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ZXTP2012G
60V PNP中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= -60V ，R
SAT
= 39米;我
C
= -5.5A
描述
打包在SOT223外形这个新的低饱和60V PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
极低的等效导通电阻;
R
SAT
= 39mV为5A
5.5安培连续电流
截至15安培峰值电流
极低的饱和电压
指定可达10安培出色的增益特性
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
MOSFET栅极驱动器
充电电路
电源开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXTP2012GTA
ZXTP2012GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
4000台
器件标识
ZXTP
2012
顶视图
第1期 - 2005年6月
1
半导体
ZXTP2012G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
-100
-60
-7
-5.5
-15
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2005年6月
半导体
2
ZXTP2012G
特征
第1期 - 2005年6月
3
半导体
ZXTP2012G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
R
I
EBO
V
CE （ SAT ）
1k
1
-15
-55
-90
-195
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
H
FE
100
100
45
10
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
-1030
-920
250
200
90
25
120
48
39
370
300
分钟。
-100
-100
-60
-7
典型值。
-120
-120
-80
-8.1
1
1
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-25
-70
-120
-250
-1150
-1020
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-100 A
I
C
= -1 ， RB 1K
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-80V
V
CB
=-80V,T
AMB
=100 C
V
CB
=-80V
V
CB
=-80V,T
AMB
=100 C
V
EB
=-6V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -5A ，我
B
=-500mA*
I
C
= -5A ，我
B
=-500mA*
I
C
= -5A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -5A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-1V*
兆赫我
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第1期 - 2005年6月
半导体
4
ZXTP2012G
典型特征
第1期 - 2005年6月
5
半导体
ZXTP2012G
60V PNP中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= -60V ，R
SAT
= 39米;我
C
= -5.5A
描述
打包在SOT223外形这个新的低饱和60V PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
极低的等效导通电阻;
R
SAT
= 39mV为5A
5.5安培连续电流
截至15安培峰值电流
极低的饱和电压
指定可达10安培出色的增益特性
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
MOSFET栅极驱动器
充电电路
电源开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXTP2012GTA
ZXTP2012GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
4000台
器件标识
ZXTP
2012
顶视图
第1期 - 2005年6月
1
半导体
ZXTP2012G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
-100
-60
-7
-5.5
-15
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2005年6月
半导体
2
ZXTP2012G
特征
第1期 - 2005年6月
3
半导体
ZXTP2012G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
R
I
EBO
V
CE （ SAT ）
1k
1
-15
-55
-90
-195
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
H
FE
100
100
45
10
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
-1030
-920
250
200
90
25
120
48
39
370
300
分钟。
-100
-100
-60
-7
典型值。
-120
-120
-80
-8.1
1
1
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-25
-70
-120
-250
-1150
-1020
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-100 A
I
C
= -1 ， RB 1K
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-80V
V
CB
=-80V,T
AMB
=100 C
V
CB
=-80V
V
CB
=-80V,T
AMB
=100 C
V
EB
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I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -5A ，我
B
=-500mA*
I
C
= -5A ，我
B
=-500mA*
I
C
= -5A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-1V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -5A ，V
CE
=-1V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-1V*
兆赫我
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第1期 - 2005年6月
半导体
4
ZXTP2012G
典型特征
第1期 - 2005年6月
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Z8F1622VS020EC
Z8F3222VS020AC
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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