ZXTN2038F
SOT23 80伏NPN硅平面中功率
晶体管
摘要
V
（ BR ） CEV
> 80V
V
（ BR ） CEO
> 60V
I
C（ CONT ）
= 1A
V
CE （ SAT ）
<为500mV @ 1A
互补式
ZXTP2039F
描述
该晶体管相结合的高增益，高电流操作和低饱和电压使其
非常适用于功率MOSFET门极驱动和低损耗功率开关。
特点
■
低饱和电压，可降低功耗
■
1至2安培高电流能力
■
无铅
■
SOT23封装
应用
■
功率MOSFET栅极驱动
■
低损耗功率开关
订购信息
引脚输出 - 顶视图
设备
ZXTN2038FTA
ZXTN2038FTC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
8mm
8mm
QUANTITY每卷
3,000
10,000
器件标识
P38
第2期 - 2005年8月
捷特科股份有限公司2005
1
www.zetex.com
ZXTN2038F
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
*
峰值电流基地
功率耗散@ T
A
=25°C
*
工作和存储温度
符号
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
BM
P
D
T
j
:T
英镑
极限
80
80
60
5.0
2
1
1
350
55 150
单位
V
V
V
V
A
A
A
mW
°C
注意事项：
*对于设备的表面安装在一个尺寸仅为15mm× 15毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
第2期 - 2005年8月
捷特科股份有限公司2005
2
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ZXTN2038F
电气特性（ @T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
100
100
80
30
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
0.2
0.25
0.5
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
150
10
pF
1.1
1.0
V
V
V
V
V
300
分钟。
80
80
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
=100 A
I
C
=100 A,
0.3V > V
BE
> -1V
I
C
=10mA
*
I
E
=100 A
V
CE
=60V
V
CB
=60V
V
EB
=4V
I
C
= 1mA时， V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V
*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V
*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V
*
I
C
= 100mA时我
B
=2mA
*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA
*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA
*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V
*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
60
5
100
100
100
V
V
nA
nA
nA
注意事项：
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 S.占空比
辣妹参数数据可应要求提供此设备
2%
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ZXTN2038F
包装细节 - SOT23
L
H
N
D
3 LEADS
G
M
B
A
C
K
F
包装尺寸
尺寸以英寸为控制尺寸，以毫米为单位的尺寸均为近似值。
DIM 。
MILLIMETERS
分钟。
A
B
C
D
F
G
2.67
1.20
-
0.37
0.085
马克斯。
3.05
1.40
1.10
0.53
0.15
英寸
分钟。
0.105
0.047
-
0.015
0.0034
马克斯。
0.120
0.055
0.043
0.021
0.0059
H
K
L
M
N
-
DIM 。
MILLIMETERS
分钟。
0.33
0.01
2.10
0.45
马克斯。
0.51
0.10
2.50
0.64
英寸
马克斯。
0.013
0.0004
0.083
0.018
马克斯。
0.020
0.004
0.0985
0.025
0.95喃。
-
-
0.0375喃。
-
-
1.90喃。
0.075喃。
欧洲
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
europe.sales@zetex.com
美洲
Zetex的公司
700退伍军人纪念公路
Hauppauge的，纽约州11788
美国
电话： （ 1 ） 631 360 2222
传真：（1） 631 360 8222
usa.sales@zetex.com
亚太地区
Zetex公司（亚洲有限公司）
3701-04都会广场第一
兴芳路葵芳
香港
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
asia.sales@zetex.com
公司总部
捷特科PLC
Zetex的科技园， Chadderton
奥尔德姆， OL9 9LL
英国
电话（ 44 ） 161 622 4444
传真： （ 44 ） 161 622 4446
hq@zetex.com
由代理商和分销商的主要国家世界范围内的这些办事处的支持。
本出版物发行大纲提供信息，仅这（除非同意由本公司书面） ，不得使用，或应用
再现的任何顺序或接触或任何目的或形式部分被视为与有关产品或服务的表示。
本公司保留不另行通知，以更改规格，设计，价格或供应任何产品或服务的条件的权利。
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对产品线
Diodes公司
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SOT23 80伏NPN硅平面中功率
晶体管
摘要
V
（ BR ） CEV
> 80V
V
（ BR ） CEO
> 60V
I
C（ CONT ）
= 1A
V
CE （ SAT ）
<为500mV @ 1A
互补式
ZXTP2039F
描述
该晶体管相结合的高增益，高电流操作和低饱和电压使其
非常适用于功率MOSFET门极驱动和低损耗功率开关。
特点
低饱和电压，可降低功耗
1至2安培高电流能力
无铅
SOT23封装
应用
功率MOSFET栅极驱动
低损耗功率开关
订购信息
设备
ZXTN2038FTA
ZXTN2038FTC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
8mm
8mm
QUANTITY每卷
3,000
10,000
器件标识
N38
第4期 - 2009年1月
Diodes公司， 2008年
1
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www.diodes.com
ZXTN2038F
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(*)
峰值电流基地
功率耗散@ T
A
=25°C
(*)
工作和存储温度
符号
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
BM
P
D
T
j
:T
英镑
极限
80
80
60
5.0
2
1
1
350
55 150
单位
V
V
V
V
A
A
A
mW
°C
注意事项：
（ * ）对于设备的表面安装在一个尺寸仅为15mm× 15毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
第4期 - 2009年1月
Diodes公司， 2008年
2
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ZXTN2038F
电气特性（ @T
AMB
= 25°C)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流传输
比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
100
100
80
30
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
0.2
0.25
0.5
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
150
10
pF
1.1
1.0
V
V
V
V
V
300
分钟。
80
80
马克斯。
单位
V
V
条件
I
C
=100 A
I
C
=100 A,
0.3V > V
BE
> -1V
I
C
=10mA
(*)
I
E
=100 A
V
CE
=60V
V
CB
=60V
V
EB
=4V
I
C
= 1mA时， V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V
(*)
I
C
= 1A ，V
CE
=5V
(*)
I
C
= 2A ，V
CE
=5V
(*)
I
C
= 100mA时我
B
=2mA
(*)
I
C
=500mA,
I
B
=50mA
(*)
I
C
= 1A ，我
B
=100mA
(*)
I
C
= 1A ，我
B
=100mA
(*)
I
C
= 1A ，V
CE
=5V
(*)
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
60
5
100
100
100
V
V
nA
nA
nA
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300 S.占空比
辣妹参数数据可应要求提供此设备
2%
第4期 - 2009年1月
Diodes公司， 2008年
3
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