ZXTN2010A
60V NPN低饱和中功率晶体管E-LINE
摘要
BV
首席执行官
= 60V ，R
SAT
= 34米;我
C
= 4.5A
描述
封装在E行勾勒新的低饱和60V NPN晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
导通电阻烹饪极具低等效;
R
SAT
=在5A 34米
4.5安培连续电流
截至15安培峰值电流
极低的饱和电压
电子线
应用
应急照明电路
电机驱动（包括直流风扇）
电磁阀，继电器和执行器的驱动程序
DC模块
背光逆变器
订购信息
设备
ZXTN2010ASTOA
ZXTN2010ASTZ
QUANTITY
2000个/卷
2000单位/箱
器件标识
ZXT
N20
10
引脚
第2期 - 2006年5月
1
半导体
ZXTN2010A
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
实际功耗
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
(b)
(a)
(a)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
极限
150
60
7
4.5
15
1.0
8
0.71
5.7
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
125
175
单位
° C / W
° C / W
笔记
（ a）对于贯通孔安装在用25mm x用25mm x 1.6毫米的FR4印刷电路板具有高覆盖性的单面盎司镀铜，在静止空气条件下的装置。
集电极引线长度到焊点4毫米。
（ b对于安装在插座在静止空气条件下的设备。集电极引线长度10毫米。
第2期 - 2006年5月
半导体
2
ZXTN2010A
60V NPN低饱和中功率晶体管E-LINE
摘要
BV
首席执行官
= 60V ，R
SAT
= 34米;我
C
= 4.5A
描述
封装在E行勾勒新的低饱和60V NPN晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
导通电阻烹饪极具低等效;
R
SAT
=在5A 34米
4.5安培连续电流
截至15安培峰值电流
极低的饱和电压
电子线
应用
应急照明电路
电机驱动（包括直流风扇）
电磁阀，继电器和执行器的驱动程序
DC模块
背光逆变器
订购信息
设备
ZXTN2010ASTOA
ZXTN2010ASTZ
QUANTITY
2000个/卷
2000单位/箱
器件标识
ZXT
N20
10
引脚
第1期 - 2005年6月
1
半导体
ZXTN2010A
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
实际功耗
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
150
60
7
4.5
15
1.0
8
0.71
5.7
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
125
175
单位
° C / W
° C / W
笔记
（ a）对于贯通孔安装在用25mm x用25mm x 1.6毫米的FR4印刷电路板具有高覆盖性的单面盎司镀铜，在静止空气条件下的装置。
集电极引线长度到焊点4毫米。
（ b对于安装在插座在静止空气条件下的设备。集电极引线长度10毫米。
第1期 - 2005年6月
半导体
2
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