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对产品线

Diodes公司

ZXTN619MA

50V NPN低饱和晶体管

特点和优点

首席执行官

> 50V

= 4A的连续集电极电流

低饱和电压（最大值为100mV @ 1A）

SAT

= 68毫欧的低等效导通电阻

指定高达6A的高电流增益托起

低调0.6毫米高的封装薄应用

效率，比SOT23低60％

4毫米足迹，比SOT23小50 ％

无铅，符合RoHS （注1 ）

卤素和无锑。 "Green"设备（注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

案例： DFN2020B - 3

表壳材质：模压塑料。 “绿色”模塑料。

终端：预镀镍钯金引线框架。

标称封装高度： 0.6毫米

防火等级94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

重量： 0.01克（近似值）

应用

MOSFET栅极驱动

DC-DC转换器

充电电路

电机控制

电源开关

DFN2020B-3

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设备符号

底部视图

引脚输出

订购信息

产品

ZXTN619MATA

注意事项：

记号

卷尺寸（英寸）

胶带宽度（mm）

QUANTITY每卷

3000

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com

标识信息

SC =产品型号标识代码

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1 7

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2010年12月

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对产品线

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ZXTN619MA

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

基极电流

（注3）

（注4 ）

符号

CBO

首席执行官

EBO

极限

100

4.3

单位

热特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

功耗

线性降额因子

热阻，结到环境

热阻，结领导

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

（注3）

（注4 ）

（注3）

（注4 ）

（注5 ）

英镑

价值

1.5

2.45

19.6

16.8

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

3.对于设备的表面安装在31毫米X 31毫米（10厘米

） FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是

在稳态条件下测量的操作时。整个暴露收集垫被连接到散热器上。

4.同注（3 ），除了该装置测量在t

≤

5秒。

5.对于单个设备，热电阻结点到焊接点（在漏极引线的端部）。

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热特性

2.0

最大功耗（ W）

集电极电流（ A）

CE （ SAT ）

有限

1.5

10 sqcm

单身

1盎司铜

AMB

=25°C

100ms

10ms

1ms

100us

1.0

0.1

0.5

0.01

0.1

单脉冲，T

AMB

=25°C

100

0.0

100

125

150

集电极 - 发射极电压（ V）

温度（℃）

安全工作区

225

10 sqcm

单身

1盎司铜

降额曲线

热阻（ ° C / W）

200

175

150

125

100

0.1

2盎司覆铜

1盎司镀铜

D=0.5

D=0.2

单脉冲

D=0.05

D=0.1

100

10m 100m

100

脉冲宽度（S ）

董事会铜区（ sqcm ）

瞬态热阻抗

3.5

AMB

=25°C

j max的情况

=150°C

连续

热电阻V电路板面积

耗散（W）的

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0.1

2盎司覆铜

1盎司镀铜

100

董事会铜区（ sqcm ）

功耗V电路板面积

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电气特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压（注6 ）

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极发射极Cuto FF电流

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

CES

民

100

200

300

200

100

典型值

190

8.2

400

450

400

225

145

115

225

270

0.94

1.00

165

170

750

最大

100

200

220

300

320

1.00

1.07

单位

测试条件

= 100 A

= 10毫安

= 100 A

= 80V

= 6V

CES

= 40V

= 10毫安，V

= 2V

=的200mA， V

= 2V

= 1A ，V

= 2V

= 2A ，V

= 2V

= 6A ，V

= 2V

= 0.1A ，我

= 10毫安

= 1A ，我

= 5毫安

= 1A ，我

= 10毫安

= 2A ，我

= 50毫安

= 3A ，我

= 100毫安

= 4A ，我

= 200毫安

= 4A ，V

= 2V

= 4A ，我

= 200毫安

= 10V 。 F = 1MHz的

= 10V ，我

= 50mA时

F = 100MHz的

= 10V ，我

= 1A

= I

= 10毫安

静态正向电流传输比（注6 ）

集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）

CE （ SAT ）

基射极导通电压（注6 ）

基射极饱和电压（注6 ）

输出电容

跃迁频率

开启时间

打开-O FF时间

注意事项：

BE（上）

BE （ SAT ）

敖包

关闭

兆赫

脉冲条件下测得6 。脉冲宽度

≤

300微秒。占空比

≤

2%.

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典型电气特性

0.25

Tamb=25°C

=50

0.20

CE （ SAT ）

(V)

CE （ SAT ）

(V)

100m

=100

0.15

0.10

100°C

25°C

-55°C

10m

=50

=10

0.05

0.00

10m

100m

10m

100m

集电极电流（ A）

CE （ SAT ）

V I

630

1.2

=2V

100°C

CE （ SAT ）

V I

1.0

=50

540

450

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

10m

100m

-55°C

25°C

典型增益（H

)

归一化增益

0.8

BE （ SAT ）

(V)

360

270

180

-55°C

0.6

25°C

100°C

0.4

10m

100m

集电极电流（ A）

V I

BE （ SAT ）

V I

1.0

=2V

0.8

BE（上）

(V)

-55°C

0.6

25°C

0.4

10m

100°C

100m

集电极电流（ A）

BE（上）

V I

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厂家

批号

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联系人：连

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：朱先生

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Diodes

2025+

26820

3-UDFN

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市杰兴微电子有限公司

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联系人：林

地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室

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23+

12000

原厂封装

原装现货可含税

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联系人：柯

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ZXTN619MATA

ZETEX

1922+

9852

QFN

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

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联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

ZXTN619MATA

Diodes Incorporated

24+

10000

DFN2020B-3

原厂一级代理，原装现货

深圳市诺洋电子科技有限公司

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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DIODES/美台

24+

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全新原装现货，原厂代理。

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地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

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ZETEX

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6852

DFN3

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电话：0755-22655674/15099917285

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Ｄｉｏｄｅｓ

22+

33870

原厂封装

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联系人：张女士

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ZXTN619MATA

DIODES

21+22+

27000

DFN

原装正品

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联系人：朱先生

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ZETEX

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ZXTN619MATA

DIODES

24+

3675

DFN-3

6￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:6元

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