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ZXTN25100DZ
在SOT89 NPN 100V高增益晶体管
摘要
BV
CEX
> 180V
BV
首席执行官
> 100V
BV
ECO
> 6V
I
C( CONT )
= 2.5A
V
CE ( SAT )
< 100mV的@ 1A
R
CE ( SAT )
= 80m
P
D
= 2.4W
补充部分号码ZXTP25100CZ
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和NPN晶体管
提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
高功耗SOT89封装
高增益
低饱和电压
180V正向阻断电压
6V反向阻断电压
E
应用
电源启动开关
直流 - 直流转换器
电机驱动
继电器,指示灯和电磁驱动器
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTN25100DZTA
带尺寸
(英寸)
7
器件标识
1K9
第1期 - 2007年12月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTN25100DZ
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(正向阻断)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
180
180
100
6
7
2.5
1
3.5
1.1
8.8
1.8
14.4
2.4
19.2
4.46
35.7
19.2
153
-55到+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
117
68
51
28
7.95
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件。
(三)安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
( d)由于上述(c)在t<5秒计量。
(五)结到外壳(集电极片) 。典型
第1期 - 2007年12月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTN25100DZ
热特性
第1期 - 2007年12月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTN25100DZ
热特性
第1期 - 2007年12月
捷特科PLC 2007
4
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ZXTN25100DZ
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
(正向阻断)
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
(反向阻断)
发射极 - 集电极
击穿电压
(反向阻断)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE ( SAT )
<1
120
80
220
935
890
300
120
40
450
170
60
20
175
154
8.7
16.4
115
763
158
250
15
分钟。
180
180
典型值。
220
220
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
= 100μA
I
C
= 100μA ,R
BE
<为1kΩ或
-1V > V
BE
> 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100μA ,R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100μA
I
E
= 100μA
V
CB
= 180V
V
CB
=180V,T
AMB
=100°C
V
CE
= 100V ,R
BE
<为1kΩ或
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 0.5A ,我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 1A ,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 2.5A ,我
B
= 250毫安
(*)
I
C
= 2.5A ,我
B
= 250毫安
(*)
I
C
= 2.5A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10毫安,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 0.5A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2.5A ,V
CE
= 2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= 500毫安,V
CC
= 10V,
I
B1
= -I
B2
= 50毫安
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
EB
= 0.5V , F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
(*)
100
6
130
8.2
V
V
6
8.7
V
7
8.3
<1
50
0.5
100
50
170
100
345
1000
950
900
V
nA
μA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
第1期 - 2007年12月
捷特科PLC 2007
5
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在SOT89 NPN 100V高增益晶体管
摘要
BV
CEX
> 180V
BV
首席执行官
> 100V
BV
ECO
> 6V
I
C( CONT )
= 2.5A
V
CE ( SAT )
< 100mV的@ 1A
R
CE ( SAT )
= 80m
P
D
= 2.4W
补充部分号码ZXTP25100CZ
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和NPN晶体管
提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
高功耗SOT89封装
高增益
低饱和电压
180V正向阻断电压
6V反向阻断电压
E
应用
电源启动开关
直流 - 直流转换器
电机驱动
继电器,指示灯和电磁驱动器
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTN25100DZTA
带尺寸
(英寸)
7
器件标识
1K9
第1期 - 2007年12月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTN25100DZ
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(正向阻断)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
180
180
100
6
7
2.5
1
3.5
1.1
8.8
1.8
14.4
2.4
19.2
4.46
35.7
19.2
153
-55到+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
117
68
51
28
7.95
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件。
(三)安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
( d)由于上述(c)在t<5秒计量。
(五)结到外壳(集电极片) 。典型
第1期 - 2007年12月
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2
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ZXTN25100DZ
热特性
第1期 - 2007年12月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTN25100DZ
热特性
第1期 - 2007年12月
捷特科PLC 2007
4
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ZXTN25100DZ
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
(正向阻断)
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
(反向阻断)
发射极 - 集电极
击穿电压
(反向阻断)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE ( SAT )
<1
120
80
220
935
890
300
120
40
450
170
60
20
175
154
8.7
16.4
115
763
158
250
15
分钟。
180
180
典型值。
220
220
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
= 100μA
I
C
= 100μA ,R
BE
<为1kΩ或
-1V > V
BE
> 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100μA ,R
BC
<为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100μA
I
E
= 100μA
V
CB
= 180V
V
CB
=180V,T
AMB
=100°C
V
CE
= 100V ,R
BE
<为1kΩ或
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 0.5A ,我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 1A ,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 2.5A ,我
B
= 250毫安
(*)
I
C
= 2.5A ,我
B
= 250毫安
(*)
I
C
= 2.5A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10毫安,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 0.5A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2.5A ,V
CE
= 2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= 500毫安,V
CC
= 10V,
I
B1
= -I
B2
= 50毫安
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
EB
= 0.5V , F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
(*)
100
6
130
8.2
V
V
6
8.7
V
7
8.3
<1
50
0.5
100
50
170
100
345
1000
950
900
V
nA
μA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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