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ZXTP2006E6
20V PNP低SAT中功率晶体管SOT23-6
摘要
BV
首席执行官
= -20V ，R
SAT
= 31米;我
C
= -3.5A
描述
封装在SOT23-6勾勒出这个新的低
饱和20V PNP晶体管提供了非常低
态损耗使其非常适用于DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
3.5安培连续电流
极低的饱和电压（ -70mV最大@ 1A / 100毫安）
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT23-6
应用
直流 - 直流转换器
电池充电
电源开关
电机控制
电源管理功能
订购信息
设备
REEL
SIZE
7”
13”
胶带宽度
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY每卷
3,000
10,000
引脚
ZXTP2006E6TA
ZXTP2006E6TC
器件标识
52
顶视图
第1期 - 2005年6月
1
ZXTP2006E6
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
P
D
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
极限
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
-25
-20
-7.5
-3.5
-10
1.1
8.8
1.7
13.6
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JC
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（二）正如上文在t<5秒为单位。
第1期 - 2005年6月
2
ZXTP2006E6
特征
第1期 - 2005年6月
3
ZXTP2006E6
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-10
-100
-110
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
300
150
10
跃迁频率
f
T
C
敖包
-0.96
-0.8
575
450
285
40
110
900
分钟。
-25
-20
-7.5
典型值。
-49
-43
-8.4
-100
-100
-100
-15
-140
-130
-1.1
-0.9
MAX 。单位条件
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
V
V
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA *
I
E
= -100 A
V
CB
= -20V
V
CB
= -20V
V
EB
= -6V
I
C
= -0.1A ，我
B
= -10mA *
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA *
I
C
= -3.5A ，我
B
= -350mA *
I
C
= -3.5A ，我
B
= -350mA *
I
C
= -3.5A ，V
CE
= -2V *
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V *
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V *
I
C
= -3.5A ，V
CE
= -2V *
I
C
= -10A ，V
CE
= -2V *
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
输出电容
45
pF
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的*
笔记
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第1期 - 2005年6月
4
ZXTP2006E6
典型特征
第1期 - 2005年6月
5
ZXTP2006E6
20V PNP低SAT中功率晶体管SOT23-6
摘要
BV
首席执行官
= -20V ，R
SAT
= 31米;我
C
= -3.5A
描述
封装在SOT23-6勾勒出这个新的低
饱和20V PNP晶体管提供了非常低
态损耗使其非常适用于DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
3.5安培连续电流
极低的饱和电压（ -70mV最大@ 1A / 100毫安）
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT23-6
应用
直流 - 直流转换器
电池充电
电源开关
电机控制
电源管理功能
订购信息
设备
REEL
SIZE
7”
13”
胶带宽度
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY每卷
3,000
10,000
引脚
ZXTP2006E6TA
ZXTP2006E6TC
器件标识
52
顶视图
第1期 - 2005年6月
1
ZXTP2006E6
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
P
D
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
极限
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
-25
-20
-7.5
-3.5
-10
1.1
8.8
1.7
13.6
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JC
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（二）正如上文在t<5秒为单位。
第1期 - 2005年6月
2
ZXTP2006E6
特征
第1期 - 2005年6月
3
ZXTP2006E6
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-10
-100
-110
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
300
150
10
跃迁频率
f
T
C
敖包
-0.96
-0.8
575
450
285
40
110
900
分钟。
-25
-20
-7.5
典型值。
-49
-43
-8.4
-100
-100
-100
-15
-140
-130
-1.1
-0.9
MAX 。单位条件
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
V
V
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA *
I
E
= -100 A
V
CB
= -20V
V
CB
= -20V
V
EB
= -6V
I
C
= -0.1A ，我
B
= -10mA *
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA *
I
C
= -3.5A ，我
B
= -350mA *
I
C
= -3.5A ，我
B
= -350mA *
I
C
= -3.5A ，V
CE
= -2V *
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V *
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V *
I
C
= -3.5A ，V
CE
= -2V *
I
C
= -10A ，V
CE
= -2V *
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
输出电容
45
pF
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的*
笔记
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第1期 - 2005年6月
4
ZXTP2006E6
典型特征
第1期 - 2005年6月
5
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