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ZXTP19020DZ
在SOT89 20V PNP高增益晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -4V
I
C（ CONT ）
= 6A
V
CE （ SAT ）
< -47mV @ -1A
R
CE （ SAT ）
= 28m
P
D
= 2.4W
补充部分号码ZXTN19020DZ
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
更高的功耗SOT89封装
高增益
峰值电流
低饱和电压
4V反向阻断电压
E
应用
电源切断开关
电池充电器
高边驱动器
电机驱动
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTP19020DZTA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
1M1
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
1
www.zetex.com
ZXTP19020DZ
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-25
-20
-4
-7
-6
-1
-15
1.1
8.8
1.8
14.4
2.4
19.2
4.46
35.7
26.7
213
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
R
R
R
R
JA
JA
JA
JA
JC
极限
117
68
51
117
4.69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到外壳（集电极片） 。典型
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
2
www.zetex.com
ZXTP19020DZ
热特性
集电极电流（ A）
CE （ SAT ）
最大功耗（ W）
V
2.4
10
有限
见说明（三）
2.0
见注（ B）
1.6
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100s
1.2
请参见注释（一）
100m
0.8
单脉冲
T
AMB
=25°C
0.4
-I
C
见说明（三）
10m
100m
1
CE
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
-V
集电极 - 发射极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
降额曲线
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
3
www.zetex.com
ZXTP19020DZ
热特性
热阻（ ° C / W）
120
AMB
100
最大功率（W）的
T
=25°C
单脉冲
T
AMB
100
80
60
40
20
0
100
请参见注释（一）
=25°C
请参见注释（一）
D=0.5
10
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
热阻（ ° C / W）
70
60
50
40
30
20
10
0
100
D=0.1
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.5
AMB
100
最大功率（W）的
T
=25°C
单脉冲
T
AMB
见注（ B）
=25°C
见注（ B）
10
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲宽度（S ）
脉冲功率耗散
热阻（ ° C / W）
最大功率（W）的
50
40
30
20
10
0
100
100
T
AMB
=25°C
单脉冲
T
AMB
见说明（三）
=25°C
见说明（三）
D=0.5
10
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
4
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ZXTP19020DZ
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-25
-20
-4
-4
-7
典型值。
-55
-50
-8.6
-8.6
-8.2
<1
<1
-40
-100
-115
-225
-1000
-865
300
200
65
450
290
110
25
176
400
36
23
18.4
266
49.6
45
50
0.5
-50
-47
-130
-145
-275
-1100
-1000
900
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件
I
C
= -100A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100A
I
E
= -100A
V
CB
= -25V
V
CB
= -25V ，T
AMB
=100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -6A ，我
B
= -300mA
(*)
I
C
= -6A ，我
B
= -300mA
(*)
I
C
= -6A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -2A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -6A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -15A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -1A ，V
CC
= -10V,
I
B1
= -I
B2
= -50mA
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
5
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ZXTP19020DZ
在SOT89 20V PNP高增益晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -4V
I
C（ CONT ）
= 6A
V
CE （ SAT ）
< -47mV @ -1A
R
CE （ SAT ）
= 28m
P
D
= 2.4W
补充部分号码ZXTN19020DZ
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
更高的功耗SOT89封装
高增益
峰值电流
低饱和电压
4V反向阻断电压
E
应用
电源切断开关
电池充电器
高边驱动器
电机驱动
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTP19020DZTA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
1M1
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
1
www.zetex.com
ZXTP19020DZ
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-25
-20
-4
-7
-6
-1
-15
1.1
8.8
1.8
14.4
2.4
19.2
4.46
35.7
26.7
213
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
R
R
R
R
JA
JA
JA
JA
JC
极限
117
68
51
117
4.69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到外壳（集电极片） 。典型
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
2
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ZXTP19020DZ
热特性
集电极电流（ A）
CE （ SAT ）
最大功耗（ W）
V
2.4
10
有限
见说明（三）
2.0
见注（ B）
1.6
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100s
1.2
请参见注释（一）
100m
0.8
单脉冲
T
AMB
=25°C
0.4
-I
C
见说明（三）
10m
100m
1
CE
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
-V
集电极 - 发射极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
降额曲线
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
3
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ZXTP19020DZ
热特性
热阻（ ° C / W）
120
AMB
100
最大功率（W）的
T
=25°C
单脉冲
T
AMB
100
80
60
40
20
0
100
请参见注释（一）
=25°C
请参见注释（一）
D=0.5
10
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
热阻（ ° C / W）
70
60
50
40
30
20
10
0
100
D=0.1
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.5
AMB
100
最大功率（W）的
T
=25°C
单脉冲
T
AMB
见注（ B）
=25°C
见注（ B）
10
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲宽度（S ）
脉冲功率耗散
热阻（ ° C / W）
最大功率（W）的
50
40
30
20
10
0
100
100
T
AMB
=25°C
单脉冲
T
AMB
见说明（三）
=25°C
见说明（三）
D=0.5
10
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
4
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ZXTP19020DZ
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-25
-20
-4
-4
-7
典型值。
-55
-50
-8.6
-8.6
-8.2
<1
<1
-40
-100
-115
-225
-1000
-865
300
200
65
450
290
110
25
176
400
36
23
18.4
266
49.6
45
50
0.5
-50
-47
-130
-145
-275
-1100
-1000
900
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件
I
C
= -100A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100A
I
E
= -100A
V
CB
= -25V
V
CB
= -25V ，T
AMB
=100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -6A ，我
B
= -300mA
(*)
I
C
= -6A ，我
B
= -300mA
(*)
I
C
= -6A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -2A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -6A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -15A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -1A ，V
CC
= -10V,
I
B1
= -I
B2
= -50mA
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
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Z4KE160A
ZLP12840H2064G
ZVP2110
ZB4-BK1343
ZY12V
Z082
ZXT10N50DE6TC
Z3SMC1
供货商
型号
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批号
数量
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    电话：0755-82780082
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