【ZXTN2011G100V NPN低饱和中功率低饱和晶体管SOT223摘要BV首席执行官= 100V】,IC型号ZXTN2011G_06,ZXTN2011G_06 PDF资料,ZXTN2011G_06经销商,ic,电子元器件-51电子网

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ZXTN2011G

100V NPN低饱和中功率低饱和

晶体管SOT223

摘要

BV

首席执行官

= 100V ，R

SAT

= 36米;我

C

= 6A

描述

打包在SOT223概述这一新的低饱和100V NPN晶体管

提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用

和各种驱动和电源管理功能。

特点

6安培连续电流

高达10安培的峰值电流

极低的饱和电压

SOT223

应用

电机驱动

线路交换

高边开关

用户线路接口卡（ SLIC ）

订购信息

设备

ZXTN2011GTA

ZXTN2011GTC

REEL

SIZE

7”

13”

TAPE

宽度

12mm

压花

单位数量

REEL

1000台

4000台

引脚

器件标识

ZXTN

2011

顶视图

第2期 - 2006年5月

1

半导体

ZXTN2011G

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

(a)

(a)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

I

CM

P

D

P

D

T

j

, T

英镑

极限

200

100

7

6

10

3.0

24

1.6

12.8

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

(b)

工作和存储温度范围

热阻

参数

结到环境

(a)

符号

R

JA

价值

42

单位

° C / W

笔记

（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。

（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

第2期 - 2006年5月

半导体

2

ZXTN2011G

特征

第2期 - 2006年5月

3

半导体

ZXTN2011G

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CER

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

CER

R

I

EBO

V

CE （ SAT ）

21

50

95

180

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

100

100

30

10

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

ON

t

关闭

1020

920

230

200

60

20

130

26

41

1010

300

1k

分钟。

200

200

100

7

典型值。

235

235

115

8.1

50

0.5

100

0.5

10

35

65

125

220

1120

1000

MAX 。单位条件

V

V

V

V

nA

A

nA

A

nA

mV

mV

mV

mV

mV

mV

I

C

=100 A

I

C

= 1 A， RB 1K

I

C

=10mA*

I

E

=100 A

V

CB

=150V

V

CB

=150V,T

AMB

=100 C

V

CB

=150V

V

CB

=150V,T

AMB

=100 C

V

EB

=6V

I

C

= 0.1A ，我

B

=5mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 2A ，我

B

=100mA*

I

C

= 5A ，我

B

=500mA*

I

C

= 5A ，我

B

=500mA*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10A ，V

CE

=2V*

兆赫我

C

= 100mA时V

CE

=10V

f=50MHz

pF

ns

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的*

I

C

= 1A ，V

CC

=10V,

I

B1

=I

B2

=100mA

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

300秒;占空比

2%.

第2期 - 2006年5月

半导体

4

ZXTN2011G

典型特征

第2期 - 2006年5月

5

半导体

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