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ZXTN25040DFH
40V ， SOT23 ， NPN型中功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 130V
BV
首席执行官
> 40V
BV
ECO
> 6V
I
C（ CONT ）
= 4A
V
CE （ SAT ）
< 55毫伏@ 1A
R
CE （ SAT ）
= 35 m
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTP25040DFH
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
峰值电流
高增益
低饱和电压
130V正向阻断电压
6V反向阻断电压
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
MOSFET栅极驱动器
电源开关
电机控制
直流风扇
DC- DC转换器
订购信息
设备
ZXTN25040DFHTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
单位数量
REEL
3,000
器件标识
1A4
第1期 - 2006年6月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTN25040DFH
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
= 25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
极限
130
130
40
6
7
4
1
10
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2006年6月
捷特科PLC 2006
2
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ZXTN25040DFH
特征
第1期 - 2006年6月
捷特科PLC 2006
3
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ZXTN25040DFH
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
符号
BV
CBO
分钟。
130
130
40
7
6
6
典型值。
170
170
63
8.3
7.4
7.4
<1
-
50
20
100
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
nA
A
nA
条件
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A;
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A
I
E
= 100 A，R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
V
CB
= 100V
V
CB
= 100V ，T
AMB
= 100°C
V
CE
= 100V ;
BE
< 1K
or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 400毫安
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 400毫安
(*)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫
20
pF
ns
ns
ns
ns
2%.
集电极 - 发射极击穿BV
CEX
电压（正向阻断）
集电极 - 发射极击穿BV
首席执行官
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
BV
EBO
or
发射极 - 集电极击穿BV
ECX
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿BV
ECO
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流I
CBO
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
45
120
135
140
50
55
210
210
190
1050
950
900
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
V
BE （ SAT ）
960
840
300
300
30
450
450
60
10
基极 - 发射极导通电压V
BE（上）
静态正向电流
传输比
h
FE
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
190
11.7
64
108
428
130
300秒;占空比
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 10V,
I
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 10毫安
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2006年6月
捷特科PLC 2006
4
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ZXTN25040DFH
典型特征
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40V ， SOT23 ， NPN型中功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 130V
BV
首席执行官
> 40V
BV
ECO
> 6V
I
C（ CONT ）
= 4A
V
CE （ SAT ）
< 55毫伏@ 1A
R
CE （ SAT ）
= 35 m
P
D
= 1.25W
补充部分号码ZXTP25040DFH
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常
适合应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
高功耗SOT23封装
峰值电流
高增益
低饱和电压
130V正向阻断电压
6V反向阻断电压
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
MOSFET栅极驱动器
电源开关
电机控制
直流风扇
DC- DC转换器
订购信息
设备
ZXTN25040DFHTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
单位数量
REEL
3,000
器件标识
1A4
第1期 - 2006年6月
捷特科PLC 2006
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绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
= 25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
极限
130
130
40
6
7
4
1
10
0.73
5.84
1.05
8.4
1.25
9.6
1.81
14.5
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
171
119
100
69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2006年6月
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特征
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
符号
BV
CBO
分钟。
130
130
40
7
6
6
典型值。
170
170
63
8.3
7.4
7.4
<1
-
50
20
100
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
nA
A
nA
条件
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A;
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A
I
E
= 100 A，R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
V
CB
= 100V
V
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AMB
= 100°C
V
CE
= 100V ;
BE
< 1K
or
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 400毫安
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 400毫安
(*)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫
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ns
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集电极 - 发射极击穿BV
CEX
电压（正向阻断）
集电极 - 发射极击穿BV
首席执行官
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿
电压
BV
EBO
or
发射极 - 集电极击穿BV
ECX
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿BV
ECO
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流I
CBO
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
45
120
135
140
50
55
210
210
190
1050
950
900
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
V
BE （ SAT ）
960
840
300
300
30
450
450
60
10
基极 - 发射极导通电压V
BE（上）
静态正向电流
传输比
h
FE
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
190
11.7
64
108
428
130
300秒;占空比
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 10V,
I
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 10毫安
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
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ZN2PD2-50
Z3C300-RG-10
Z1SMA180
Z0803606PME
ZXTD2M832TA
Z0305MG
ZPSD512B1-C-70L
Z86C9533VSC
ZBVB55
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