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ZXTP19020CFF
20V , SOT23F , PNP中功率晶体管
摘要:
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -5V
I
C( CONT )
= -5A
V
CE ( SAT )
<为40mV @百毫安
R
CE ( SAT )
= 21m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTN19020CFF
描述
先进过程能力已被用于最大化
该晶体管的性能。该SOT23F包兼容
行业标准SOT23封装尺寸,但提供了较低的配置文件,
高消耗的应用中的功率密度是最
重要性。
C
B
特点
高增益
低饱和电压
低调的高散热封装
E
E
应用
电池充电
负荷开关
DC- DC转换器
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP19020CFFTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1D7
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP19020CFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-25
-20
-5
-7
-5
-10
-1
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12.0
2.0
16.0
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTP19020CFF
特征
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
3
www.zetex.com
ZXTP19020CFF
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压(基本开)
发射极 - 集电极击穿
电压(反向阻断)
发射极 - 集电极击穿
电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
分钟。
-25
-20
-7
-6
-5
典型值。
-45
-30
-8.3
-8.3
-8.5
<-1
-50
-20
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
EBO
V
CE ( SAT )
<-1
-30
-50
-75
-105
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
基射极导通电压
静态正向电流传输
V
BE(上)
h
FE
200
170
110
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
-50
-40
-70
-120
-135
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
I
E
= -100 A,R
BC
1k
0.25V & LT ; V
BC
< -0.25V
I
E
= -100 A,
V
CB
= -20V
V
CB
= -20V ,T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -2A ,我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -5A ,我
B
= -500mA
(*)
I
C
= -5A ,我
B
= -500mA
(*)
I
C
= -5A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -5A ,V
CE
= -2V
(*)
兆赫我
C
= -50mA ,V
CE
= -10V
F = 100MHz的
70
pF
ns
ns
ns
ns
2%.
发射极 - 基极击穿电压BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
or
-925 -1050
-815
350
300
180
200
52
66.8
74.9
226
85.5
300秒;占空比
-950
500
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -15V.
I
C
= -750mA ,
I
B1
= 15毫安,我
B2
= -15mA 。
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
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ZXTP19020CFF
典型特征
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20V , SOT23F , PNP中功率晶体管
摘要:
BV
首席执行官
> -20V
BV
ECO
> -5V
I
C( CONT )
= -5A
V
CE ( SAT )
<为40mV @百毫安
R
CE ( SAT )
= 21m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTN19020CFF
描述
先进过程能力已被用于最大化
该晶体管的性能。该SOT23F包兼容
行业标准SOT23封装尺寸,但提供了较低的配置文件,
高消耗的应用中的功率密度是最
重要性。
C
B
特点
高增益
低饱和电压
低调的高散热封装
E
E
应用
电池充电
负荷开关
DC- DC转换器
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP19020CFFTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1D7
第1期 - 2007年2月
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1
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ZXTP19020CFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-25
-20
-5
-7
-5
-10
-1
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12.0
2.0
16.0
-55到150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
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特征
第1期 - 2007年2月
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ZXTP19020CFF
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压(基本开)
发射极 - 集电极击穿
电压(反向阻断)
发射极 - 集电极击穿
电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
分钟。
-25
-20
-7
-6
-5
典型值。
-45
-30
-8.3
-8.3
-8.5
<-1
-50
-20
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
EBO
V
CE ( SAT )
<-1
-30
-50
-75
-105
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
基射极导通电压
静态正向电流传输
V
BE(上)
h
FE
200
170
110
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
-50
-40
-70
-120
-135
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
I
E
= -100 A,R
BC
1k
0.25V & LT ; V
BC
< -0.25V
I
E
= -100 A,
V
CB
= -20V
V
CB
= -20V ,T
AMB
= 100°C
V
EB
= -5.6V
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -2A ,我
B
= -40mA
(*)
I
C
= -5A ,我
B
= -500mA
(*)
I
C
= -5A ,我
B
= -500mA
(*)
I
C
= -5A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -5A ,V
CE
= -2V
(*)
兆赫我
C
= -50mA ,V
CE
= -10V
F = 100MHz的
70
pF
ns
ns
ns
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2%.
发射极 - 基极击穿电压BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
or
-925 -1050
-815
350
300
180
200
52
66.8
74.9
226
85.5
300秒;占空比
-950
500
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -15V.
I
C
= -750mA ,
I
B1
= 15毫安,我
B2
= -15mA 。
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年2月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXTP19020CFFTA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXTP19020CFFTA
DIODES/美台
2024
20000
SOT23F
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXTP19020CFFTA
DIODES/美台
2024
20000
SOT23F
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
ZXTP19020CFFTA
ZETEX
21+22+
62710
SOT23
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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ZETEX
19+
12153
原装正品,支持实单
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联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
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DIODES/ZETEX
19+
16238
SOT-23
房间现货原装低价
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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
ZXTP19020CFFTA
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20+
26000
全新原装 货期两周
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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DIODES/ZETEX
2443+
23000
SOT-23
一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
ZXTP19020CFFTA
DIODES/美台
24+
32000
NA
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
ZXTP19020CFFTA
DIODES/美台
2418+
39482
SOT23
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ZXTP19020CFFTA
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