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ZXTN19100CZ
在SOT89 100V NPN中功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 200V
BV
首席执行官
> 100V
BV
ECO
> 5V
I
C( CONT )
= 5.25A
V
CE ( SAT )
< 65mV @ 1A
R
CE ( SAT )
= 44m
P
D
= 2.4W
补充部分号码ZXTP19100CZ
描述
打包在SOT89概述这一新的低饱和NPN晶体管
提供极低的导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
C
B
特点
更高的功耗SOT89封装
峰值电流
低饱和电压
较高的正向阻断电压
E
应用
电源启动开关
电机驱动
灯,继电器和电磁开关
E
C
C
B
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
1000
订购信息
设备
ZXTN19100CZTA
带尺寸
(英寸)
7
引脚 - 顶视图
器件标识
1L9
第1期 - 2008年2月
捷特科PLC 2008
1
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ZXTN19100CZ
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(正向阻断)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
在T功耗
C
=25°C
(e)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECX
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
200
200
100
6
7
5.25
1
10
1.1
8.8
1.8
14.4
2.4
19.2
4.46
35.7
26.6
213
-55到150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
结到外壳
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JC
极限
117
68
51
28
4.69
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件。
(三)安装在50毫米×50毫米X 0.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件。
( d)由于上述(c)在t<5秒计量。
(五)结到外壳(集电极片) 。典型的。
第1期 - 2008年2月
捷特科PLC 2008
2
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ZXTN19100CZ
热特性
第1期 - 2008年2月
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3
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热特性
第1期 - 2008年2月
捷特科PLC 2008
4
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ZXTN19100CZ
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
(正向阻断)
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
(反向阻断)
发射极 - 集电极
击穿电压
(反向阻断)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
ECX
BV
ECO
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE ( SAT )
<1
50
105
210
1000
930
200
130
300
200
30
150
305
15.7
28.3
23.6
962
133
400
25
分钟。
200
200
100
6
5
7
典型值。
240
240
120
8.3
8
8.3
<1
50
0.5
100
50
65
140
350
1075
1025
500
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
nA
μA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件
I
C
= 100μA
I
C
= 100μA ,R
BE
为1kΩ或
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100μA ,R
BC
为1kΩ或
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100μA
I
E
= 100μA
V
CB
= 200V
V
CB
= 200V ,T
AMB
=100°C
V
CE
= 200V ,R
BE
为1kΩ或
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A ,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ,我
B
= 20mA下
(*)
I
C
= 5.25A ,我
B
= 525毫安
(*)
I
C
= 5.25A ,我
B
= 525毫安
(*)
I
C
= 5.25A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 100mA时V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 1A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 5.25A ,V
CE
= 2V
(*)
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= 500毫安,V
CC
= 10V,
I
B1
= -I
B2
= 50毫安
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
EB
= 0.5V , F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
(*)
基射极饱和
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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