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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第51页 > ZXTN25050DFHTA
ZXTN25050DFH
50V ， SOT23 ， NPN型中功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 150V
BV
首席执行官
> 50V
BV
ECO
> 5V
I
C（ CONT ）
= 4A
V
CE （ SAT ）
< 60mV的@ 1A
R
CE （ SAT ）
= 40m
P
D
= 1.25W
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
峰值电流
高增益
低饱和电压
150V正向阻断电压
5V反向阻断电压
MOSFET栅极驱动器
电源开关
电机控制
直流风扇
DC- DC转换器
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
订购信息
设备
ZXTN25050DFHTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
单位数量
REEL
3,000
器件标识
017
第3期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTN25050DFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
150
150
50
5
7
4
1
10
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第3期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
2
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ZXTN25050DFH
特征
第3期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
3
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ZXTN25050DFH
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
分钟。
150
150
50
5
5
7
典型值。
180
180
67
8
7.4
8.3
<1
-
<1
50
160
180
190
160
基射极饱和
电压
基射极导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
300
240
20
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
970
870
450
410
40
200
12
65
111
429
140
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
V
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A，R
BE
1k
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A，R
BC
1K或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
I
E
= 100 A
V
CB
= 150V
V
CB
= 150V ，T
AMB
= 100°C
V
CE
= 150V ;
BE
1k
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 3,5A ，我
B
= 175毫安
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 400毫安
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 400毫安
(*)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
or
or
集电极 - 基极击穿电压BV
CBO
集电极 - 发射极击穿
BV
CEX
电压（正向阻断）
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极 - 发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
50
20
100
50
60
260
250
235
210
1070
970
900
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
静态正向电流办理H
FE
比
20
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 10V 。我
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 10毫安。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第3期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
4
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ZXTN25050DFH
典型特征
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5
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50V ， SOT23 ， NPN型中功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 150V
BV
首席执行官
> 50V
BV
ECO
> 5V
I
C（ CONT ）
= 4A
V
CE （ SAT ）
< 60mV的@ 1A
R
CE （ SAT ）
= 40m
P
D
= 1.25W
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
峰值电流
高增益
低饱和电压
150V正向阻断电压
5V反向阻断电压
MOSFET栅极驱动器
电源开关
电机控制
直流风扇
DC- DC转换器
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
订购信息
设备
ZXTN25050DFHTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
单位数量
REEL
3,000
器件标识
017
第3期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
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ZXTN25050DFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
150
150
50
5
7
4
1
10
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第3期 - 2006年9月
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特征
第3期 - 2006年9月
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
分钟。
150
150
50
5
5
7
典型值。
180
180
67
8
7.4
8.3
<1
-
<1
50
160
180
190
160
基射极饱和
电压
基射极导通电压
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
300
240
20
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
970
870
450
410
40
200
12
65
111
429
140
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
V
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A，R
BE
1k
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A，R
BC
1K或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
I
E
= 100 A
V
CB
= 150V
V
CB
= 150V ，T
AMB
= 100°C
V
CE
= 150V ;
BE
1k
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 3,5A ，我
B
= 175毫安
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 400毫安
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 400毫安
(*)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
or
or
集电极 - 基极击穿电压BV
CBO
集电极 - 发射极击穿
BV
CEX
电压（正向阻断）
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极 - 发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
50
20
100
50
60
260
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210
1070
970
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nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
mV
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静态正向电流办理H
FE
比
20
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 10V 。我
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 10毫安。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第3期 - 2006年9月
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典型特征
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Z5SMB5381B
ZR12DTA
ZR431C01
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ZRA125R01
ZWS150AF-5
Z1SMA36
ZPSD312-B-70J
ZM7332G-65503Y-T1
ZL50030
Z8F4822VS020EC
ZM331643G
ZQ100-5S24S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    -
    -
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