5V ,我
C
=-3A,
I
B1
=I
B2
=-150mA
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300 S.占空比
2%.
第1期 - 2006年2月
捷特科PLC 2006
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典型特征
第1期 - 2006年2月
捷特科PLC 2006
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ZXTP23015CFH
15V , SOT23 , PNP中等功率晶体管
摘要
V
( BR ) CES
> -15V ,V
( BR ) CEO
> -15V
V
( BR ) ECO
> -6V
I
C( CONT )
= -6A
R
CE ( SAT )
= 20m
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTN23015CFH
典型
V
CE ( SAT )
< -36mV @ -1A
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特征
更高的功耗SOT23封装
峰值电流
低饱和电压
15V正向阻断电压
6V反向阻断电压
E
应用
高压侧隔离开关
直流 - 直流转换器
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
继电器,指示灯,以及螺线管驱动
E
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP23015CFHTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
8mm
QUANTITY每卷
3000
器件标识
317
第2期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
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ZXTP23015CFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(c)
连续集电极电流
(d)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
(a)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(b)
线性降额因子
(b)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(c)
线性降额因子
(c)
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(d)
线性降额因子
(d)
工作和存储温度
T
j
:T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
( BR ) CES
V
首席执行官
V
EBO
V
ECO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
极限
-15
-15
-15
-7.0
-6.0
-10
-5
-6
-1.2
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
-55
+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
171
119
100
69
单位
o
o
o
o
C / W
C / W
C / W
C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
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ZXTP23015CFH
特征
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ZXTP23015CFH
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
分钟。
-15
-15
-15
-7.0
-6.0
典型值。
-40
-40
-25
-8.2
-8.5
-20
-20
-10
200
200
140
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE ( SAT )
380
350
220
-6
-27
-90
-140
基射极饱和电压
V
BE ( SAT )
-10
-36
-120
-190
mV
mV
mV
mV
V
V
V
560
MAX 。单位条件
V
V
V
V
V
nA
nA
nA
I
C
=-100 A
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA
(*)
I
E
=-100 A
I
E
=-100 A
V
CE
=-12V
V
CB
=-12V
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ,V
CE
=-2V
(*)
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V
IC = -6A ,V
CE
=-2V
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
(*)
I
C
= -3A ,我
B
=-60mA
(*)
I
C
= -6A ,我
B
=-240mA
(*)
I
C
= -3A ,我
B
=-60mA
(*)
I
C
= -6A ,我
B
=-240mA
(*)
I
C
= -6A ,V
CE
=-2V
(*)
集电极 - 基极击穿电压V
( BR ) CBO
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
V
( BR ) CES
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) ECO
I
CES
I
CBO
I
EBO
H
FE
-0.83 -0.93
-0.93 -1.03
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
BE(上)
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
( STG )
t
(f)
-0.83 -0.93
270
78.4
16
13
123
9
兆赫IC = -500mA ,V
CE
=-2V,
f=50MHz
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
V
CC
= -5V ,我
C
=-3A,
I
B1
=I
B2
=-150mA
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300 S.占空比
2%.
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ZXTP23015CFH
典型特征
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