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ZXTN5551Z
160V ， SOT89 ， NPN高压晶体管
摘要
BV
首席执行官
> 160V
BV
EBO
> 6V
I
C（ CONT ）
= 600毫安
P
D
= 1.2W
补充部分号码ZXTP5401Z
描述
在小外形表面的高电压NPN晶体管安装包
C
特点
160V等级
SOT89封装
B
E
应用
高电压放大
E
C
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTN5551ZTA
带尺寸
（英寸）
7
C
B
引脚 - 顶视图
器件标识
N51
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTN5551Z
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
极限
180
160
6
600
1.2
9.6
-55到150
单位
V
V
V
mA
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
104
单位
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件。
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
2
www.zetex.com
ZXTN5551Z
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
分钟。
180
160
典型值。
270
200
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
= 100 A
I
C
= 1毫安
(*)
集电极 - 基极击穿BV
CBO
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
（基地开）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
6
7.85
<1
50
50
V
nA
A
mV
mV
mV
mV
I
E
= 10 A
V
CB
= 120V
V
CB
= 120V ，T
AMB
= 100°C
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
(*)
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
(*)
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
(*)
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
(*)
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
(*)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
静态正向电流
传输比
65
115
150
200
1000
1200
V
BE （ SAT ）
760
840
h
FE
80
80
30
130
145
65
130
6
兆赫
pF
250
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
(*)
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V,
f=1kHz
()
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 10V 。我
C
= 1omA ，
I
B1
= I
B2
=为1mA。
跃迁频率
输出电容
小信号
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
h
FE
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
50
260
95
64
1256
140
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
只有（ ）定期抽样检测
300秒;占空比
2%.
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
3
www.zetex.com
典型特征
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
4
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ZXTN5551Z
有意留为空白
第1期 - 2007年8月
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5
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160V ， SOT89 ， NPN高压晶体管
摘要
BV
首席执行官
> 160V
BV
EBO
> 6V
I
C（ CONT ）
= 600毫安
P
D
= 1.2W
补充部分号码ZXTP5401Z
描述
在小外形表面的高电压NPN晶体管安装包
C
特点
160V等级
SOT89封装
B
E
应用
高电压放大
E
C
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTN5551ZTA
带尺寸
（英寸）
7
C
B
引脚 - 顶视图
器件标识
N51
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
1
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ZXTN5551Z
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
极限
180
160
6
600
1.2
9.6
-55到150
单位
V
V
V
mA
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
104
单位
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件。
第1期 - 2007年8月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTN5551Z
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
分钟。
180
160
典型值。
270
200
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
= 100 A
I
C
= 1毫安
(*)
集电极 - 基极击穿BV
CBO
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
（基地开）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
6
7.85
<1
50
50
V
nA
A
mV
mV
mV
mV
I
E
= 10 A
V
CB
= 120V
V
CB
= 120V ，T
AMB
= 100°C
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
(*)
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
(*)
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
(*)
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
(*)
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
(*)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
静态正向电流
传输比
65
115
150
200
1000
1200
V
BE （ SAT ）
760
840
h
FE
80
80
30
130
145
65
130
6
兆赫
pF
250
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
(*)
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V,
f=1kHz
()
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 10V 。我
C
= 1omA ，
I
B1
= I
B2
=为1mA。
跃迁频率
输出电容
小信号
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
h
FE
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
50
260
95
64
1256
140
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
只有（ ）定期抽样检测
300秒;占空比
2%.
第1期 - 2007年8月
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典型特征
第1期 - 2007年8月
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