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ZXTN19060CFF
60V ， SOT23F ， NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 160V
BV
首席执行官
> 60V
BV
ECO
> 6V
I
C（ CONT ）
= 5.5A
V
CE （ SAT ）
< 45mV @ 1A
R
CE （ SAT ）
= 26m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP19060CFF
描述
此中间电压NPN晶体管被设计为应用
需要高增益和低饱和电压。该SOT23F包
引脚与业界标准的SOT23封装占位面积，但提供兼容
放低姿态和应用更高的耗散功率在哪里
密度是最重要的。
C
B
特点
高增益
低饱和电压
薄型小尺寸封装
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
电机驱动
海妖司机
订购信息
设备
ZXTN19060CFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1E4
第1期 - 2006年10月
捷特科PLC 2006
1
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ZXTN19060CFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流（ C）
基极电流
峰值脉冲电流
功率耗散@ T
AMB
= 25 ° C（一）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
160
160
60
6
7
5.5
1
12
0.84
6.72
1.34
10.72
1.50
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2006年10月
捷特科PLC 2006
2
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ZXTN19060CFF
特征
第1期 - 2006年10月
捷特科PLC 2006
3
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ZXTN19060CFF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
分钟。
160
160
60
7
6
6
典型值。马克斯。单位条件
200
200
75
8.3
7
7
<1
50
20
集电极 - 发射极截止电流I
CEX
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
<1
36
105
105
145
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
200
160
30
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
100
50
45
150
135
175
V
V
V
V
V
V
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
IC = 100 A
I
C
= 100 A，R
BE
1k
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A
I
E
= 100毫安，R
BC
1k
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
V
CB
= 120V
V
CB
= 120V ，T
AMB
= 100°C
V
CE
= 120V ，R
BE
1k
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 5.5A ，我
B
= 550毫安
(*)
I
C
= 5.5A ，我
B
= 550毫安
(*)
I
C
= 5.5A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 0.1A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 6A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 50MHz的
pF
25
pF
ns
ns
ns
ns
2%.
集电极 - 基极击穿电压BV
CBO
集电极 - 发射极击穿
电压（正向阻断）
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
BV
CEX
BV
首席执行官
or
发射极 - 基极击穿电压BV
EBO
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
or
or
1000 1100
880
350
280
50
130
310
19.3
27.3
13.2
682
90.9
300秒;占空比
1000
500
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 10V.
I
C
= 500毫安，
I
B1
= I
B2
= 50毫安。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2006年10月
捷特科PLC 2006
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ZXTN19060CFF
典型特征
第1期 - 2006年10月
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ZXTN19060CG
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