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ZXTDE4M832
MPPS 微型封装电源解决方案
双80V NPN & 70V PNP低饱和晶体管
组合
摘要
NPN晶体管
PNP晶体管
描述
封装在新的创新的3mm x 2毫米MLP （微型引线封装） ，
这些低饱和NPN / PNP组合双晶体管报价走低
态损耗使它们非常适用于DC-DC电路和各种驱动应用
和电源管理功能。
用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
采用3mm x 2毫米双芯片MLP
V
首席执行官
= 80V ;
SAT
= 68m ;
C
= 3.5A
V
首席执行官
= -70V ;
SAT
= 117m ;
C
= -2.5A
C2
C1
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ -185mV最大@ 1A - NPN ）
H
FE
指定多达-5A
I
C
= -3.5A连续集电极电流
采用3mm x 2毫米MLP
B2
B1
E2
E1
应用
直流 - 直流转换器
充电电路
电源开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXTDE4M832TA
ZXTDE4M832TC
REEL
7
13
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
采用3mm x 2毫米双MLP
仰视图
器件标识
DE4
第1期 - 2002年6月
1
ZXTDE4M832
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流（A ） （F ）
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ D） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ E） （G ）
线性降额因子
存储温度范围
结温
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
英镑
T
j
NPN
100
80
7.5
5
3.5
1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
150
PNP
-70
-70
-7.5
-3
-2.5
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 500mW的功率额定值。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年6月
2
ZXTDE4M832
典型特征
10
I
C
集电极电流（ A）
1
DC
1s
I
C
集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
有限
10
V
CE （ SAT ）
有限
1
DC
1s
100ms
10ms
注意事项（一） （F ）
单脉冲，T
AMB
=25°C
1ms
100us
0.1
注意事项（一） （F ）
100ms
10ms
1ms
100us
单脉冲，T
AMB
=25°C
0.1
0.01
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
NPN安全工作区
3.5
PNP安全工作区
最大功耗（ W）
2盎司铜
注（ E） （G ）
T
AMB
=25°C
热阻（ ° C / W）
80
60
注意事项（一） （F ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1盎司铜
注（ D） （F ）
2盎司铜
注意事项（一） （F ）
1盎司铜
注（ D） （G ）
D=0.5
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100 1m
10m 100m
1
10
100
1k
25
50
75
100
125
150
脉冲宽度（S ）
温度（℃）
瞬态热阻抗
3.5
3.0
降额曲线
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
热阻（ ° C / W）
P
D
耗散（W）的
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
T
AMB
=25°C
T
j max的情况
=150°C
连续
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
1
10
100
1
10
100
董事会铜区（ sqcm ）
董事会铜区（ sqcm ）
功耗V电路板面积
热电阻V电路板面积
第1期 - 2002年6月
3
ZXTDE4M832
NPN晶体管
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
15
45
145
160
240
1.09
0.96
200
300
110
60
20
100
450
450
170
90
30
10
160
11.5
86
1128
18
分钟。
100
80
7.5
典型值。
180
110
8.2
25
25
25
20
60
185
200
325
1.175
1.05
900
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=80V
V
EB
=6V
V
CE
=65V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 1A ，我
B
=20mA
I
C
= 1.5A ，我
B
=50mA
I
C
= 3.5A ，我
B
=300mA
I
C
= 3.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 3.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
=的200mA， V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=25mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。
第1期 - 2002年6月
4
ZXTDE4M832
NPN典型特征
第1期 - 2002年6月
5
ZXTDE4M832
MPPS 微型封装电源解决方案
双80V NPN & 70V PNP低饱和晶体管
组合
摘要
NPN晶体管
PNP晶体管
描述
封装在新的创新的3mm x 2毫米MLP （微型引线封装） ，
这些低饱和NPN / PNP组合双晶体管报价走低
态损耗使它们非常适用于DC-DC电路和各种驱动应用
和电源管理功能。
用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
采用3mm x 2毫米双芯片MLP
V
首席执行官
= 80V ;
SAT
= 68m ;
C
= 3.5A
V
首席执行官
= -70V ;
SAT
= 117m ;
C
= -2.5A
C2
C1
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ -185mV最大@ 1A - NPN ）
H
FE
指定多达-5A
I
C
= -3.5A连续集电极电流
采用3mm x 2毫米MLP
B2
B1
E2
E1
应用
直流 - 直流转换器
充电电路
电源开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXTDE4M832TA
ZXTDE4M832TC
REEL
7
13
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
采用3mm x 2毫米双MLP
仰视图
器件标识
DE4
第1期 - 2002年6月
1
ZXTDE4M832
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流（A ） （F ）
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ D） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ E） （G ）
线性降额因子
存储温度范围
结温
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
英镑
T
j
NPN
100
80
7.5
5
3.5
1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
150
PNP
-70
-70
-7.5
-3
-2.5
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 500mW的功率额定值。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年6月
2
ZXTDE4M832
典型特征
10
I
C
集电极电流（ A）
1
DC
1s
I
C
集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
有限
10
V
CE （ SAT ）
有限
1
DC
1s
100ms
10ms
注意事项（一） （F ）
单脉冲，T
AMB
=25°C
1ms
100us
0.1
注意事项（一） （F ）
100ms
10ms
1ms
100us
单脉冲，T
AMB
=25°C
0.1
0.01
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
NPN安全工作区
3.5
PNP安全工作区
最大功耗（ W）
2盎司铜
注（ E） （G ）
T
AMB
=25°C
热阻（ ° C / W）
80
60
注意事项（一） （F ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1盎司铜
注（ D） （F ）
2盎司铜
注意事项（一） （F ）
1盎司铜
注（ D） （G ）
D=0.5
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100 1m
10m 100m
1
10
100
1k
25
50
75
100
125
150
脉冲宽度（S ）
温度（℃）
瞬态热阻抗
3.5
3.0
降额曲线
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
热阻（ ° C / W）
P
D
耗散（W）的
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
T
AMB
=25°C
T
j max的情况
=150°C
连续
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
1
10
100
1
10
100
董事会铜区（ sqcm ）
董事会铜区（ sqcm ）
功耗V电路板面积
热电阻V电路板面积
第1期 - 2002年6月
3
ZXTDE4M832
NPN晶体管
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
15
45
145
160
240
1.09
0.96
200
300
110
60
20
100
450
450
170
90
30
10
160
11.5
86
1128
18
分钟。
100
80
7.5
典型值。
180
110
8.2
25
25
25
20
60
185
200
325
1.175
1.05
900
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=80V
V
EB
=6V
V
CE
=65V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 1A ，我
B
=20mA
I
C
= 1.5A ，我
B
=50mA
I
C
= 3.5A ，我
B
=300mA
I
C
= 3.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 3.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
=的200mA， V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=25mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。
第1期 - 2002年6月
4
ZXTDE4M832
NPN典型特征
第1期 - 2002年6月
5
ZXTDE4M832
MPPS 微型封装电源解决方案
双80V NPN & 70V PNP低饱和晶体管
组合
摘要
NPN晶体管
PNP晶体管
描述
封装在新的创新的3mm x 2毫米MLP （微型引线封装） ，
这些低饱和NPN / PNP组合双晶体管报价走低
态损耗使它们非常适用于DC-DC电路和各种驱动应用
和电源管理功能。
用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
采用3mm x 2毫米双芯片MLP
V
首席执行官
= 80V ;
SAT
= 68m ;
C
= 3.5A
V
首席执行官
= -70V ;
SAT
= 117m ;
C
= -2.5A
C2
C1
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ -185mV最大@ 1A - NPN ）
H
FE
指定多达-5A
I
C
= -3.5A连续集电极电流
采用3mm x 2毫米MLP
B2
B1
E2
E1
应用
直流 - 直流转换器
充电电路
电源开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXTDE4M832TA
ZXTDE4M832TC
REEL
7
13
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
采用3mm x 2毫米双MLP
仰视图
器件标识
DE4
第1期 - 2002年6月
1
ZXTDE4M832
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流（A ） （F ）
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ D） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ E） （G ）
线性降额因子
存储温度范围
结温
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
英镑
T
j
NPN
100
80
7.5
5
3.5
1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
150
PNP
-70
-70
-7.5
-3
-2.5
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 500mW的功率额定值。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年6月
2
ZXTDE4M832
典型特征
10
I
C
集电极电流（ A）
1
DC
1s
I
C
集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
有限
10
V
CE （ SAT ）
有限
1
DC
1s
100ms
10ms
注意事项（一） （F ）
单脉冲，T
AMB
=25°C
1ms
100us
0.1
注意事项（一） （F ）
100ms
10ms
1ms
100us
单脉冲，T
AMB
=25°C
0.1
0.01
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
NPN安全工作区
3.5
PNP安全工作区
最大功耗（ W）
2盎司铜
注（ E） （G ）
T
AMB
=25°C
热阻（ ° C / W）
80
60
注意事项（一） （F ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1盎司铜
注（ D） （F ）
2盎司铜
注意事项（一） （F ）
1盎司铜
注（ D） （G ）
D=0.5
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
100 1m
10m 100m
1
10
100
1k
25
50
75
100
125
150
脉冲宽度（S ）
温度（℃）
瞬态热阻抗
3.5
3.0
降额曲线
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
热阻（ ° C / W）
P
D
耗散（W）的
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
T
AMB
=25°C
T
j max的情况
=150°C
连续
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
1盎司镀铜
注（ F）
1盎司镀铜
注（ G）
2盎司覆铜
注（ F）
2盎司覆铜
注（ G）
1
10
100
1
10
100
董事会铜区（ sqcm ）
董事会铜区（ sqcm ）
功耗V电路板面积
热电阻V电路板面积
第1期 - 2002年6月
3
ZXTDE4M832
NPN晶体管
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
15
45
145
160
240
1.09
0.96
200
300
110
60
20
100
450
450
170
90
30
10
160
11.5
86
1128
18
分钟。
100
80
7.5
典型值。
180
110
8.2
25
25
25
20
60
185
200
325
1.175
1.05
900
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=80V
V
EB
=6V
V
CE
=65V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 1A ，我
B
=20mA
I
C
= 1.5A ，我
B
=50mA
I
C
= 3.5A ，我
B
=300mA
I
C
= 3.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 3.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
=的200mA， V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=25mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
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ZXTDE4M832
NPN典型特征
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ZXRE060AET5TA
ZLDO330T8
ZM4764A
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