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ZXTN2007G
30V NPN型中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 30V ，R
SAT
= 28米;我
C
= 7A
描述
打包在SOT223概述这一新的低饱和30V NPN晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
导通电阻烹饪极具低等效;
R
SAT
=在6.5A 28米
7安培连续电流
高达20A的峰值电流
极低的饱和电压
优秀
FE
特点高达20A
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
MOSFET栅极驱动器
充电电路
电源开关
电机控制
订购信息
设备
ZXTN2007GTA
ZXTN2007GTC
REEL
SIZE
7”
13"
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
4000台
引脚
器件标识
ZXTN
2007
第1期 - 2005年6月
1
顶视图
半导体
ZXTN2007G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
80
30
7
7
20
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
42
78
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2005年6月
半导体
2
ZXTN2007G
特征
第1期 - 2005年6月
3
半导体
ZXTN2007G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
25
35
50
100
185
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
100
20
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
1025
920
175
200
150
30
140
48
37
425
300秒;占空比
2%.
300
分钟。
80
80
30
7
典型值。
125
125
40
8.1
20
0.5
20
0.5
10
35
50
65
125
220
1130
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A， RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=70V
V
CB
= 70V ，T
AMB
=100 C
V
CB
=70V
V
CB
= 70V ，T
AMB
=100 C
V
EB
=6V
I
C
= 0.5A ，我
B
=20mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，我
B
=20mA*
I
C
= 2A ，我
B
=20mA*
I
C
= 6.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6.5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
= 7A ，V
CE
=1V*
I
C
= 20A ，V
CE
=1V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=-I
B2
=100mA
第1期 - 2005年6月
半导体
4
ZXTN2007G
典型特征
第1期 - 2005年6月
5
半导体
ZXTN2007G
30V NPN型中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 30V ，R
SAT
= 28米;我
C
= 7A
描述
打包在SOT223概述这一新的低饱和30V NPN晶体管
提供极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
特点
导通电阻烹饪极具低等效;
R
SAT
=在6.5A 28米
7安培连续电流
高达20A的峰值电流
极低的饱和电压
优秀
FE
特点高达20A
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
MOSFET栅极驱动器
充电电路
电源开关
电机控制
订购信息
设备
ZXTN2007GTA
ZXTN2007GTC
REEL
SIZE
7”
13"
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000台
4000台
引脚
器件标识
ZXTN
2007
第2期 - 2006年5月
1
顶视图
半导体
ZXTN2007G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
(a)
(a)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
极限
80
30
7
7
20
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
(b)
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
42
78
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第2期 - 2006年5月
半导体
2
ZXTN2007G
特征
第2期 - 2006年5月
3
半导体
ZXTN2007G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
25
35
50
100
185
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
100
20
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
1025
920
175
200
150
30
140
48
37
425
300秒;占空比
2%.
300
分钟。
80
80
30
7
典型值。
125
125
40
8.1
50
0.5
100
0.5
10
35
50
65
125
220
1130
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A， RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=70V
V
CB
= 70V ，T
AMB
=100 C
V
CB
=70V
V
CB
= 70V ，T
AMB
=100 C
V
EB
=6V
I
C
= 0.5A ，我
B
=20mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，我
B
=20mA*
I
C
= 2A ，我
B
=20mA*
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C
= 6.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6.5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
= 7A ，V
CE
=1V*
I
C
= 20A ，V
CE
=1V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=-I
B2
=100mA
第2期 - 2006年5月
半导体
4
ZXTN2007G
典型特征
第2期 - 2006年5月
5
半导体
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    ZXTN2007G
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