【ZXTP2008Z30V PNP低饱和中功率晶体管SOT89摘要BV首席执行官= -30V ，RSA】,IC型号ZXTP2008Z,ZXTP2008Z PDF资料,ZXTP2008Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXTP2008Z

30V PNP低饱和中功率晶体管SOT89

摘要

首席执行官

= -30V ，R

SAT

= 24米;我

= -5.5A

描述

打包在SOT89概述这一新的低饱和度

30V PNP晶体管提供低通态损耗使

非常适合于直流 - 直流电路，线路交换和使用

各种驱动和电源管理功能。

特点

5.5安培连续电流

高达20A的峰值电流

极低的饱和电压

卓越的增益线性下降至10mA

优秀的高电流增益托起

SOT89

应用

直流 - 直流转换器

MOSFET栅极驱动器

充电电路

电源开关

电机控制

引脚

订购信息

设备

REEL

SIZE

胶带宽度

12mm

压花

单位数量

REEL

1000个单位

ZXTP2008ZTA

器件标识

949

顶视图

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

(a)

峰值脉冲电流

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(b)

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

符号

CBO

首席执行官

EBO

极限

-50

-30

-7

-5.5

-20

1.5

2.1

16.8

-55到150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

符号

价值

单位

° C / W

笔记

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。

（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

特征

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

符号

CBO

分钟。

-50

-30

-7.0

典型值。

-70

-40

-8.0

<-1

-20

-0.5

集电极截止电流

CER

<1k

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

EBO

CE （ SAT ）

<-1

-25

-35

-55

-130

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

BE （ SAT ）

BE（上）

100

跃迁频率

敖包

关闭

笔记

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

马克斯。

单位

条件

= -100 A

= -1 ， RB <1k

= -10mA *

= -100 A

= -40V

= -40V ，T

AMB

=100°C

= -40V

= -40V ，T

AMB

=100°C

= -6V

= -0.5A ，我

= -20mA *

= -1A ，我

= -100mA *

= -1A ，我

= -20mA *

= -2A ，我

= -200mA *

= -5.5A ，我

= -500mA *

= -5.5A ，我

= -500mA *

= -5.5A ，V

= -1V *

= -10mA ，V

= -1V *

= -1A ，V

= -1V *

= -5A ，V

= -1V *

= -20A ，V

= -1V *

集电极 - 发射极击穿电压BV

CER

集电极 - 发射极击穿电压BV

首席执行官

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

EBO

CBO

<-1

-20

-0.5

-10

-40

-55

-80

-175

-1070

-960

-970

-860

225

200

145

110

300

兆赫

= -100mA ，V

= -10V

F = 50MHz的

= -10V ， F = 1MHz的*

= -1A ，V

= -10V,

= -I

= -100mA

输出电容

开关时间

230

300秒;占空比

2%.

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

典型特征

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

30V PNP低饱和中功率晶体管SOT89

摘要

首席执行官

= -30V ，R

SAT

= 24米;我

= -5.5A

描述

打包在SOT89概述这一新的低饱和度

30V PNP晶体管提供低通态损耗使

非常适合于直流 - 直流电路，线路交换和使用

各种驱动和电源管理功能。

特点

5.5安培连续电流

高达20A的峰值电流

极低的饱和电压

卓越的增益线性下降至10mA

优秀的高电流增益托起

SOT89

应用

直流 - 直流转换器

MOSFET栅极驱动器

充电电路

电源开关

电机控制

引脚

订购信息

设备

REEL

SIZE

胶带宽度

12mm

压花

单位数量

REEL

1000个单位

ZXTP2008ZTA

器件标识

949

顶视图

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

(a)

峰值脉冲电流

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(b)

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

符号

CBO

首席执行官

EBO

极限

-50

-30

-7

-5.5

-20

1.5

2.1

16.8

-55到150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

符号

价值

单位

° C / W

笔记

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。

（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

特征

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

符号

CBO

分钟。

-50

-30

-7.0

典型值。

-70

-40

-8.0

<-1

-20

-0.5

集电极截止电流

CER

<1k

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

EBO

CE （ SAT ）

<-1

-25

-35

-55

-130

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

BE （ SAT ）

BE（上）

100

跃迁频率

敖包

关闭

笔记

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

马克斯。

单位

条件

= -100 A

= -1 ， RB <1k

= -10mA *

= -100 A

= -40V

= -40V ，T

AMB

=100°C

= -40V

= -40V ，T

AMB

=100°C

= -6V

= -0.5A ，我

= -20mA *

= -1A ，我

= -100mA *

= -1A ，我

= -20mA *

= -2A ，我

= -200mA *

= -5.5A ，我

= -500mA *

= -5.5A ，我

= -500mA *

= -5.5A ，V

= -1V *

= -10mA ，V

= -1V *

= -1A ，V

= -1V *

= -5A ，V

= -1V *

= -20A ，V

= -1V *

集电极 - 发射极击穿电压BV

CER

集电极 - 发射极击穿电压BV

首席执行官

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

EBO

CBO

<-1

-20

-0.5

-10

-40

-55

-80

-175

-1070

-960

-970

-860

225

200

145

110

300

兆赫

= -100mA ，V

= -10V

F = 50MHz的

= -10V ， F = 1MHz的*

= -1A ，V

= -10V,

= -I

= -100mA

输出电容

开关时间

230

300秒;占空比

2%.

第1期 - 2005年6月

ZXTP2008Z

典型特征

第1期 - 2005年6月