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ZXTN25020DZ
在SOT89 20V NPN高增益晶体管
摘要
BV
CEX
> 100V
BV
首席执行官
> 20V
BV
ECX
> 6V
I
C（ CONT ）
= 6A
V
CE （ SAT ）
< 48mV @ 1A
R
CE （ SAT ）
= 30m
P
D
= 2.4W
补充部分号码ZXTP25020DZ
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和20V NPN
晶体管提供极低的导通损耗，非常适合用在
的DC-DC电路和各种驱动和电源管理功能
C
B
特点
6安培连续电流
截至15安培峰值电流
高电流增益
极低的饱和电压
100V正向阻断电压
6V反向阻断电压
E
应用
应急照明电路
电机驱动
相机频闪
升压转换器
背光逆变器
MOSFET栅极驱动器
LED驱动
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTN25020DZTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
器件标识
1K8
第1期 - 2008年1月
捷特科PLC 2008
1
www.zetex.com
ZXTN25020DZ
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECX
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
100
100
20
6
7
6
1
15
1.1
8.8
1.8
14.4
2.4
19.2
4.46
35.7
19.2
153
-55到150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
117
68
51
28
7.95
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到管壳（集电极片。典型
第1期 - 2008年1月
捷特科PLC 2008
2
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ZXTN25020DZ
热特性
第1期 - 2008年1月
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3
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热特性
第1期 - 2008年1月
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4
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ZXTN25020DZ
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
（正向阻断）
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
40
60
100
130
100
210
1000
875
300
250
50
450
360
110
15
215
152
16.5
67.7
72.2
361
63.9
25
分钟。
100
100
20
6
5.0
典型值。
125
120
35
8
6.0
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
条件
I
C
= 100μA
I
C
= 100μA ，R
BE
≤
为1kΩ或
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100μA ，R
BC
≤
为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100μA
I
E
= 100μA
V
CB
= 100V
V
CB
= 100V ，T
AMB
=100°C
V
CE
= 100V ，R
BE
≤
为1kΩ或
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= -5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 20mA下
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 20mA下
(*)
I
C
= 3A ，我
B
= 300毫安
(*)
I
C
= 6A ，我
B
= 300毫安
(*)
I
C
= 6A ，我
B
= 300毫安
(*)
I
C
= 6A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 6A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 15A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= 1A ，V
CC
= 10V,
I
B1
= -I
B2
= 10毫安
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
7.0
8.3
<1
50
0.5
100
50
48
75
120
180
120
270
1050
950
900
V
nA
μA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
第1期 - 2008年1月
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ZXTN25020DZ
在SOT89 20V NPN高增益晶体管
摘要
BV
CEX
> 100V
BV
首席执行官
> 20V
BV
ECX
> 6V
I
C（ CONT ）
= 6A
V
CE （ SAT ）
< 48mV @ 1A
R
CE （ SAT ）
= 30m
P
D
= 2.4W
补充部分号码ZXTP25020DZ
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和20V NPN
晶体管提供极低的导通损耗，非常适合用在
的DC-DC电路和各种驱动和电源管理功能
C
B
特点
6安培连续电流
截至15安培峰值电流
高电流增益
极低的饱和电压
100V正向阻断电压
6V反向阻断电压
E
应用
应急照明电路
电机驱动
相机频闪
升压转换器
背光逆变器
MOSFET栅极驱动器
LED驱动
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTN25020DZTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
器件标识
1K8
第1期 - 2008年1月
捷特科PLC 2008
1
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ZXTN25020DZ
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECX
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
100
100
20
6
7
6
1
15
1.1
8.8
1.8
14.4
2.4
19.2
4.46
35.7
19.2
153
-55到150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
117
68
51
28
7.95
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（三）安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ d）由于上述（c）在t<5秒计量。
（五）结到管壳（集电极片。典型
第1期 - 2008年1月
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ZXTN25020DZ
热特性
第1期 - 2008年1月
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热特性
第1期 - 2008年1月
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4
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ZXTN25020DZ
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
（正向阻断）
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
40
60
100
130
100
210
1000
875
300
250
50
450
360
110
15
215
152
16.5
67.7
72.2
361
63.9
25
分钟。
100
100
20
6
5.0
典型值。
125
120
35
8
6.0
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
条件
I
C
= 100μA
I
C
= 100μA ，R
BE
≤
为1kΩ或
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100μA ，R
BC
≤
为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100μA
I
E
= 100μA
V
CB
= 100V
V
CB
= 100V ，T
AMB
=100°C
V
CE
= 100V ，R
BE
≤
为1kΩ或
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= -5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 20mA下
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 20mA下
(*)
I
C
= 3A ，我
B
= 300毫安
(*)
I
C
= 6A ，我
B
= 300毫安
(*)
I
C
= 6A ，我
B
= 300毫安
(*)
I
C
= 6A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 6A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 15A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= 1A ，V
CC
= 10V,
I
B1
= -I
B2
= 10毫安
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
7.0
8.3
<1
50
0.5
100
50
48
75
120
180
120
270
1050
950
900
V
nA
μA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
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ZS260L
ZXF103Q16TC
ZXMD63N03X_05
ZPD10
ZXMN6A11ZTA
ZMY91
ZXCL280E5TA
ZSPM4121AI1W17
ZM7308G-65503Y-T2
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