添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第67页 > ZXTP19060CG
ZXTP19060CG
在SOT223 60V PNP晶体管中
摘要
BV
首席执行官
> -60V
BV
ECO
> -7V
I
C（ CONT ）
= 5A
V
CE （ SAT ）
< -80mV @ -1A
R
CE （ SAT ）
= 50m
P
D
= 3.0W
补充部分号码ZXTN19060CG
描述
打包在SOT223概述这一新的低饱和PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
高增益
低饱和电压
峰值电流
7V反向阻断电压
E
应用
高端驱动器
电机驱动
负载断开开关
E
C
C
B
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTP19060CGTA
带尺寸
（英寸）
7
引脚 - 顶视图
器件标识
ZXTP19060C
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
1
www.zetex.com
ZXTP19060CG
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECX
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-60
-60
-7
-7
-5
-1
-7
1.2
9.6
1.6
12.8
3.0
24
5.3
42
10.2
81
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
R
R
R
R
JA
JA
JA
JA
JC
极限
104
78
42
23.5
12.3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到外壳（集电极片） 。典型
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
2
www.zetex.com
ZXTP19060CG
热特性
最大功耗（ W）
集电极电流（ A）
10
V
CE （ SAT ）
3.0
见说明（三）
极限
2.5
1
DC
1s
100ms
2.0
见注（ B）
1.5
100m
10ms
1.0
请参见注释（一）
1ms
100s
单脉冲。牛逼
-I
C
AMB
=25°C
0.5
10m
100m
见说明（三）
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1
CE
10
-V
集电极 - 发射极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
降额曲线
热阻（ ° C / W）
40
见说明（三）
最大功耗（ W）
单脉冲。牛逼
100
AMB
=25°C
见说明（三）
30
D=0.5
20
10
D=0.2
单脉冲
10
D=0.05
D=0.1
0
100
1m
10m
100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m
100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
3
www.zetex.com
ZXTP19060CG
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-60
-260
-7
-7
-7
典型值。
-110
-90
-8.4
-8.8
-8.4
<1
<1
-62
-145
-500
-105
-145
-300
-975
-890
200
160
20
330
260
40
180
280
29.5
24.3
13.2
456
68.2
400
40
-50
-0.5
-50
-80
-205
-750
-165
-200
-500
-1050
-1000
500
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件
I
C
= -100A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100A
I
E
= -100A
V
CB
= -60V
V
CB
= -60V ，T
AMB
=100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -200mA
(*)
I
C
= -3A ，我
B
= -300mA
(*)
I
C
= -5A ，我
B
= -500mA
(*)
I
C
= -5A ，我
B
= -500mA
(*)
I
C
= -5A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -5A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -500mA ，V
CC
= -10V,
I
B1
= -I
B2
= -50mA
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
4
www.zetex.com
ZXTP19060CG
典型特征
1
Tamb=25°C
I /I =100
C
B
0.3
I /I =10
C
B
(V)
CE （ SAT ）
CE （ SAT ）
100m
I /I =50
C
B
(V)
0.2
150°C
- V
I /I =20
C
B
- V
0.1
100°C
25°C
10m
1m
10m
100m
I /I =10
C
B
-55°C
0.0
1
10
10m
100m
1
10
- I
C
集电极电流（ A）
CE （ SAT ）
- I
C
集电极电流（ A）
CE （ SAT ）
V
V I
C
V
V I
C
1.2
1.6
150°C
V
CE
=2V
600
I /I =10
C
B
归一化增益
典型增益（ HFE）
1.4
1.2
100°C
500
1.0
-55°C
25°C
400
(V)
BE （ SAT ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1m
0.8
25°C
300
0.6
150°C
- V
-55°C
200
100
0.4
100°C
0
0.2
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
- I
C
集电极电流（ A）
- I
C
集电极电流（ A）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
400
1.0
V
=2V
25°C
CE
350
CIBO
F = 1MHz的
电容（pF）
-55°C
300
250
200
150
100
50
0
科博
BE（上）
(V)
- V
0.8
0.6
0.4
100°C
150°C
0.2
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
- I
C
集电极电流（ A）
BE（上）
- 电压（V ）
V
V I
C
电容V电压
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
5
www.zetex.com
ZXTP19060CG
在SOT223 60V PNP晶体管中
摘要
BV
首席执行官
> -60V
BV
ECO
> -7V
I
C（ CONT ）
= 5A
V
CE （ SAT ）
< -80mV @ -1A
R
CE （ SAT ）
= 50m
P
D
= 3.0W
补充部分号码ZXTN19060CG
描述
打包在SOT223概述这一新的低饱和PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
高增益
低饱和电压
峰值电流
7V反向阻断电压
E
应用
高端驱动器
电机驱动
负载断开开关
E
C
C
B
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTP19060CGTA
带尺寸
（英寸）
7
引脚 - 顶视图
器件标识
ZXTP19060C
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
1
www.zetex.com
ZXTP19060CG
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECX
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-60
-60
-7
-7
-5
-1
-7
1.2
9.6
1.6
12.8
3.0
24
5.3
42
10.2
81
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
R
R
R
R
JA
JA
JA
JA
JC
极限
104
78
42
23.5
12.3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到外壳（集电极片） 。典型
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
2
www.zetex.com
ZXTP19060CG
热特性
最大功耗（ W）
集电极电流（ A）
10
V
CE （ SAT ）
3.0
见说明（三）
极限
2.5
1
DC
1s
100ms
2.0
见注（ B）
1.5
100m
10ms
1.0
请参见注释（一）
1ms
100s
单脉冲。牛逼
-I
C
AMB
=25°C
0.5
10m
100m
见说明（三）
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1
CE
10
-V
集电极 - 发射极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
降额曲线
热阻（ ° C / W）
40
见说明（三）
最大功耗（ W）
单脉冲。牛逼
100
AMB
=25°C
见说明（三）
30
D=0.5
20
10
D=0.2
单脉冲
10
D=0.05
D=0.1
0
100
1m
10m
100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m
100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
3
www.zetex.com
ZXTP19060CG
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-60
-260
-7
-7
-7
典型值。
-110
-90
-8.4
-8.8
-8.4
<1
<1
-62
-145
-500
-105
-145
-300
-975
-890
200
160
20
330
260
40
180
280
29.5
24.3
13.2
456
68.2
400
40
-50
-0.5
-50
-80
-205
-750
-165
-200
-500
-1050
-1000
500
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件
I
C
= -100A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100A
I
E
= -100A
V
CB
= -60V
V
CB
= -60V ，T
AMB
=100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -200mA
(*)
I
C
= -3A ，我
B
= -300mA
(*)
I
C
= -5A ，我
B
= -500mA
(*)
I
C
= -5A ，我
B
= -500mA
(*)
I
C
= -5A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -5A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -500mA ，V
CC
= -10V,
I
B1
= -I
B2
= -50mA
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
4
www.zetex.com
ZXTP19060CG
典型特征
1
Tamb=25°C
I /I =100
C
B
0.3
I /I =10
C
B
(V)
CE （ SAT ）
CE （ SAT ）
100m
I /I =50
C
B
(V)
0.2
150°C
- V
I /I =20
C
B
- V
0.1
100°C
25°C
10m
1m
10m
100m
I /I =10
C
B
-55°C
0.0
1
10
10m
100m
1
10
- I
C
集电极电流（ A）
CE （ SAT ）
- I
C
集电极电流（ A）
CE （ SAT ）
V
V I
C
V
V I
C
1.2
1.6
150°C
V
CE
=2V
600
I /I =10
C
B
归一化增益
典型增益（ HFE）
1.4
1.2
100°C
500
1.0
-55°C
25°C
400
(V)
BE （ SAT ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1m
0.8
25°C
300
0.6
150°C
- V
-55°C
200
100
0.4
100°C
0
0.2
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
- I
C
集电极电流（ A）
- I
C
集电极电流（ A）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
400
1.0
V
=2V
25°C
CE
350
CIBO
F = 1MHz的
电容（pF）
-55°C
300
250
200
150
100
50
0
科博
BE（上）
(V)
- V
0.8
0.6
0.4
100°C
150°C
0.2
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
- I
C
集电极电流（ A）
BE（上）
- 电压（V ）
V
V I
C
电容V电压
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
5
www.zetex.com
查看更多ZXTP19060CGPDF信息
推荐型号
ZRB500F02
Z0110NA
ZL49011DAA1
ZMM75B
Z0847006PSG
Z4K500-RN-10
ZB5-AVB5
Z0803606GMA
ZL40511LDG
ZQ50K6L2
Z0310DG
ZR285
ZXLD1322DCTC
ZD5236B
Z16C0210VSC
ZB4BW0B43
ZB4-BW0B43
ZXCT1021E5TA
Z3SMB56
Z2SMB1_07
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXTP19060CG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXTP19060CG
DIODES/美台
2024
20918
SOT-223
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXTP19060CG
DIODES/美台
2024
20918
SOT-223
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZXTP19060CG
DIODES/美台
21+
18500
SOT-223
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ZXTP19060CG
DIODES/美台
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ZXTP19060CG
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9714
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多ZXTP19060CG供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！