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ZXTN07012EFF
12V , SOT23F , NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
& GT ; 12V
BV
ECO
& GT ; 3V
I
C( CONT )
= 4.5A
V
CE ( SAT )
<为70mV @ 1A
R
CE ( SAT )
= 43m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP07012EFF
描述
这个低电压NPN晶体管被设计为应用
需要高的增益,非常低的饱和电压。该SOT23F
封装引脚与业界标准的SOT23封装占位面积兼容
但是,提供的应用场合下轮廓和较高耗散
功率密度是极其重要的。
C
B
特点
低调SOT23F包
低饱和电压
高增益
高功率耗散
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
LED驱动器
升压转换器
逻辑接口
电机驱动
订购信息
设备
ZXTN07012EFFTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1D3
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXTN07012EFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
极限
20
12
3
7
4.5
1
10
0.84
6.72
1.34
10.72
1.50
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149
93
83
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
2
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ZXTN07012EFF
特征
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
3
www.zetex.com
ZXTN07012EFF
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压(基本开)
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压(反向阻断)
发射极 - 集电极击穿
电压(基本开)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
分钟。
20
12
7
6
3.0
典型值。
40
17
8.3
8.2
5.3
<1
<1
25
60
50
105
215
基射极饱和
电压
V
BE ( SAT )
945
850
500
400
330
140
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
150
800
650
530
230
220
229
40
26.8
14.2
250
67.7
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
IC = 100 A
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A
I
E
= 100 A,R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
V
CB
= 16V
V
CB
= 16V ,T
AMB
= 100°C
V
EB
= 5.6V
I
C
= 100mA时我
B
- 0.5毫安
(*)
I
C
= 1A ,我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 1A ,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 2A ,我
B
= 20mA下
(*)
I
C
= 4.5A ,我
B
= 45毫安
(*)
I
C
= 4.5A ,我
B
= 45毫安
(*)
I
C
= 4.5A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 0.1A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4.5A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10A ,V
CE
= 2V
(*)
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
= 5V
F = 50MHz的
pF
V
EB
= 0.5V , F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 10V.
I
C
= 500毫安,
I
B1
= I
B2
= 50毫安。
集电极 - 基极截止电流I
CBO
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
EBO
V
CE ( SAT )
50
20
50
40
85
70
150
320
1050
950
1500
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基极 - 发射极导通电压V
BE(上)
静态正向电流
传输比
h
FE
50
pF
ns
ns
ns
ns
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
4
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ZXTN07012EFF
典型特征
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
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ZXTN07012EFF
12V , SOT23F , NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
& GT ; 12V
BV
ECO
& GT ; 3V
I
C( CONT )
= 4.5A
V
CE ( SAT )
<为70mV @ 1A
R
CE ( SAT )
= 43m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP07012EFF
描述
这个低电压NPN晶体管被设计为应用
需要高的增益,非常低的饱和电压。该SOT23F
封装引脚与业界标准的SOT23封装占位面积兼容
但是,提供的应用场合下轮廓和较高耗散
功率密度是极其重要的。
C
B
特点
低调SOT23F包
低饱和电压
高增益
高功率耗散
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
LED驱动器
升压转换器
逻辑接口
电机驱动
订购信息
设备
ZXTN07012EFFTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1D3
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
1
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ZXTN07012EFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压(反向阻断)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
极限
20
12
3
7
4.5
1
10
0.84
6.72
1.34
10.72
1.50
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149
93
83
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2006年9月
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特征
第1期 - 2006年9月
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ZXTN07012EFF
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压(基本开)
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压(反向阻断)
发射极 - 集电极击穿
电压(基本开)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
分钟。
20
12
7
6
3.0
典型值。
40
17
8.3
8.2
5.3
<1
<1
25
60
50
105
215
基射极饱和
电压
V
BE ( SAT )
945
850
500
400
330
140
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
150
800
650
530
230
220
229
40
26.8
14.2
250
67.7
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
IC = 100 A
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A
I
E
= 100 A,R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
V
CB
= 16V
V
CB
= 16V ,T
AMB
= 100°C
V
EB
= 5.6V
I
C
= 100mA时我
B
- 0.5毫安
(*)
I
C
= 1A ,我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 1A ,我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 2A ,我
B
= 20mA下
(*)
I
C
= 4.5A ,我
B
= 45毫安
(*)
I
C
= 4.5A ,我
B
= 45毫安
(*)
I
C
= 4.5A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 0.1A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 4.5A ,V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 10A ,V
CE
= 2V
(*)
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
= 5V
F = 50MHz的
pF
V
EB
= 0.5V , F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= 10V.
I
C
= 500毫安,
I
B1
= I
B2
= 50毫安。
集电极 - 基极截止电流I
CBO
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
EBO
V
CE ( SAT )
50
20
50
40
85
70
150
320
1050
950
1500
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
基极 - 发射极导通电压V
BE(上)
静态正向电流
传输比
h
FE
50
pF
ns
ns
ns
ns
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
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ZXTN07012EFF
典型特征
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXTN07012EFF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ZXTN07012EFF
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21+
568
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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21+
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全新原装正品/质量有保证
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电话:135-34090664
联系人:马先生
地址:福田区华强北街道中航路
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22+
588888
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ESD管TVS管-可供样品
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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▲10/11+
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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