【ZXTP2012Z60V PNP低饱和中功率晶体管SOT89摘要BV首席执行官= -60V ，RSA】,IC型号ZXTP2012Z,ZXTP2012Z PDF资料,ZXTP2012Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXTP2012Z

60V PNP低饱和中功率晶体管SOT89

摘要

首席执行官

= -60V ，R

SAT

= 32米;我

= -4.3A

描述

打包在SOT89概述这一新的低饱和60V PNP晶体管

提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路，线路使用

开关和各种驱动和电源管理功能。

特点

极低的等效导通电阻;

SAT

= 32mV为5A

4.3安培连续电流

截至15安培峰值电流

极低的饱和电压

指定可达10安培出色的增益特性

SOT89

应用

应急照明电路

电机驱动（包括直流风扇）

电磁阀，继电器和执行器的驱动程序

直流 - 直流模块

背光逆变器

电源开关

MOSFET栅极驱动器

引脚

订购信息

设备

ZXTP2012ZTA

REEL

SIZE

7”

TAPE

宽度

12mm

压花

单位数量

REEL

1000台

器件标识

951

顶视图

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

(a)

峰值脉冲电流

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

(b)

符号

CBO

首席执行官

EBO

极限

-100

-60

-7

-4.3

-15

1.5

2.1

16.8

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

符号

价值

单位

° C / W

笔记

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。

（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

特征

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

CBO

CER

首席执行官

EBO

CBO

CER

EBO

CE （ SAT ）

-14

-50

-75

-160

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

BE （ SAT ）

BE（上）

100

跃迁频率

输出电容

开关时间

敖包

关闭

-950

-840

250

200

120

370

300

分钟。

-100

-60

-7

典型值。

-120

-80

-8.1

-20

-0.5

-20

-0.5

-10

-20

-65

-110

-215

-1050

-950

MAX 。单位条件

=-100 A

= -1 ， RB 1K

=-10mA*

=-100 A

=-80V

=-80V,T

AMB

=100 C

=-80V

=-80V,T

AMB

=100 C

=-6V

= -0.1A ，我

=-10mA*

= -1A ，我

=-100mA*

= -2A ，我

=-200mA*

= -5A ，我

=-500mA*

= -5A ，我

=-500mA*

= -5A ，V

=-1V*

= -10mA ，V

=-1V*

= -2A ，V

=-1V*

= -5A ，V

=-1V*

= -10A ，V

=-1V*

兆赫我

= -100mA ，V

=-10V

f=50MHz

= -10V ， F = 1MHz的*

= -1A ，V

=-10V,

=-100mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

300秒;占空比

2%.

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

典型特征

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

60V PNP低饱和中功率晶体管SOT89

摘要

首席执行官

= -60V ，R

SAT

= 32米;我

= -4.3A

描述

打包在SOT89概述这一新的低饱和60V PNP晶体管

提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路，线路使用

开关和各种驱动和电源管理功能。

特点

极低的等效导通电阻;

SAT

= 32mV为5A

4.3安培连续电流

截至15安培峰值电流

极低的饱和电压

指定可达10安培出色的增益特性

SOT89

应用

应急照明电路

电机驱动（包括直流风扇）

电磁阀，继电器和执行器的驱动程序

直流 - 直流模块

背光逆变器

电源开关

MOSFET栅极驱动器

引脚

订购信息

设备

ZXTP2012ZTA

REEL

SIZE

7”

TAPE

宽度

12mm

压花

单位数量

REEL

1000台

器件标识

951

顶视图

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

(a)

峰值脉冲电流

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

(b)

符号

CBO

首席执行官

EBO

极限

-100

-60

-7

-4.3

-15

1.5

2.1

16.8

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

符号

价值

单位

° C / W

笔记

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。

（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

特征

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

CBO

CER

首席执行官

EBO

CBO

CER

EBO

CE （ SAT ）

-14

-50

-75

-160

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

BE （ SAT ）

BE（上）

100

跃迁频率

输出电容

开关时间

敖包

关闭

-950

-840

250

200

120

370

300

分钟。

-100

-60

-7

典型值。

-120

-80

-8.1

-20

-0.5

-20

-0.5

-10

-20

-65

-110

-215

-1050

-950

MAX 。单位条件

=-100 A

= -1 ， RB 1K

=-10mA*

=-100 A

=-80V

=-80V,T

AMB

=100 C

=-80V

=-80V,T

AMB

=100 C

=-6V

= -0.1A ，我

=-10mA*

= -1A ，我

=-100mA*

= -2A ，我

=-200mA*

= -5A ，我

=-500mA*

= -5A ，我

=-500mA*

= -5A ，V

=-1V*

= -10mA ，V

=-1V*

= -2A ，V

=-1V*

= -5A ，V

=-1V*

= -10A ，V

=-1V*

兆赫我

= -100mA ，V

=-10V

f=50MHz

= -10V ， F = 1MHz的*

= -1A ，V

=-10V,

=-100mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

300秒;占空比

2%.

第1期 - 2005年6月

半导体

ZXTP2012Z

典型特征

第1期 - 2005年6月

半导体