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对产品线
Diodes公司
ZXTN617MA
15V NPN低饱和晶体管
特点和优点
BV
首席执行官
> 15V
I
C
= 4.5A的连续集电极电流
低饱和电压(最大值为100mV @ 1A)
R
SAT
= 45毫欧的低等效导通电阻
h
FE
指定高达12A的高电流增益保持
低调0.6毫米高的封装薄应用
R
θ
JA
效率,比SOT23低60%
2
4毫米足迹,比SOT23小50 %
无铅,符合RoHS (注1 )
卤素和无锑。 "Green"设备(注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: DFN2020B - 3
表壳材质:模压塑料。 “绿色”模塑料。
终端:预镀镍钯金引线框架。
标称封装高度: 0.6毫米
防火等级94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
重量: 0.01克(近似值)
应用
MOSFET栅极驱动
DC-DC转换器
充电电路
电机控制
开关
DFN2020B-3
C
B
E
顶视图
底部视图
设备符号
底部视图
引脚输出
订购信息
产品
ZXTN617MATA
注意事项:
记号
SA
卷尺寸(英寸)
7
胶带宽度(mm)
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
标识信息
SA
SA =产品型号标识代码
顶视图
ZXTN617MA
文件编号: DS31888牧师4 - 2
1 7
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2010年12月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXTN617MA
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
(注3)
(注4 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
价值
40
15
7
15
4.5
5
1
单位
V
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
线性降额因子
热阻,结到环境
热阻,结领导
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
(注3)
P
D
(注4 )
(注3)
(注4 )
(注5 )
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J,
T
英镑
价值
1.5
12
2.45
19.6
83
51
16.8
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
3.对于设备的表面安装在31毫米X 31毫米(10厘米
2
) FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。整个暴露收集垫被连接到散热器上。
4.同注(3 ),除了该装置测量在t
5秒。
5.对于单个设备,热电阻结点到焊接点(在漏极引线的端部) 。
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ZXTN617MA
热特性
2.0
I
C
集电极电流( A)
10
V
CE ( SAT )
有限
最大功耗( W)
1.5
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
10 sqcm
单身
1盎司铜
T
AMB
=25°C
1.0
0.1
0.5
0.01
0.1
单脉冲,T
AMB
=25°C
1
10
0.0
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
集电极 - 发射极电压( V)
温度(℃)
安全工作区
225
10 sqcm
单身
1盎司铜
降额曲线
热阻( ° C / W)
热阻( ° C / W)
80
60
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
1
2盎司覆铜
1盎司镀铜
D=0.5
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
10
100
脉冲宽度(S )
董事会铜区( sqcm )
瞬态热阻抗
3.5
T
AMB
=25°C
T
j max的情况
=150°C
连续
热电阻V电路板面积
P
D
耗散(W)的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
2盎司覆铜
1盎司镀铜
1
10
100
董事会铜区( sqcm )
功耗V电路板面积
ZXTN617MA
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注6 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极Cuto FF电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
40
15
7
-
-
-
200
300
200
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
80
-
-
典型值
70
18
8.2
-
-
-
415
450
320
240
80
8
70
165
240
200
0.88
0.94
30
120
120
160
最大
-
-
-
100
100
100
-
-
-
-
-
14
100
200
310
-
0.96
1.05
40
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= 100 A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100 A
V
CB
= 30V
V
EB
= 6V
V
CES
= 12V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 2V
I
C
=的200mA, V
CE
= 2V
I
C
= 3A ,V
CE
= 2V
I
C
= 5A ,V
CE
= 2V
I
C
= 12A ,V
CE
= 2V
I
C
= 0.1A ,我
B
= 10毫安
I
C
= 1A ,我
B
= 10毫安
I
C
= 3A ,我
B
= 50毫安
I
C
= 4.5A ,我
B
= 50毫安
I
C
= 4.5A ,我
B
= 100毫安
I
C
= 4.5A ,V
CE
= 2V
I
C
= 4.5A ,我
B
= 50毫安
V
CB
= 10V 。 F = 1MHz的
V
CE
= 10V ,我
C
= 50mA时
F = 100MHz的
V
CC
= 10V ,我
C
= 1A
I
B1
= I
B2
= 10毫安
静态正向电流传输比(注6 )
h
FE
-
集电极 - 发射极饱和电压(注6 )
V
CE ( SAT )
mV
基射极导通电压(注6 )
基射极饱和电压(注6 )
输出电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
注意事项:
V
BE(上)
V
BE ( SAT )
C
敖包
f
T
t
on
t
关闭
V
V
pF
兆赫
ns
ns
脉冲条件下测得6 。脉冲宽度
300微秒。占空比
2%.
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典型电气特性
1
Tamb=25°C
0.25
I
C
/I
B
=50
0.20
V
CE ( SAT )
(V)
V
CE ( SAT )
(V)
100m
I
C
/I
B
=100
0.15
0.10
0.05
0.00
1m
100°C
25°C
-55°C
10m
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=10
1m
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流( A)
I
C
集电极电流( A)
V
CE ( SAT )
V I
C
630
1.2
V
CE
=2V
100°C
V
CE ( SAT )
V I
C
540
450
1.0
I
C
/I
B
=50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1m
10m
100m
1
10
-55°C
25°C
典型增益(H
FE
)
归一化增益
360
270
180
90
0
V
BE ( SAT )
(V)
0.8
-55°C
0.6
25°C
100°C
0.4
1m
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流( A)
I
C
集电极电流( A)
h
FE
V I
C
V
BE ( SAT )
V I
C
1.0
0.8
V
CE
=2V
V
BE(上)
(V)
-55°C
0.6
25°C
0.4
0.2
1m
100°C
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流( A)
V
BE(上)
V I
C
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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