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ZXTP19060CFF
60V ， SOT23F ， PNP中功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -60V
BV
ECO
> -7V
I
C（ CONT ）
= -4A
V
CE （ SAT ）
<为75mV @百毫安
R
CE （ SAT ）
= 45m
P
D
= 1.5 W
补充部分号码ZXTN19060CFF
描述
这个中压PNP晶体管被设计为应用
需要高增益和低饱和电压。该SOT23F包
引脚与业界标准的SOT23封装占位面积，同时兼容
提供给应用程序的下轮廓和较高的功率耗散
其中功率密度是极其重要的。
C
B
特点
高增益
低饱和电压
薄型小尺寸封装
E
E
应用
高侧驱动器
电机驱动
负载断开开关
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP19060CFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1D9
第1期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP19060CFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-60
-60
-7
-7
-4
-7
-1
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12
2
16
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
2
www.zetex.com
ZXTP19060CFF
特征
第1期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
3
www.zetex.com
ZXTP19060CFF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-60
-60
-7
-7
-7
典型值。
-110
-90
-8.4
-8.4
-8.8
<-1
-50
-50
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
<-1
-60
-140
-180
基射极饱和
电压
基射极导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
200
160
30
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
-935
-835
350
280
50
180
29.5
24.3
13.2
456
68.2
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
I
E
= -100 A，R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100 A,
V
CB
= -48V
V
CB
= -48V ，T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -4A ，我
B
= -400mA
(*)
I
C
= -4A ，我
B
= -400mA
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
-50
-75
-200
-270
-1050
-950
500
静态正向电流办理H
FE
比
40
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -10V.
I
C
= -500mA ，
I
B1
= -50mA ，我
B2
= -50mA 。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
4
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ZXTP19060CFF
典型特征
第1期 - 2007年5月
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60V ， SOT23F ， PNP中功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -60V
BV
ECO
> -7V
I
C（ CONT ）
= -4A
V
CE （ SAT ）
<为75mV @百毫安
R
CE （ SAT ）
= 45m
P
D
= 1.5 W
补充部分号码ZXTN19060CFF
描述
这个中压PNP晶体管被设计为应用
需要高增益和低饱和电压。该SOT23F包
引脚与业界标准的SOT23封装占位面积，同时兼容
提供给应用程序的下轮廓和较高的功率耗散
其中功率密度是极其重要的。
C
B
特点
高增益
低饱和电压
薄型小尺寸封装
E
E
应用
高侧驱动器
电机驱动
负载断开开关
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP19060CFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1D9
第2期 - 2007年10月
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1
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绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-60
-60
-7
-7
-4
-7
-1
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12
2
16
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第2期 - 2007年10月
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特征
第2期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTP19060CFF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-60
-60
-7
-7
-7
典型值。
-110
-90
-8.4
-8.4
-8.8
<-1
-50
-0.5
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
<-1
-60
-140
-180
基射极饱和
电压
基射极导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
200
160
30
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
-935
-835
350
280
50
180
29.5
24.3
13.2
456
68.2
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
I
E
= -100 A，R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100 A,
V
CB
= -60V
V
CB
= -60V ，T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -4A ，我
B
= -400mA
(*)
I
C
= -4A ，我
B
= -400mA
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -4A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
-50
-75
-200
-270
-1050
-950
500
静态正向电流办理H
FE
比
40
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -10V.
I
C
= -500mA ，
I
B1
= -50mA ，我
B2
= -50mA 。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
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ZRB500Y01STZ
ZL50015QCC1
ZXTDCM832TA
ZVP3310B
Z86L972HZ008SC
Z84C90
ZVN4310G
ZLP128ICE01ZEMG
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXTP19060CFFTA
    -
    -
    -
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    终端采购配单精选

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深圳市杰兴微电子有限公司
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电话：0755-23995152
联系人：林
地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
ZXTP19060CFFTA
Diodes Incorporated
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12000
原厂封装
原装现货可含税
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Diodes Incorporated
24+
10000
SOT-23F
原厂一级代理，原装现货
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联系人：陈泽强
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23000
SOT-23
一级代理专营，原装现货，价格优势
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8640
SOT-23
全新原装现货，原厂代理。
深圳市正信鑫科技有限公司
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电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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22+
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原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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联系人：张女士
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21+22+
62710
SOT23
原装正品
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联系人：朱先生
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ZXTP19060CFFTA
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100%原装正品，可长期订货
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联系人：销售部
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22000
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原装正品假一赔百！
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联系人：李小姐
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22+
5988
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现货，原厂原装假一罚十！
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