ZXTN19020DFF
20V ， SOT23F ， NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 70V
BV
首席执行官
> 20V
BV
ECO
＆ GT ; 4.5V
I
C（ CONT ）
= 6.5A
V
CE （ SAT ）
= <为30mV @ 1A
R
CE （ SAT ）
= 18m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP19020DFF
描述
先进过程能力已被用于最大化
该晶体管的性能。该SOT23F包兼容
行业标准SOT23封装尺寸，但提供了较低的配置文件，
高消耗的应用中的功率密度是最
重要性。
特点
极低的饱和电压
高增益
较高的正向阻断电压
低调的高散热封装
C
B
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
LED驱动
频闪闪光
电机驱动
微缓冲区
订购信息
设备
ZXTN19020DFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1E3
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTN19020DFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
70
70
20
4.5
7
6.5
1
15
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
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2
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20V ， SOT23F ， NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 70V
BV
首席执行官
> 20V
BV
ECO
＆ GT ; 4.5V
I
C（ CONT ）
= 6.5A
V
CE （ SAT ）
= <为30mV @ 1A
R
CE （ SAT ）
= 18m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP19020DFF
描述
先进过程能力已被用于最大化
该晶体管的性能。该SOT23F包兼容
行业标准SOT23封装尺寸，但提供了较低的配置文件，
高消耗的应用中的功率密度是最
重要性。
特点
极低的饱和电压
高增益
较高的正向阻断电压
低调的高散热封装
C
B
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
LED驱动
频闪闪光
电机驱动
微缓冲区
订购信息
设备
ZXTN19020DFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1E3
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
1
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ZXTN19020DFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
70
70
20
4.5
7
6.5
1
20
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
2
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