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ZXTP19020DG
在SOT223 20V PNP高增益晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -4V
I
C（ CONT ）
= 8A
V
CE （ SAT ）
< -47mV @ -1A
R
CE （ SAT ）
= 28m
P
D
= 3.0W
补充部分号码ZXTN19020DG
描述
打包在SOT223概述这一新的低饱和PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
更高的功率耗散SOT223封装
高增益
峰值电流
低饱和电压
4V反向阻断电压
E
应用
电源切断开关
高边驱动器
电机驱动
E
C
C
B
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTP19020DGTA
带尺寸
（英寸）
7
引脚 - 顶视图
器件标识
ZXTP19020D
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
1
www.zetex.com
ZXTP19020DG
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-25
-20
-4
-7
-8
-1
-15
1.2
9.6
1.6
12.8
3.0
24
5.3
42
10.2
81
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
104
78
42
23.5
12.3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到外壳（集电极片） 。典型
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
2
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ZXTP19020DG
热特性
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
3
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ZXTP19020DG
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-25
-20
-4
典型值。
-55
-50
-8.6
马克斯。
单位
V
V
V
条件
I
C
= -100μA
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100μA
I
E
= -100μA
V
CB
= -25V
V
CB
= -25V ，T
AMB
=100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -8A ，我
B
= -800mA
(*)
I
C
= -8A ，我
B
= -800mA
(*)
I
C
= -8A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -2A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -8A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -15A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫
400
36
23
18.4
266
49.6
45
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -1A ，V
CC
= -10V,
I
B1
= -I
B2
= -50mA
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
-4
-7
-8.6
-8.2
<1
<1
-40
-97
-115
-220
-1050
-930
50
0.5
-50
-47
-130
-145
-275
-1150
-1000
900
V
V
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
200
45
450
290
70
25
176
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
4
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典型特征
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
5
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ZXTP19020DG
在SOT223 20V PNP高增益晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -4V
I
C（ CONT ）
= 8A
V
CE （ SAT ）
< -47mV @ -1A
R
CE （ SAT ）
= 28m
P
D
= 3.0W
补充部分号码ZXTN19020DG
描述
打包在SOT223概述这一新的低饱和PNP晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
更高的功率耗散SOT223封装
高增益
峰值电流
低饱和电压
4V反向阻断电压
E
应用
电源切断开关
高边驱动器
电机驱动
E
C
C
B
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTP19020DGTA
带尺寸
（英寸）
7
引脚 - 顶视图
器件标识
ZXTP19020D
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
1
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ZXTP19020DG
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
-25
-20
-4
-7
-8
-1
-15
1.2
9.6
1.6
12.8
3.0
24
5.3
42
10.2
81
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
104
78
42
23.5
12.3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到外壳（集电极片） 。典型
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
2
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ZXTP19020DG
热特性
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
3
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ZXTP19020DG
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
-25
-20
-4
典型值。
-55
-50
-8.6
马克斯。
单位
V
V
V
条件
I
C
= -100μA
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= -100μA
I
E
= -100μA
V
CB
= -25V
V
CB
= -25V ，T
AMB
=100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
(*)
I
C
= -2A ，我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -8A ，我
B
= -800mA
(*)
I
C
= -8A ，我
B
= -800mA
(*)
I
C
= -8A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -2A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -8A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -15A ，V
CE
= -2V
(*)
兆赫
400
36
23
18.4
266
49.6
45
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -1A ，V
CC
= -10V,
I
B1
= -I
B2
= -50mA
I
C
= -50mA ，V
CE
= -10V
F = 50MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
(*)
-4
-7
-8.6
-8.2
<1
<1
-40
-97
-115
-220
-1050
-930
50
0.5
-50
-47
-130
-145
-275
-1150
-1000
900
V
V
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
200
45
450
290
70
25
176
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2008年2月
捷特科PLC 2008
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Z8F021AHJ020EG
Z16C02
Z8631904PSC
Z1SMA56
ZM4756A
ZUB-01
ZXTD09N50DE6TC
ZMD31012AEBT
Z85C3008VEC
供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    -
    终端采购配单精选

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原装正品，价格优势
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23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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18+
15600
SOT-223
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24+
10000
SOT-223-3
原厂一级代理，原装现货
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电话：0755-88291559
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一级代理专营，原装现货，价格优势
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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24+
12300
SOT-223
全新原装现货，原厂代理。
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联系人：朱咸华
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联系人：小邹
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联系人：朱先生
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