ZXTN07012EFF
12V , SOT23F , NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
& GT ; 12V
BV
ECO
& GT ; 3V
I
C( CONT )
= 4.5A
V
CE ( SAT )
<为70mV @ 1A
R
CE ( SAT )
= 43m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP07012EFF
描述
这个低电压NPN晶体管被设计为应用
需要高的增益,非常低的饱和电压。该SOT23F
封装引脚与业界标准的SOT23封装占位面积兼容
但是,提供的应用场合下轮廓和较高耗散
功率密度是极其重要的。
C
B
特点
低调SOT23F包
低饱和电压
高增益
高功率耗散
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
LED驱动器
升压转换器
逻辑接口
电机驱动
订购信息
设备
ZXTN07012EFFTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1D3
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTN07012EFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
极限
20
12
3
7
4.5
1
10
0.84
6.72
1.34
10.72
1.50
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149
93
83
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
2
www.zetex.com
ZXTN07012EFF
12V , SOT23F , NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
& GT ; 12V
BV
ECO
& GT ; 3V
I
C( CONT )
= 4.5A
V
CE ( SAT )
<为70mV @ 1A
R
CE ( SAT )
= 43m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP07012EFF
描述
这个低电压NPN晶体管被设计为应用
需要高的增益,非常低的饱和电压。该SOT23F
封装引脚与业界标准的SOT23封装占位面积兼容
但是,提供的应用场合下轮廓和较高耗散
功率密度是极其重要的。
C
B
特点
低调SOT23F包
低饱和电压
高增益
高功率耗散
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
LED驱动器
升压转换器
逻辑接口
电机驱动
订购信息
设备
ZXTN07012EFFTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1D3
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTN07012EFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
极限
20
12
3
7
4.5
1
10
0.84
6.72
1.34
10.72
1.50
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149
93
83
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
2
www.zetex.com