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ZXTP2014Z
140V PNP低饱和中功率晶体管SOT89
摘要
BV
首席执行官
= -140V ，R
SAT
= 85米;我
C
= -3A
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和140V PNP晶体管
提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路，线路使用
开关和各种驱动和电源管理功能。
特点
3安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT89
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡（ SLIC ）
订购信息
设备
REEL
SIZE
7"
胶带宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
ZXTP2014ZTA
引脚
器件标识
955
顶视图
第2期 - 2005年8月
1
半导体
ZXTP2014Z
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
功耗在T A = 25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
-180
-140
-7
-3
-10
1.5
12
2.1
16.8
-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
83
60
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第2期 - 2005年8月
半导体
2
ZXTP2014Z
特征
第2期 - 2005年8月
3
半导体
ZXTP2014Z
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
1
-37
-50
-80
-255
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
45
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
-910
-800
225
200
100
5
120
33
42
636
300
分钟。
-180
-180
-140
-7.0
典型值。
-200
-200
-160
-8.0
1
1
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-60
-75
-115
-330
-1010
-900
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100 A
I
C
= -1 ， RB
I
C
= -10mA *
I
E
= -100 A
V
CB
= -150V
V
CB
= -150V ，T
AMB
=100 C
V
CB
= -150V
V
CB
= -150V ，T
AMB
=100 C
V
EB
= -6V
I
C
= -0.1A ，我
B
= -5mA *
I
C
= -0.5A ，我
B
= -50mA *
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA *
I
C
= -3A ，我
B
= -300mA *
I
C
= -3A ，我
B
= -300mA *
I
C
= -3A ，V
CE
= -5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V*
I
C
= -1A ，V
CE
= -5V*
I
C
= -3A ，V
CE
= -5V*
I
C
= -10A ，V
CE
= -5V*
兆赫我
C
= -100mA ，V
CE
= -10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的*
I
C
= -1A ，V
CC
= -50V,
I
B1
= -I
B2
= -100mA
1k
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2005年8月
半导体
4
ZXTP2014Z
典型特征
第2期 - 2005年8月
5
半导体
ZXTP2014Z
140V PNP低饱和中功率晶体管SOT89
摘要
BV
首席执行官
= -140V ，R
SAT
= 85米;我
C
= -3A
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和140V PNP晶体管
提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路，线路使用
开关和各种驱动和电源管理功能。
特点
3安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT89
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡（ SLIC ）
订购信息
设备
REEL
SIZE
7"
胶带宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
ZXTP2014ZTA
引脚
器件标识
955
顶视图
第2期 - 2005年8月
1
半导体
ZXTP2014Z
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
功耗在T A = 25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
-180
-140
-7
-3
-10
1.5
12
2.1
16.8
-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
83
60
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第2期 - 2005年8月
半导体
2
ZXTP2014Z
特征
第2期 - 2005年8月
3
半导体
ZXTP2014Z
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
1
-37
-50
-80
-255
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
45
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
-910
-800
225
200
100
5
120
33
42
636
300
分钟。
-180
-180
-140
-7.0
典型值。
-200
-200
-160
-8.0
1
1
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-60
-75
-115
-330
-1010
-900
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100 A
I
C
= -1 ， RB
I
C
= -10mA *
I
E
= -100 A
V
CB
= -150V
V
CB
= -150V ，T
AMB
=100 C
V
CB
= -150V
V
CB
= -150V ，T
AMB
=100 C
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EB
= -6V
I
C
= -0.1A ，我
B
= -5mA *
I
C
= -0.5A ，我
B
= -50mA *
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA *
I
C
= -3A ，我
B
= -300mA *
I
C
= -3A ，我
B
= -300mA *
I
C
= -3A ，V
CE
= -5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5V*
I
C
= -1A ，V
CE
= -5V*
I
C
= -3A ，V
CE
= -5V*
I
C
= -10A ，V
CE
= -5V*
兆赫我
C
= -100mA ，V
CE
= -10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的*
I
C
= -1A ，V
CC
= -50V,
I
B1
= -I
B2
= -100mA
1k
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2005年8月
半导体
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典型特征
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联系人：欧阳
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