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ZXTN2011Z
100V NPN低饱和中功率晶体管SOT89
摘要
BV
首席执行官
= 100V ，R
SAT
= 31米;我
C
= 4.5A
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和100V NPN晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
4.5安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT89
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡（ SLIC ）
订购信息
设备
REEL
SIZE
7"
胶带宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
ZXTN2011ZTA
引脚
器件标识
853
意见
第2期 - 2006年5月
1
半导体
ZXTN2011Z
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
功耗在T A = 25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
PD
T
j
, T
英镑
极限
200
100
7
4.5
10
1.5
12
2.1
16.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
83
60
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第2期 - 2006年5月
半导体
2
ZXTN2011Z
特征
第2期 - 2006年5月
3
半导体
ZXTN2011Z
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
20
45
85
155
基极发射极饱和电压
基极发射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
30
10
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
1000
900
230
200
60
20
130
26
41
1010
300
分钟。
200
200
100
7
典型值。
235
235
115
8.1
50
0.5
100
0.5
10
30
60
115
195
1100
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= 100 A
I
C
= 1 A， RB
I
C
= 10毫安*
I
E
= 100 A
V
CB
= 150V
V
CB
= 150V ，T
AMB
=100 C
V
CB
= 150V
V
CB
= 150V ，T
AMB
=100 C
V
EB
= 6V
I
C
= 0.1A ，我
B
= 5毫安*
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安*
I
C
= 2A ，我
B
= 100毫安*
I
C
= 5A ，我
B
= 500毫安*
I
C
= 5A ，我
B
= 500毫安*
I
C
= 5A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V*
I
C
= 2A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 5A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 10A ，V
CE
= 2V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
= 10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
= 10V,
I
B1
= I
B2
= 100毫安
1k
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2006年5月
半导体
4
ZXTN2011Z
典型特征
第2期 - 2006年5月
5
半导体
ZXTN2011Z
100V NPN低饱和中功率晶体管SOT89
摘要
BV
首席执行官
= 100V ，R
SAT
= 31米;我
C
= 4.5A
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和100V NPN晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
4.5安培连续电流
高达10安培的峰值电流
极低的饱和电压
SOT89
应用
电机驱动
线路交换
高边开关
用户线路接口卡（ SLIC ）
订购信息
设备
REEL
SIZE
7"
胶带宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
ZXTN2011ZTA
引脚
器件标识
853
意见
第2期 - 2006年5月
1
半导体
ZXTN2011Z
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
功耗在T A = 25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
PD
T
j
, T
英镑
极限
200
100
7
4.5
10
1.5
12
2.1
16.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
83
60
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第2期 - 2006年5月
半导体
2
ZXTN2011Z
特征
第2期 - 2006年5月
3
半导体
ZXTN2011Z
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
20
45
85
155
基极发射极饱和电压
基极发射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
30
10
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
1000
900
230
200
60
20
130
26
41
1010
300
分钟。
200
200
100
7
典型值。
235
235
115
8.1
50
0.5
100
0.5
10
30
60
115
195
1100
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= 100 A
I
C
= 1 A， RB
I
C
= 10毫安*
I
E
= 100 A
V
CB
= 150V
V
CB
= 150V ，T
AMB
=100 C
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CB
= 150V
V
CB
= 150V ，T
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=100 C
V
EB
= 6V
I
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= 0.1A ，我
B
= 5毫安*
I
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= 1A ，我
B
= 100毫安*
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= 2A ，我
B
= 100毫安*
I
C
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B
= 500毫安*
I
C
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B
= 500毫安*
I
C
= 5A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 10毫安，V
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= 2V*
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CE
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I
C
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CE
= 2V*
I
C
= 10A ，V
CE
= 2V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
= 10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
= 10V,
I
B1
= I
B2
= 100毫安
1k
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2006年5月
半导体
4
ZXTN2011Z
典型特征
第2期 - 2006年5月
5
半导体
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ZXTP2013GTC
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